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플라즈마 화학기상증착(PECVD) 공정으로 유전층을 형성하는 과정에서 광학 방출 분광(OES, Optical Emission Spectroscopy) 장비를 이용하여 플라즈마 방출광의 스펙트럼을 실시간으로 측정 및 수집하는 측정 단계; 및상기 측정 단계에서 수집된 스펙트럼의 세기에 반비례하여 플라즈마 온 타임(plasma on time)을 조절하는 공정 제어 단계를 포함하는 PECVD 공정의 실시간 제어 방법
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제1항에 있어서,상기 측정 단계에서 플라즈마 방출광의 스펙트럼 중 라디칼의 스펙트럼이 실시간으로 수집되고,상기 공정 제어 단계에서 상기 OES 장비 및 고주파(RF) 전원에 전기적으로 연결된 시간 제어부가 고주파 전원의 인가 시간을 제어하는 PECVD 공정의 실시간 제어 방법
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제2항에 있어서,상기 시간 제어부는 라디칼의 스펙트럼 세기가 제1 기준값보다 작을 때 제2 기준 시간보다 플라즈마 온 타임을 늘리고, 라디칼의 스펙트럼 세기가 제1 기준값보다 클 때 제2 기준 시간보다 플라즈마 온 타임을 줄이는 PECVD 공정의 실시간 제어 방법
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제2항에 있어서,상기 시간 제어부는 하기 수학식 (1)을 만족하는 플라즈마 온 타임을 연산하고, 연산 결과에 따라 플라즈마 온 타임을 실시간으로 제어하는 PECVD 공정의 실시간 제어 방법
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플라즈마 화학기상증착(PECVD) 공정으로 유전층을 형성하는 과정에서 전압-전류(VI) 프로브를 이용하여 전압-전류 위상차를 측정 및 수집하는 측정 단계; 및상기 측정 단계에서 수집된 전압-전류 위상차에 비례하여 플라즈마 온 타임을 조절하는 공정 제어 단계를 포함하는 PECVD 공정의 실시간 제어 방법
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제5항에 있어서,상기 공정 제어 단계에서 상기 전압-전류 프로브 및 고주파(RF) 전원에 전기적으로 연결된 시간 제어부가 고주파 전원의 인가 시간을 제어하는 PECVD 공정의 실시간 제어 방법
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제6항에 있어서,상기 시간 제어부는 전압-전류 위상차가 제3 기준값보다 클 때 제4 기준 시간보다 플라즈마 온 타임을 늘리고, 전압-전류 위상차가 제3 기준값보다 작을 때 제4 기준 시간보다 플라즈마 온 타임을 줄이는 PECVD 공정의 실시간 제어 방법
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제6항에 있어서,상기 시간 제어부는 하기 수학식 (2)를 만족하는 플라즈마 온 타임을 연산하고, 연산 결과에 따라 플라즈마 온 타임을 실시간으로 제어하는 PECVD 공정의 실시간 제어 방법
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챔버 본체;상기 챔버 본체의 내부에 위치하며, 웨이퍼를 지지하는 서셉터;상기 챔버 본체의 내부에서 상기 웨이퍼와 거리를 두고 위치하는 샤워헤드;상기 서셉터와 상기 샤워헤드 중 어느 하나에 연결된 고주파(RF) 전원 및 매칭 네트워크;상기 챔버 본체에 연결 설치되며, 플라즈마 방출광을 분석하여 라디칼, 부산물, 중성가스의 스펙트럼 세기를 측정하는 분광기; 및상기 고주파 전원 및 상기 분광기와 전기적으로 연결되고, 상기 분광기가 측정한 플라즈마 방출광의 스펙트럼 세기에 반비례하여 플라즈마 온 타임을 제어하는 시간 제어부를 포함하는 PECVD용 반응 챔버
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제9항에 있어서,상기 시간 제어부는 라디칼의 스펙트럼 세기를 수집하고, 하기 수학식 (1)을 만족하는 플라즈마 온 타임을 연산하며, 연산 결과에 따라 플라즈마 온 타임을 실시간으로 제어하는 PECVD용 반응 챔버
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챔버 본체;상기 챔버 본체의 내부에 위치하며, 웨이퍼를 지지하는 서셉터;상기 챔버 본체의 내부에서 상기 웨이퍼와 거리를 두고 위치하는 샤워헤드;상기 서셉터와 상기 샤워헤드 중 어느 하나에 연결된 고주파(RF) 전원 및 매칭 네트워크;상기 매칭 네트워크에 전기적으로 연결되고, 고주파 전압과 고주파 전류 및 전압-전류(VI) 위상차를 실시간으로 측정하는 전압-전류 프로브; 및상기 고주파 전원 및 상기 전압-전류 프로브와 전기적으로 연결되고, 상기 전압-전류 프로브가 측정한 전압-전류 위상차에 비례하여 플라즈마 온 타임을 제어하는 시간 제어부를 포함하는 PECVD용 반응 챔버
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제11항에 있어서,상기 시간 제어부는 하기 수학식 (2)를 만족하는 플라즈마 온 타임을 연산하고, 연산 결과에 따라 플라즈마 온 타임을 실시간으로 제어하는 PECVD용 반응 챔버
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