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게이트 전극;상기 게이트 전극 위에 접촉하는 게이트 절연층;상기 게이트 절연층의 일부 영역에 위치하여 질소 도핑된 그래핀층을 포함하여 채널로 사용되는 활성층;상기 활성층의 일측에 접촉하는 제1 전극; 및상기 활성층의 타측에 접촉하는 제2 전극;을 포함하며, 상기 게이트 절연층은 신축성이 있는 고분자소재로 제공되는 스트레처블 N-doped 그래핀 TFT
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제 1항에 있어서, 상기 질소 도핑된 그래핀층은,무산소 분위기에서 게이트 절연층 위에 티타늄(Ti)층이 증착된 후 In-situ로 그래핀층이 직접 생성되고 도핑된 질소 도핑 그래핀층/TiO2-x층인 것을 특징으로 하는, 스트레처블 N-doped 그래핀 TFT
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제 1항 또는 제 2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 게이트전극이 그래핀층을 포함하는 것을 특징으로 하는, 스트레처블 N-doped 그래핀 TFT
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제 1항 또는 제 2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 전극 및 제2 전극은 그래핀층/TiO2-x층을 포함하는 것을 특징으로 하는, 스트레처블 N-doped 그래핀 TFT
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제 1항 또는 제 2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 신축성이 있는 고분자소재는 폴리이미드(polyimide), 열가소성 탄성 중합체(polyurethane thermoplastic elastomers), 폴리아미드(polyamides), 폴리우레탄(polyurethanes), 폴리올레핀(polyolefin), 합성고무(synthetic rubbers), 폴리우레탄폴리클로로프렌(polychloroprene), 실리콘, 스티렌계 물질(styrenic materials), 열가소성 탄성 중합체(thermoplastic elastomer), 폴리부타디엔(polybutadiene), 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane; PDMS), 폴리이소부티렌(polyisobutylene), 올레핀계 물질(olefenic materials) 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는, 스트레처블 N-doped 그래핀 TFT
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제 1항 또는 제 2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 스트레처블 N-doped 그래핀 TFT의 투명도가 90% 이상인 것을 특징으로 하는, 스트레처블 N-doped 그래핀 TFT
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제 1항 또는 제 2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 TFT에서 상기 채널과 수평한 방향인 수평방향 또는 상기 채널에 수직한 방향인 수직방향 중 어느 하나의 방향으로 120% 인장 시 점멸비(On/off ratio)가 1
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제 1항 또는 제 2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 TFT를 수평방향 또는 수직방향 중 어느 하나의 방향으로 120% 인장 시 전기전하이동도(Mobility)가 250㎠/V·S을 초과하는 것을 특징으로 하는, 스트레처블 N-doped 그래핀 TFT
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제 1항 또는 제 2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 TFT를 수평방향 또는 수직방향 중 어느 하나의 방향으로 120% 인장 시 서브문턱 스윙(Subthreshold Swing)이 0
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제 1항 또는 제 2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 TFT를 수평방향으로 120% 인장 하는 것을 3,000번 반복 수행하는 동안 점멸비(On/off ratio)가 1
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제 1항 또는 제 2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 TFT를 수평방향으로 120% 인장 하는 것을 3,000번 반복 수행하는 동안 전기전하이동도(Mobility)가 200㎠/V·S을 초과하는 것을 특징으로 하는, 스트레처블 N-doped 그래핀 TFT
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제 1항 또는 제 2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 TFT를 수평방향으로 120% 인장 하는 것을 3,000번 반복 수행하는 동안 서브문턱 스윙(Subthreshold Swing)이 35%미만으로 증가하는 것을 특징으로 하는, 스트레처블 N-doped 그래핀 TFT
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신축성이 있는 고분자소재로 제공되는 게이트 절연층 위에 티타늄(Ti)층을 증착하는 단계;in-situ로 상기 티타늄(Ti)층 위에 그래핀층을 성장시키는 단계;플라즈마 처리를 통해 상기 그래핀층에 결함(defect)을 형성하는 단계; 및 상기 결함이 형성된 그래핀층을 질소 도핑하는 단계;를 포함하여 채널로 사용되는 활성층을 형성하는 것을 특징으로 하는, 그래핀 기반의 TFT 제조방법
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제 13항에 있어서,상기 활성층 형성단계 이후에 제1 전극 및 제2 전극을 형성한 후 100 내지 400℃에서 어닐링하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 그래핀 기반의 TFT 제조방법
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