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전자 부족성(electron--deficient) 코어 백본 구조; 및 상기 코어 백본 구조에 결합된 전자 구인성 작용기(electron-withdrawing group)를 구비하는 유기 분자를 포함하는, 유기 반도체 소재
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제1항에 있어서, 상기 코어 백본 구조는 나프탈렌 디이미드(naphthalene diimide, NDI) 또는 페릴린 디이미드(perylene diimide, PDI)를 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기 반도체 소재
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제2항에 있어서, 상기 치환기는 퍼플루오로알킬 그룹(perfluoroalkyl group)을 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기 반도체 소재
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제3항에 있어서, 상기 유기 분자는 하기 화학식 1 내지 6 중 선택된 하나 이상의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기 반도체 소재:[화학식 1][화학식 2][화학식 3][화학식 4][화학식 5][화학식 6]상기 화학식 1 내지 6에 있어서, EWG는 상기 전자 구인성 작용기(electron-withdrawing group)를 나타낸다
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제2항에 있어서, 상기 유기 분자는 암모니아 가스와 반응하여 내부에 안정한 라디컬 음이온 형성(stable radical anion formation, SRAF)이 가능한 것을 특징으로 하는, 유기 반도체 소재
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유기 반도체 채널, 상기 유기 반도체 채널의 서로 다른 부분에 각각 전기적으로 연결된 소스 전극 및 드레인 전극 및 상기 유기 반도체 채널에 전기장을 인가하는 게이트 전극을 포함하고, 상기 유기 반도체 채널은 전자 부족성(electron--deficient) 코어 백본 구조; 및 상기 코어 백본 구조에 결합된 전자 구인성 작용기(electron-withdrawing group)를 포함하는 유기 분자로 형성되며, 암모니아(NH3) 가스를 선택적으로 감지하는, 유기 전계 효과 트랜지스터 기반 가스 센서
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제6항에 있어서, 상기 코어 백본 구조는 나프탈렌 디이미드(naphthalene diimide, NDI) 또는 페릴린 디이미드(perylene diimide, PDI)를 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기 전계 효과 트랜지스터 기반 가스 센서
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제7항에 있어서, 상기 치환기는 퍼플루오로알킬 그룹(perfluoroalkyl group)을 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기 전계 효과 트랜지스터 기반 가스 센서
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제9항에 있어서,상기 유기 분자는 하기 화학식 1 내지 6 중 선택된 하나 이상의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기 반도체 소재:[화학식 1][화학식 2][화학식 3][화학식 4][화학식 5][화학식 6]상기 화학식 1 내지 6에 있어서, EWG는 상기 전자 구인성 작용기(electron-withdrawing group)를 나타낸다
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