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히스테리시스를 갖는 저전압 신호를 처리하는 수신 회로

  • 기술번호 : KST2022002169
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 실시 예에 따른 수신 회로는 제1 전압 레벨에 대응하는 입력 신호를 수신하고, 제1 문턱 전압 및 제2 문턱 전압을 가지는 검출 신호를 출력하는 히스테리시스 검출기, 및 검출 신호를 수신하여, 제1 전압 레벨보다 높은 제2 전압 레벨로 변환하여 출력 신호로 출력하고, 제2 전압 레벨의 피드백 신호를 출력하는 레벨 시프터(level shifter)를 포함하고, 히스테리시스 검출기는 레벨 시프터로부터 피드백 신호를 수신하고, 피드백 신호를 기반으로 제1 문턱 전압 및 제2 문턱 전압을 조절한다.
Int. CL G11C 7/10 (2021.01.01) H03K 3/012 (2006.01.01) H03K 3/3565 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020200153453 (2020.11.17)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0025630 (2022.03.03) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020200106367   |   2020.08.24
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.11.17)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전영득 세종특별자치시 새롬중앙로
2 권영수 대전시 유성구
3 김성민 세종특별자치시 새롬남로 *
4 전인산 대전시 유성구
5 조민형 대전광역시 서구
6 한진호 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한양특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 한양빌딩 (도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.11.17 수리 (Accepted) 1-1-2020-1229391-92
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2021.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2021-1242473-22
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2022.02.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2022-0144367-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 전압 레벨에 대응하는 입력 신호를 수신하고, 제1 문턱 전압 및 제2 문턱 전압을 가지는 검출 신호를 출력하는 히스테리시스 검출기; 및상기 검출 신호를 수신하여, 상기 제1 전압 레벨보다 높은 제2 전압 레벨로 변환하여 출력 신호로 출력하고, 상기 제2 전압 레벨의 피드백 신호를 출력하는 레벨 시프터(level shifter)를 포함하고,상기 히스테리시스 검출기는 상기 레벨 시프터로부터 상기 피드백 신호를 수신하고, 상기 피드백 신호를 기반으로 상기 제1 문턱 전압 및 상기 제2 문턱 전압을 조절하는 수신 회로
2 2
제 1 항에 있어서,상기 히스테리시스 검출기는,제1 전원 전압 및 제1 노드에 연결되고, 상기 입력 신호에 응답하는 제1 PMOS 트랜지스터; 상기 제1 노드 및 제2 노드에 연결되고, 상기 입력 신호에 응답하는 제2 PMOS 트랜지스터;상기 제2 노드 및 제3 노드에 연결되고, 상기 입력 신호에 응답하는 제1 NMOS 트랜지스터; 상기 제3 노드 및 접지 노드에 연결되고, 상기 입력 신호에 응답하는 제2 NMOS 트랜지스터; 상기 제1 노드 및 기준 전압에 연결되고, 상기 피드백 신호에 응답하는 제3 PMOS 트랜지스터; 상기 제3 노드 및 상기 기준 전압에 연결되고, 상기 피드백 신호에 응답하는 제3 NMOS 트랜지스터; 및상기 제2 노드의 신호인 상기 검출 신호를 반전하여 반전된 검출 신호를 출력하는 인버터를 포함하는 수신 회로
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 레벨 시프터는,제2 전원 전압 및 제4 노드에 연결되고, 제5 노드의 신호에 응답하는 제4 PMOS 트랜지스터;상기 제2 전원 전압 및 상기 제5 노드에 연결되고, 상기 제4 노드의 신호에 응답하는 제5 PMOS 트랜지스터;상기 제4 노드 및 상기 접지 노드에 연결되고, 상기 반전된 검출 신호에 응답하는 제4 NMOS 트랜지스터; 및상기 제5 노드 및 상기 접지 노드에 연결되고, 상기 검출 신호에 응답하는 제5 NMOS 트랜지스터를 포함하는 수신 회로
4 4
제 3 항에 있어서,상기 피드백 신호는 상기 제4 노드의 신호와 대응하고, 상기 출력 신호는 상기 제5 노드의 신호와 대응하는 수신 회로
5 5
제 2 항에 있어서,상기 제1 전압 레벨은 상기 제1 전원 전압의 레벨보다 낮은 수신 회로
6 6
제 3 항에 있어서,상기 제2 전압 레벨은 상기 제2 전원 전압의 레벨과 대응하는 수신 회로
7 7
제 3 항에 있어서,상기 제1 전원 전압의 레벨은 상기 기준 전압의 레벨 보다 높고, 상기 제2 전원 전압의 레벨은 상기 제1 전원 전압의 레벨보다 높은 수신 회로
8 8
제 3 항에 있어서,상기 입력 신호의 상승 에지에서, 상기 입력 신호의 레벨이 상기 제1 문턱 전압 이상에서, 상기 출력 신호는 로직-로우에서 로직-하이로 천이되고,상기 입력 신호의 하강 에지에서, 상기 입력 신호의 레벨이 상기 제2 문턱 전압 미만에서, 상기 출력 신호는 로직-하이에서 로직-로우로 천이되는 수신 회로
9 9
제 8 항에 있어서,상기 기준 전압의 레벨이 증가함에 따라, 상기 제1 문턱 전압의 레벨이 증가하고, 상기 제2 문턱 전압의 레벨이 증가하는 수신 회로
10 10
제 8 항에 있어서,상기 기준 전압의 레벨이 증가할수록, 상기 제1 문턱 전압의 레벨의 증가 폭이 상기 제2 문턱 전압의 레벨의 증가 폭보다 큰 수신 회로
11 11
입력 신호를 수신하고, 제1 문턱 전압 및 제2 문턱 전압을 가지는 검출 신호를 출력하고, 제1 전원 전압 및 기준 전압을 사용하는 히스테리시스 검출기; 및상기 검출 신호를 수신하고, 상기 검출 신호의 전압 레벨을 변환하여 출력 신호로 출력하고, 피드백 신호를 상기 히스테리시스 검출기로 제공하고, 상기 제1 전원 전압 보다 높은 제2 전원 전압을 사용하는 레벨 시프터를 포함하고,상기 히스테리시스 검출기는, 상기 제1 전원 전압 및 제1 노드에 연결되고, 상기 입력 신호에 응답하는 제1 PMOS 트랜지스터; 상기 제1 노드 및 제2 노드에 연결되고, 상기 입력 신호에 응답하는 제2 PMOS 트랜지스터;상기 제2 노드 및 제3 노드에 연결되고, 상기 입력 신호에 응답하는 제1 NMOS 트랜지스터; 상기 제3 노드 및 접지 노드에 연결되고, 상기 입력 신호에 응답하는 제2 NMOS 트랜지스터; 상기 제1 노드 및 상기 기준 전압에 연결되고, 상기 피드백 신호에 응답하는 제3 PMOS 트랜지스터; 상기 제3 노드 및 상기 기준 전압에 연결되고, 상기 피드백 신호에 응답하는 제3 NMOS 트랜지스터; 상기 검출 신호를 수신하고, 상기 검출 신호를 반전시켜 반전된 검출 신호를 출력하는 제1 인버터; 및상기 반전된 검출 신호를 수신하고, 상기 반전된 검출 신호를 반전하여 출력하는 제2 인버터를 포함하고,상기 레벨 시프터는,상기 제2 전원 전압 및 제4 노드에 연결되고, 제5 노드의 신호에 응답하는 제4 PMOS 트랜지스터;상기 제2 전원 전압 및 상기 제5 노드에 연결되고, 상기 제4 노드의 신호에 응답하는 제5 PMOS 트랜지스터;상기 제4 노드 및 상기 접지 노드에 연결되고, 상기 반전된 검출 신호에 응답하는 제4 NMOS 트랜지스터; 및상기 제5 노드 및 상기 접지 노드에 연결되고, 상기 제2 인버터로부터 출력된 신호에 응답하는 제5 NMOS 트랜지스터를 포함하는 수신 회로
12 12
제 11 항에 있어서,상기 입력 신호를 수신하고, 상기 입력 신호의 전압 레벨을 기반으로 상기 기준 전압의 레벨을 조절하는 기준 전압 제어기를 더 포함하는 수신 회로
13 13
제 11 항에 있어서,상기 입력 신호의 상승 에지에서, 상기 입력 신호의 레벨이 제1 문턱 전압 이상에서, 상기 출력 신호는 로직-로우에서 로직-하이로 천이되고,상기 입력 신호의 하강 에지에서, 상기 입력 신호의 레벨이 제2 문턱 전압 미만에서, 상기 출력 신호는 로직-하이에서 로직-로우로 천이되는 수신 회로
14 14
제 11 항에 있어서,상기 히스테리시스 검출기는 상기 기준 전압의 레벨을 기반으로, 상기 제1 문턱 전압의 레벨 및 상기 제2 문턱 전압의 레벨을 조절하는 수신 회로
15 15
제 11 항에 있어서,상기 입력 신호는 상기 제1 전원 전압의 레벨 이하이고, 가변적인 전압 레벨을 갖는 수신 회로
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제 10 항에 있어서,상기 피드백 신호의 전압 레벨은 상기 제1 전원 전압의 레벨 이상인 수신 회로
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국전자통신연구원(ETRI) 정보통신 방송연구개발사업 LPDDR5 기반 인공지능 반도체용 고대역폭 메모리 인터페이스 기술 개발