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광 다이오드에 있어서, 기판 상에 형성된 제1 전극; 상기 기판 상에 형성된 제1 채널층; 상기 제1 채널층 및 상기 기판 상에 형성된 제2 채널층; 및상기 기판 상에 형성된 제2 전극을 포함하되, 상기 제1 채널층 및 제2 채널층은 서로 상이한 2차원 물질로 이루어지고, 상기 제1 채널층의 적어도 일부와 제2 채널층의 적어도 일부는 접합하여 이종 접합 영역을 형성하며, 상기 제1 채널층의 일부는 상기 제1 전극의 일 표면 상에 형성되고 상기 제1 채널층의 다른 일부는 상기 기판 상에 형성되고, 그리고 상기 제2 채널층의 일부는 상기 제1 채널층의 일 표면 상에 형성되고 상기 제2 채널층의 다른 일부는 상기 기판 상에 형성된 것는 것을 특징으로 하는 광 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 제2 전극의 일부는 제2 채널층의 표면 상에 형성되고 제2 전극의 다른 일부는 기판 상에 형성된 것을 특징으로 하는 광 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 이종 접합 영역에서 수평 방향으로 형성된 이종 접합 영역의 일부는 상기 이종 접합 영역의 다른 일부와 서로 수직하거나 예각 또는 둔각을 이루는 것을 특징으로 하는 광 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 이종 접합 영역에서 수평 방향의 일부는 상기 이종 접합 영역의 다른 일부에 비해 보다 두꺼운 간격을 갖도록 구성된 것을 특징으로 하는 광 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 제1 채널층은 WSe2을 포함한 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 제2 채널층은 ReSe2, ReS2 및 이들의 조합 중 하나 이상을 포함한 그룹에서 선택된 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 이종 접합 영역은 빛이 조사되면 광전류를 생성하고, 상기 광전류를 생성하는 빛은 가시광선의 적어도 일부의 파장의 빛 또는 적외선 구간의 적어도 일부의 파장의 빛을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 다이오드
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제7항에 있어서, 상기 제2 채널층은 결정성이 깨진 부분을 포함하고, 상기 제2 채널층을 이루는 물질의 밴드갭에 해당하는 파장을 갖는 빛이 상기 이종 접합 영역에 조사되면 광전류가 생성되고, 상기 광전류는 빛의 편광 각도에 따른 세기를 갖는 것을 특징으로 하는 광 다이오드
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제8항에 있어서, 상기 이종 접합 영역은 지정된 단일 편광 각도의 빛에 반응하여 광전류를 생성하도록 형성된 것을 특징으로 하는 광 다이오드
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10
제8항에 있어서, 제1 서브 영역에 제1 편광 각도의 빛이 조사되면 제1 세기의 광전류를 생성하고 제2 서브 영역에 제2 편광 각도의 빛이 조사되면 제2 세기의 광전류를 생성하도록 형성된 이종 접합 영역을 포함하며, 상기 제2 서브 영역에 제1 편광 각도의 빛이 조사되면 제1 세기 및 제2 세기 보다 낮은 세기의 광전류가 생성되는 것을 특징으로 하는 광 다이오드
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