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단결정 금속 촉매 상에 방향족 탄소 기체를 공급하여 단결정 그래핀을 제조하는 단계를 포함하는,단결정 그래핀의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 단결정 금속 촉매는 표면 상에 상기 금속의 (111) 면이 노출되어 있는 것인, 단결정 그래핀의 제조 방법
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제 2 항에 있어서,상기 (111) 면 상에서 그래핀이 성장하여 단결정 그래핀이 성장하는 것인, 단결정 그래핀의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 방향족 탄소 기체를 공급하기 전에 상기 단결정 금속 촉매의 표면 상의 산화물을 제거하는 단계를 추가 포함하는 것인, 단결정 그래핀의 제조 방법
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제 4 항에 있어서, 상기 금속 촉매의 표면 상의 산화물을 제거하는 단계는 환원 열처리, 플라즈마 처리, 광 처리, 또는 화학약품에 의한 처리에 의해 수행되는 것인, 단결정 그래핀의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 단결정 금속 촉매 상에 방향족 탄소 기체를 공급하는 단계는 100℃ 이하에서 수행되는 것인, 단결정 그래핀의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 단결정 금속 촉매 상에 방향족 탄소 기체를 공급하는 단계는 50℃ 이하에서 수행되는 것인, 단결정 그래핀의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 단결정 금속 촉매 상에 방향족 탄소 기체를 공급하는 단계는 30℃ 이하에서 수행되는 것인, 단결정 그래핀의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 단결정 금속 촉매 상에 방향족 탄소 기체를 공급하는 단계는 추가의 열 공급 없이 상온에서 수행되는 것인, 단결정 그래핀의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 단결정 금속 촉매 상에 방향족 탄소 기체를 공급하는 단계는 진공 상태에서 수행되는 것인, 단결정 그래핀의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 단결정 금속 촉매는 Cu, Ni, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Zn, Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Rf, Db, Sg, Bh, Hs, Mt, Ds, Rg, Cn, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 금속을 포함하는 것인, 단결정 그래핀의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 단결정 금속 촉매 상에 방향족 탄소 기체를 공급하는 단계는 유기 금속 화학 기상 증착 공정에 의해 수행되는 것인, 단결정 그래핀의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 단결정 그래핀의 제조 방법은 다결정 금속 촉매를 열처리 하여 상기 단결정 금속 촉매로 전환시키는 단계를 추가 포함하는 것인, 단결정 그래핀의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 방향족 탄소 기체는 치환 가능한 벤젠, 톨루엔, 자일렌, 나프탈렌, 안트라센, 벤조피렌, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 단결정 그래핀의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조된, 단결정 그래핀
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제 15 항에 있어서,상기 단결정 그래핀은 단층 구조인, 단결정 그래핀
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제 15 항에 있어서,상기 단결정 그래핀은 주름이 존재하지 않는 것인, 단결정 그래핀
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화학 기상 증착 장치의 챔버 내에 금속 촉매를 배치하는 단계;상기 금속 촉매의 표면 상의 산화물을 제거하는 단계; 및상기 챔버 상에 방향족 탄소 기체를 공급하는 단계;를 포함하고, 상기 챔버 상에 방향족 탄소 기체를 공급하는 단계는 추가의 열 공급 없이 상온에서 수행되는 것인, 단결정 그래핀 제조 시스템
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