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부분 반사 표면 기반 편파 변환 고이득 안테나

  • 기술번호 : KST2022002435
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 부분 반사 표면 기반 편파 변환 고이득 안테나는 제1 방향으로 편파된 전파를 방사하는 방사체, 및 상기 방사체와 일정 거리 이격되어 배치되어 상기 방사체로부터 진행되어 오는 전파를 부분적으로 투과 및 반사하는 부분 반사 표면을 포함하고, 상기 부분 반사 표면은, 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향으로 연장된 복수의 라인 형태의 제1 도전 패턴을 포함하는 제1 도전층, 상기 제2 방향에서 평면상으로 -45도 기울어진 슬릿을 형성하는 제2 도전 패턴을 포함하는 제2 도전층, 및 단위 셀에 대응하는 제3 도전 패턴, 상기 제3 도전 패턴에 상기 제1 방향으로 연결되어 있는 제1 PIN 다이오드 및 상기 제3 도전 패턴에 상기 제2 방향으로 연결되어 있는 제2 PIN 다이오드를 포함하는 제3 도전층을 한다.
Int. CL H01Q 15/24 (2015.01.01) H01Q 1/38 (2015.01.01)
CPC H01Q 15/242(2013.01) H01Q 1/38(2013.01) H01Q 1/48(2013.01)
출원번호/일자 1020210137879 (2021.10.15)
출원인 국방과학연구소
등록번호/일자 10-2336716-0000 (2021.12.02)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20211206) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.10.15)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 육종관 대전광역시 유성구
2 김동호 서울특별시 송파구
3 전영근 서울특별시 광진구
4 윤광로 서울특별시 관악구
5 김종영 경기도 화성시 병점중앙로

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2021.10.15 수리 (Accepted) 1-1-2021-1185224-00
2 [우선심사신청]심사청구서·우선심사신청서
2021.10.15 수리 (Accepted) 1-1-2021-1185319-38
3 등록결정서
Decision to grant
2021.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0932946-80
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번호 청구항
1 1
제1 방향으로 편파된 전파를 방사하는 방사체; 및상기 방사체와 일정 거리 이격되어 배치되어 상기 방사체로부터 진행되어 오는 전파를 부분적으로 투과 및 반사하는 부분 반사 표면을 포함하고,상기 부분 반사 표면은,상기 제1 방향에 수직인 제2 방향으로 연장된 복수의 라인 형태의 제1 도전 패턴을 포함하는 제1 도전층;상기 제2 방향에서 평면상으로 -45도 기울어진 슬릿을 형성하는 제2 도전 패턴을 포함하는 제2 도전층; 및단위 셀에 대응하는 제3 도전 패턴, 상기 제3 도전 패턴에 상기 제1 방향으로 연결되어 있는 제1 PIN 다이오드 및 상기 제3 도전 패턴에 상기 제2 방향으로 연결되어 있는 제2 PIN 다이오드를 포함하는 제3 도전층을 포함하는 부분 반사 표면 기반 편파 변환 고이득 안테나
2 2
제1 항에 있어서,상기 방사체는,제1 유전체 기판;상기 제1 유전체 기판 위에 배치되는 방사부;상기 제1 유전체 기판의 아래에 배치되는 접지면; 및상기 제1 유전체 기판을 관통하여 상기 방사부와 상기 접지면을 전기적으로 연결시키는 동축선을 포함하는 부분 반사 표면 기반 편파 변환 고이득 안테나
3 3
제2 항에 있어서,상기 방사부는 상기 제1 유전체 기판보다 작은 크기를 가지며 상기 제1 유전체 기판의 중앙에 배치되는 부분 반사 표면 기반 편파 변환 고이득 안테나
4 4
제1 항에 있어서,상기 제1 도전층은 상기 방사체로부터 방사되는 상기 제1 방향으로 편파된 전파만을 투과시키는 부분 반사 표면 기반 편파 변환 고이득 안테나
5 5
제4 항에 있어서,상기 방사체와 상기 제1 도전층 사이에는 상기 제1 방향으로 편파된 전파만이 존재하여 다중 반사하여 고이득 빔을 형성하는 부분 반사 표면 기반 편파 변환 고이득 안테나
6 6
제4 항에 있어서,상기 제2 도전층은 상기 제1 도전층을 투과한 전파를 상기 제1 방향으로부터 양의 방향으로 45도 방향으로 편파된 전파로 변환하여 투과시키는 부분 반사 표면 기반 편파 변환 고이득 안테나
7 7
제6 항에 있어서,상기 제2 도전층은 상기 제1 도전층을 투과한 전파를 상기 제1 방향으로부터 음의 방향으로 45도 방향으로 편파된 전파로 변환하여 반사시키는 부분 반사 표면 기반 편파 변환 고이득 안테나
8 8
제6 항에 있어서,상기 제1 PIN 다이오드는 상기 제3 도전 패턴을 상기 제1 방향으로 인접한 다른 단위 셀의 제3 도전 패턴에 전기적으로 연결시키고,상기 제2 PIN 다이오드는 상기 제3 도전 패턴을 상기 제2 방향으로 인접한 또 다른 단위 셀의 제3 도전 패턴에 전기적으로 연결시키는 부분 반사 표면 기반 편파 변환 고이득 안테나
9 9
제8 항에 있어서,상기 제1 PIN 다이오드를 온 시키면 상기 제3 도전층은 상기 제2 도전층을 투과한 전파를 상기 제2 방향으로 편파된 전파로 변환하여 투과시키는 부분 반사 표면 기반 편파 변환 고이득 안테나
10 10
제8 항에 있어서,상기 제2 PIN 다이오드를 온 시키면 상기 제3 도전층은 상기 제2 도전층을 투과한 전파를 상기 제1 방향으로 편파된 전파로 변환하여 투과시키는 부분 반사 표면 기반 편파 변환 고이득 안테나
11 11
제8 항에 있어서,상기 제1 PIN 다이오드와 상기 제2 PIN 다이오드가 모두 오프 상태인 경우, 상기 제3 도전층은 상기 제2 도전층을 투과한 전파를 상기 제1 방향으로부터 양의 방향으로 45도 방향으로 편파된 전파로 변환하여 투과시키는 부분 반사 표면 기반 편파 변환 고이득 안테나
12 12
제1 항에 있어서,상기 부분 반사 표면은,상기 제1 도전층과 상기 제2 도전층이 형성되는 제2 유전체 기판; 및상기 제3 도전층이 형성되는 제3 유전체 기판을 더 포함하는 부분 반사 표면 기반 편파 변환 고이득 안테나
13 13
제12 항에 있어서,상기 제1 도전층은 상기 방사체를 마주보는 면인 상기 제2 유전체 기판의 아랫면에 형성되고, 상기 제2 도전층은 상기 제2 유전체 기판의 윗면에 형성되고, 상기 제3 도전층은 상기 제3 유전체 기판의 윗면에 형성되는 부분 반사 표면 기반 편파 변환 고이득 안테나
14 14
제12 항에 있어서,상기 제2 유전체 기판과 상기 제3 유전체 기판은 일정 거리 이격되어 있는 부분 반사 표면 기반 편파 변환 고이득 안테나
15 15
제1 항에 있어서,상기 제3 도전 패턴이 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향으로 배열된 단위 셀 어레이 가장자리에 배치되어 상기 제1 PIN 다이오드 또는 상기 제2 PIN 다이오드의 온/오프 제어를 위한 제어 전압이 인가되는 제어 전압 버스;상기 제어 전압 버스와 상기 제3 도전 패턴 사이에 연결되어 상기 제어 전압 버스에 유도되는 교류 전류로 인한 전파의 방사를 방지하는 인덕터; 및상기 제어 전압 버스와 상기 제3 도전 패턴 사이에 연결되어 상기 제1 PIN 다이오드 또는 상기 제2 PIN 다이오드에 인가되는 전압의 크기를 조절하는 저항을 더 포함하는 부분 반사 표면 기반 편파 변환 고이득 안테나
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