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전자기파가 입사되고, 시간에 대해 반사율이 변화되는 시간 변화 반사면; 및상기 시간 변화 반사면으로부터 소정 간격 떨어져 배치되고, 공진기 모드에 해당하는 주파수를 갖는 전자기파가 출사되고, 상기 시간 변화 반사면을 통해 입사된 전자기파를 부분적으로 반사시키기 위한 고정된 반사율을 갖는 부분 반사면;을 포함하고,상기 시간 변화 반사면의 반사율은, 상기 부분 반사면의 반사율보다 작다가 상기 전자기파가 시간 변화 반사면과 상기 부분 반사면 사이에 갇힌 후에는 상기 부분 반사면의 반사율보다 커지는, 전자기파 주파수 변환 장치
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제 1 항에 있어서,상기 전자기파를 발생시키는 전자기파 발생기; 및상기 시간 변화 반사면의 반사율을 제어하고, 상기 전자기파 발생기를 제어하는 제어기;를 더 포함하는, 전자기파 주파수 변환 장치
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전자기파가 입사되고 시간에 대해 반사율이 변화되는 시간 변화 반사면을 포함하는 반도체 웨이퍼; 및상기 반도체 웨이퍼로부터 소정 간격 떨어져 배치되고, 공진기 모드에 해당하는 주파수를 갖는 전자기파가 출사되고 상기 반도체 웨이퍼를 통해 입사된 전자기파를 부분적으로 반사시키기 위한 고정된 반사율을 갖는 부분 반사면을 포함하는 반사 필름;을 포함하고,상기 시간 변화 반사면의 반사율은 상기 부분 반사면의 반사율보다 작고, 상기 반사 필름을 통해 입사된 초고속 레이저 펄스에 의해 반사율이 증가되어 상기 부분 반사면의 반사율보다 커지는, 전자기파 주파수 변환 장치
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제 3 항에 있어서,상기 시간 변화 반사면은 상기 반도체 웨이퍼의 양면 중 상기 반사 필름에 더 가까이 위치된 면이고,상기 반사 필름은 필름 및 상기 필름 상에 배치된 반사 패턴을 포함하는, 전자기파 주파수 변환 장치
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제 4 항에 있어서,상기 반사 패턴은 줄무늬 형태를 갖고, 상기 줄무늬 형태의 줄 방향은 상기 전자기파의 전기장 방향과 평행하고,상기 반사 패턴의 주기는 상기 전자기파의 파장보다 작은, 전자기파 주파수 변환 장치
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제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,상기 반도체 웨이퍼는 실리콘(Silicon) 또는 갈륨비소(GaAs)이고,상기 필름은 질화규소(SiN, silicon nitride), 폴리디메틸실록산(PDMS, polydimethylsiloxane), 또는 폴리이미드(PI, polyimide)이고,상기 반사 패턴은 금속 또는 인듐 주석 산화물(ITO, Indium tin oxide)인, 전자기파 주파수 변환 장치
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전자기파와 초고속 레이저 펄스를 입사받아 공진기 모드에 해당하는 주파수를 갖는 공진 모드 전자기파를 출사하는 반도체 웨이퍼;를 포함하고,상기 반도체 웨이퍼의 양면 중 어느 하나의 일 면은 상기 전자기파가 입사되고 시간에 대해 반사율이 변화되는 시간 변화 반사면이고,상기 반도체 웨이퍼의 양면 중 다른 하나의 일 면에 상기 전자기파를 부분적으로 반사시키기 위한 고정된 반사율을 갖는 반사 패턴이 배치되고,상기 시간 변화 반사면의 반사율은 상기 반사 패턴의 반사율보다 작고, 상기 초고속 레이저 펄스에 의해 반사율이 증가되어 상기 반사 패턴의 반사율보다 커지는, 전자기파 주파수 변환 장치
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제 7 항에 있어서,상기 반도체 웨이퍼는 실리콘(Silicon) 또는 갈륨비소(GaAs)이고,상기 반사 패턴은 금속 또는 인듐 주석 산화물(ITO, Indium tin oxide)인, 전자기파 주파수 변환 장치
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9
제 7 항에 있어서,상기 반사 패턴은 줄무늬 형태를 갖고, 상기 줄무늬 형태의 줄 방향은 상기 전자기파의 전기장 방향과 평행하고,상기 반사 패턴의 주기는 상기 전자기파의 파장보다 작은, 전자기파 주파수 변환 장치
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10
제 3 항 또는 제 7 항에 있어서,상기 전자기파를 발생시키는 전자기파 발생기; 상기 초고속 레이저 펄스를 발생시키는 레이저 펄스 발생기; 및상기 전자기파 발생기와 상기 레이저 펄스 발생기를 제어하는 제어기;를 더 포함하는, 전자기파 주파수 변환 장치
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