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기판 상에 마스크층을 형성하되, 상기 마스크층은 상기 기판의 제1 영역을 노출시키는 제1 개구부를 갖는 메인 마스크 패턴과 상기 제1 개구부 내에 구비되어 상기 제1 영역의 일부를 가려주는 보조 마스크 패턴을 포함하도록 형성하는 단계; 상기 제1 개구부에 의해 노출되고 상기 보조 마스크 패턴에 의해 그 일부가 가려진 상기 기판의 제1 영역으로부터 Ⅲ-Ⅴ족 계열의 반도체를 포함하는 나노로드 구조체를 성장시키는 단계; 및 상기 나노로드 구조체를 상기 기판으로부터 분리하는 단계;를 포함하는, 나노로드 구조체의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 메인 마스크 패턴은 복수의 상기 제1 개구부를 포함하고, 각각의 상기 제1 개구부 내에 상기 보조 마스크 패턴이 구비된 나노로드 구조체의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제1 개구부 내에 구비된 상기 보조 마스크 패턴은 하나 또는 복수 개의 도트(dot) 패턴으로 구성된 나노로드 구조체의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제1 개구부 내에 구비된 상기 보조 마스크 패턴은 상기 제1 영역의 40% 내지 80%에 해당하는 면적을 가려주도록 구성된 나노로드 구조체의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 Ⅲ-Ⅴ족 계열의 반도체는 GaN을 포함하는 나노로드 구조체의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 나노로드 구조체는 제1 도전형 반도체, 활성층 및 제2 도전형 반도체를 포함하는 발광구조체인 나노로드 구조체의 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 나노로드 구조체는 단순 적층 구조를 갖고, 상기 제1 도전형 반도체의 상면에 상기 활성층이 구비되고, 상기 활성층의 상면에 상기 제2 도전형 반도체가 구비된 나노로드 구조체의 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 나노로드 구조체는 코어-쉘(core-shell) 구조를 갖고, 상기 제1 도전형 반도체는 코어부를 구성하고, 상기 활성층 및 상기 제2 도전형 반도체는 상기 코어부를 순차로 감싸는 껍질부를 구성하는 나노로드 구조체의 제조방법
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9
제 1 항에 있어서, 상기 나노로드 구조체는 100∼1000 nm의 직경을 갖는 나노로드 구조체의 제조방법
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10
청구항 1 내지 9 중 어느 하나에 기재된 방법을 이용해서 나노로드 구조체를 마련하는 단계; 및 상기 나노로드 구조체를 포함하는 전자소자를 제조하는 단계;를 포함하는, 전자소자의 제조방법
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11
제 10 항에 있어서, 상기 전자소자는 LED 디스플레이를 포함하는 전자소자의 제조방법
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기판을 포함하는 하부구조체 상에 상기 하부구조체의 일부 영역들을 가려주는 마스크 패턴층을 형성하는 단계; 상기 마스크 패턴층에 의해 가려지지 않고 노출된 상기 하부구조체의 영역으로부터 Ⅲ-Ⅴ족 계열의 반도체를 포함하는 물질층을 성장시키되, 상기 마스크 패턴층을 덮도록 상기 물질층을 성장시키는 단계; 상기 물질층을 상기 마스크 패턴층이 노출될 때까지 패터닝하여 상기 물질층으로부터 나노로드 구조체를 형성하되, 상기 나노로드 구조체와 상기 하부구조체 사이에 상기 마스크 패턴층의 일부가 개재되도록 상기 나노로드 구조체를 형성하는 단계; 및 상기 나노로드 구조체를 상기 하부구조체로부터 분리하는 단계;를 포함하는, 나노로드 구조체의 제조방법
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13
제 12 항에 있어서, 상기 하부구조체는 상기 기판 및 상기 기판 상에 구비된 하지층(underlayer)을 포함하고, 상기 마스크 패턴층은 상기 하지층 상에 형성되는 나노로드 구조체의 제조방법
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제 12 항에 있어서, 상기 마스크 패턴층은 규칙적으로 배열된 복수의 도트(dot) 패턴을 포함하는 나노로드 구조체의 제조방법
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제 12 항에 있어서, 상기 나노로드 구조체와 상기 하부구조체 사이에 개재된 상기 마스크 패턴층의 일부는 상기 나노로드 구조체의 수평 단면의 40% 내지 80%에 해당하는 면적을 가려주도록 구성된 나노로드 구조체의 제조방법
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16
제 12 항에 있어서, 상기 Ⅲ-Ⅴ족 계열의 반도체는 GaN을 포함하는 나노로드 구조체의 제조방법
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제 12 항에 있어서, 상기 나노로드 구조체는 제1 도전형 반도체, 활성층 및 제2 도전형 반도체를 포함하는 발광구조체인 나노로드 구조체의 제조방법
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제 12 항에 있어서, 상기 나노로드 구조체는 100∼1000 nm의 직경을 갖는 나노로드 구조체의 제조방법
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청구항 12 내지 18 중 어느 하나에 기재된 방법을 이용해서 나노로드 구조체를 마련하는 단계; 및 상기 나노로드 구조체를 포함하는 전자소자를 제조하는 단계;를 포함하는, 전자소자의 제조방법
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20
제 19 항에 있어서, 상기 전자소자는 LED 디스플레이를 포함하는 전자소자의 제조방법
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