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하기 화학식 1로 표시된 제1반복 단위를 포함한, 유기 반도체 화합물:003c#화학식 1003e#상기 화학식 1 중,Y11은 S 또는 Se이고,Ar11 내지 Ar13은 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C5-C60카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹이고,a11 내지 a13은 서로 독립적으로, 0 내지 5의 정수 중 하나이고,R1 및 R2는 서로 독립적으로, 수소, -F, -Cl 또는 화학식 1-1로 표시되는 그룹이고, R1 및 R2 중 적어도 하나가 화학식 1-1로 표시되는 그룹이고,003c#화학식 1-1003e#상기 화학식 1-1 중,k1은 1 내지 20의 정수 중 어느 하나이고,R3 내지 R7은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C30알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C30알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬티오기 또는 -Si(Q1)(Q2)(Q3)이고,*는 이웃한 원자와의 결합 사이트이고,상기 치환된 C5-C60카보시클릭 그룹, 치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹, 치환된 C1-C30알킬기, 치환된 C2-C30알케닐기, 치환된 C2-C30알키닐기, 치환된 C1-C30알콕시기 또는 치환된 C1-C30알킬티오기의 치환기 중 적어도 하나는, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, C1-C30알킬기, C2-C30알케닐기, C2-C30알키닐기, C1-C30알콕시기, C1-C30알킬티오기 또는 -Si(Q11)(Q12)(Q13)이고,상기 Q1 내지 Q3 및 Q11 내지 Q13은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, C1-C30알킬기, C2-C30알케닐기, C2-C30알키닐기, C1-C30알콕시기 또는 C1-C30알킬티오기이다
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제1항에 있어서,하기 화학식 2로 표시된 제2반복 단위를 더 포함한, 유기 반도체 화합물:003c#화학식 2003e#상기 화학식 2 중,Y21은 S 또는 Se이고,R21 및 R22는 서로 독립적으로, 수소, -F, 또는 -Cl이고,Ar21 내지 Ar23은 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C5-C60카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹이고,a21 내지 a23은 서로 독립적으로, 0 내지 5의 정수 중 하나이다
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제1항에 있어서,상기 제1반복 단위 및 상기 제2반복 단위의 몰 비가 100:0 내지 0
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제1항에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 유기 반도체 화합물은 화학식 10-1 내지 10-3 중 어느 하나로 표시되는, 유기 반도체 화합물:003c#화학식 10-1003e#003c#화학식 10-2003e#003c#화학식 10-3003e#상기 화학식 10-1 내지 10-3 중,Y11 및 Y12은 서로 독립적으로, S 또는 Se이고,Y21 및 Y22은 서로 독립적으로, S 또는 Se이고,k1 및 k2는 서로 독립적으로, 1, 2, 3, 4 또는 5이고,X11, X12, X21 및 X22는 서로 독립적으로, -C(R101)(R102), -Si(R101)(R102) 또는 -Ge(R101)(R102)이고,X13 내지 X16 및 X23 내지 X26은 서로 독립적으로, O, S, Se, -N(R103), -C(R103)(R104), -Si(R103)(R104) 또는 -Ge(R103)(R104)이고,R101 내지 R104, R111 내지 R116 및 R211 내지 R216은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, C1-C30알킬기, -F로 치환된 C1-C30알킬기, C2-C30알케닐기, C2-C30알키닐기, C1-C30알콕시기 또는 C1-C30알킬티오기이고,m은 0 내지 5000의 정수 중 어느 하나이고,n은 1 내지 5000의 정수 중 어느 하나이다
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제1항에 있어서,하기 화합물 1 내지 32 중 어느 하나인, 유기 반도체 화합물:003c#화합물 1 내지 4003e#003c#화합물 5 내지 8003e#003c#화합물 9 내지 12003e#003c#화합물 13 내지 16003e#003c#화합물 17 내지 20003e#003c#화합물 21 내지 24003e#003c#화합물 25 내지 28003e#003c#화학식 29 내지 32003e#
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제1항 내지 제5항 중 어느 한 항의 유기 반도체 화합물을 1종 이상 포함한 유기 반도체 박막
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제1항 내지 제5항 중 어느 한 항의 유기 반도체 화합물을 1종 이상 포함한 전극 재료
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제1항 내지 제5항 중 어느 한 항의 유기 반도체 화합물을 1종 이상 포함한 전자 소자
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제8항에 있어서,상기 전자 소자는 제1전극; 상기 제1전극에 대향된 제2전극; 및 상기 제1전극 및 상기 제2전극 사이에 배치된 중간층을 포함하고,상기 제1전극 및 상기 제2전극 중 적어도 하나가 상기 유기 반도체 화합물을 포함하거나, 상기 중간층이 상기 유기 반도체 화합물을 포함한, 전자 소자
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제8항에 있어서,상기 전자 소자는 열전 소자(thermoelectric device), 유기 박막 트랜지스터(OTFT), 유기 발광 다이오드(OLED), 유기 태양 전지(OSC) 및 유기 광 센서(OPD) 중 어느 하나인 전자 소자
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