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챔버 내에서 진공 상태로 스퍼터링을 수행하여 제1 금속 나노입자를 기판 상에 증착시켜 제1 금속 나노입자다공층을 형성하는 단계;상기 제1 금속 나노입자다공층을 상기 챔버의 외부로 이동시켜 대기에 노출시켜서 제1 금속 나노입자 크기를 증가시키는 단계; 및상기 제1 금속 나노입자의 크기가 증가된 제1 금속 나노입자다공층 상에 증착공정을 수행하여 제1 절연층을 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 구조 SERS기판 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1 금속 나노입자다공층을 형성하는 단계에서, 상기 제1 금속 나노입자다공층은 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd) 또는 이들의 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 구조 SERS기판 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1 금속 나노입자다공층을 형성하는 단계에서, 상기 제1 금속 나노입자다공층의 두께는 50nm 내지 2000nm인 것을 특징으로 하는 다층 구조 SERS기판 제조방법
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제1항에 있어서,상기 입자 크기를 증가시키는 단계는, 소정의 대기 노출 시간에 따라 상기 제1 금속 나노입자다공층을 상기 진공 챔버의 외부에 노출시켜서, 상기 제1 금속 나노입자의 크기를 원하는 크기까지 증가시키는 것을 특징으로 하는 다층 구조 SERS기판 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1 절연층을 형성하는 단계에서, 상기 증착공정은 스퍼터링법(sputtering), 열층착법(thermal evaporation), 전자빔증착법(e-beam evaporation), 화학적 기상 증착법(chemical vapor depositon, CVD) 또는 원자층 증착법(atomic layer deposition, ALD)에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 다층 구조 SERS기판 제조방법
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6
제1항에 있어서,상기 제1 절연층을 형성하는 단계에서, 상기 제1 절연층은 SiO2, Al2O3, TiO2, Si3N4 또는 이들의 혼합물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 구조 SERS기판 제조방법
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7
제1항에 있어서,상기 제1 절연층을 형성하는 단계에서, 상기 제1 절연층의 두께는 0
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제1항에 있어서,상기 제1 절연층을 형성하는 단계 이후에,진공 챔버 내에서 스퍼터링을 수행하여 제2 금속 나노입자를 상기 제1 절연층 상에 증착시켜 제2 금속 나노입자다공층을 형성하는 단계;상기 제2 금속 나노입자다공층을 상기 챔버의 외부로 이동시켜 대기에 노출시켜서 제2 금속 나노입자 크기를 증가시키는 단계; 및상기 제2금속 나노입자의 크기가 증가된 제2 금속 나노입자다공층 상에 증착공정을 수행하여 제2 절연층을 형성하는 단계; 를 1회 이상 반복하는 것을 특징으로 하는 다층 구조 SERS기판 제조방법
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제1항의 다층 구조 SERS기판 제조방법에 의해 제조된 다층 구조 SERS기판
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챔버 내에서 진공 상태로 스퍼터링을 수행하여 제1 금속 나노입자를 기판 상에 증착시켜 제1 금속 나노입자다공층을 형성하는 단계;상기 제1 금속 나노입자다공층을 상기 챔버의 외부로 이동시켜 대기에 노출시켜서 제1 금속 나노입자 크기를 증가시키는 단계;상기 제1 금속 나노입자의 크기가 증가된 제1 금속 나노입자다공층 상에 증착공정을 수행하여 제1 절연층을 형성하는 단계; 및진공 챔버 내에서 스퍼터링을 수행하여 제2 금속 나노입자를 상기 제1 절연층 상에 증착시켜 제2 금속 나노입자다공층을 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 구조 SERS기판 제조방법
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11
제10항에 있어서,상기 제1 금속 나노입자다공층 또는 제2 금속 나노입자다공층은 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd) 또는 이들의 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 구조 SERS기판 제조방법
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제10항에 있어서,상기 입자 크기를 증가시키는 단계는, 소정의 대기 노출 시간에 따라 상기 제1 금속 나노입자다공층을 상기 진공 챔버의 외부에 노출시켜서, 상기 제1 금속 나노입자의 크기를 원하는 크기까지 증가시키는 것을 특징으로 하는 다층 구조 SERS기판 제조방법
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제10항에 있어서,상기 제1 절연층은 SiO2, Al2O3, TiO2, Si3N4 또는 이들의 혼합물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 구조 SERS기판 제조방법
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제10항에 있어서,상기 제2 금속 나노입자다공층을 형성하는 단계 이후에,상기 제2 금속 나노입자다공층을 상기 챔버의 외부로 이동시켜 대기에 노출시켜서 제2 금속 나노입자 크기를 증가시키는 단계;상기 제2금속 나노입자의 크기가 증가된 제2 금속 나노입자다공층 상에 증착공정을 수행하여 제2 절연층을 형성하는 단계; 및진공 챔버 내에서 스퍼터링을 수행하여 제3 금속 나노입자를 상기 제2 절연층 상에 증착시켜 제3 금속 나노입자다공층을 형성하는 단계; 를 1회 이상 반복하는 것을 특징으로 하는 다층 구조 SERS기판 제조방법
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제10항의 다층 구조 SERS기판 제조방법에 의해 제조된 다층 구조 SERS기판
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