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금속 양이온 및 음이온을 포함하는 금속염;칼코겐 원소를 포함하는 유기 전구체; 및용매;를 포함하고,상기 음이온은 산화제 및/또는 고흡광성 물질인 것인,무기 포토레지스트 조성물
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제 1 항에 있어서,극자외선 조사 시 상기 음이온에 의해 상기 유기 전구체가 산화되어 칼코겐 음이온이 생성되는 것인,무기 포토레지스트 조성물
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제 2 항에 있어서,상기 칼코겐 음이온에 의해서 상기 금속 양이온간의 가교가 선택적으로 발생하여 상기 무기 포토레지스트 조성물의 용해도가 변화하는 것인,무기 포토레지스트 조성물
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제 1 항에 있어서,상기 금속 양이온은 Bi, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Pd, Ag, Cd, In, Sn, Sb, Te, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Tl, Pb, Hf, Ta, W 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 금속의 양이온을 포함하는 것인,무기 포토레지스트 조성물
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제 1 항에 있어서,상기 산화제는 NO3-, ClO4-, BrO4- 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 음이온을 포함하는 것인,무기 포토레지스트 조성물
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제 1 항에 있어서,상기 고흡광성 물질은 Se, Te, I 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 성분의 음이온을 포함하는 것인,무기 포토레지스트 조성물
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제 1 항에 있어서,상기 산화제 및 고흡광성 물질은 IO4-, Cr2O7-, MnO4- 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 음이온을 포함하는 것인,무기 포토레지스트 조성물
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제 1 항에 있어서,상기 유기 전구체는 알콕사이드 그룹, 우레아 유도체 또는 아마이드 유도체인 것인,무기 포토레지스트 조성물
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제 8 항에 있어서,상기 알콕사이드 그룹은 하기 화학식 1 로서 표시되는 것을 포함하는 것인,무기 포토레지스트 조성물: [화학식 1]OR(화학식 1 에서,R은 치환될 수 있는 선형 또는 분지형의 C1-C6 의 알킬임)
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제 8 항에 있어서,상기 우레아 유도체는 하기 화학식 2 로서 표시되는 것을 포함하는 것인,무기 포토레지스트 조성물:[화학식 2](화학식 2 에서,Q 는 O, S, Se 또는 Te 이고,R 은 수소 또는 치환될 수 있는 선형 또는 분지형의 C1-C6 의 알킬임)
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제 8 항에 있어서,상기 아마이드 유도체는 하기 화학식 3 으로서 표시되는 것을 포함하는 것인,무기 포토레지스트 조성물:[화학식 3] (화학식 3 에서,Q 는 O, S, Se 또는 Te 이고,R 은 수소 또는 치환될 수 있는 선형 또는 분지형의 C1-C6 의 알킬임)
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제 1 항에 있어서,상기 용매는 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 부탄올, t-부틸알코올, 아밀알코올, 메톡시에탄올, 에톡시에탄올, 아세틸아세톤, 포름아마이드, 디메틸포름아마이드, N-메틸포름아마이드, 디메틸설폭사이드, 에탄올아민, 이들의 유도체 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 유기 용매를 포함하는 것인,무기 포토레지스트 조성물
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금속 양이온 및 음이온을 포함하는 금속 염, 칼코겐 원소를 포함하는 유기 전구체 및 제 1 용매를 포함하는 무기 포토레지스트 조성물을 기판 상에 코팅하여 박막을 형성하는 단계;상기 박막을 열처리 하는 단계;상기 박막 상에 마스크를 배치한 후 극자외선을 조사하는 단계; 및상기 박막을 제 2 용매에 담지하는 단계;를 포함하고,상기 음이온은 산화제 및/또는 고흡광성 물질인 것인,포토리소그래피 공정
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제 13 항에 있어서,상기 박막을 제 2 용매에 담지하는 단계에서, 상기 박막에 극자외선이 조사되지 않은 부분이 상기 제 2 용매에 용해되는 것인,포토리소그래피 공정
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제 13 항에 있어서,상기 열처리에 의해 상기 박막과 상기 극자외선의 반응성이 증가하는 것인,포토리소그래피 공정
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제 15 항에 있어서,상기 열처리는 30℃ 내지 150℃ 의 온도 범위에서 수행되는 것인,포토리소그래피 공정
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제 13 항에 있어서,상기 제 2 용매는 에탄올, 이소프로필알코올, 부탄올, 메틸에틸케톤, 디메틸설폭사이드 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인,포토리소그래피 공정
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