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기판상에 후면 금속전극을 형성하는 단계;상기 후면 금속전극 상에 CIGS계 광흡수층을 형성하는 단계;상기 CIGS계 광흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 및상기 버퍼층 상에 전면전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 전면전극은, 보론이 도핑 된 산화아연 단일층으로 이루어진 것을 특징으로 하고,상기 전면전극은, 상기 버퍼층 상에 저압화학기상증착법(Low Pressure-Chemical Vapor Deposition)을 통해 증착되는 것을 특징으로 하는 보론 도핑 산화아연 단일층 전면전극을 포함하는 CIGS계 박막 태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 버퍼층 상에 전면전극을 형성하는 단계에서 형성되는 상기 전면전극은, 보론 도핑 전구체의 가스 유량 0
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제1항에 있어서,상기 버퍼층 상에 전면전극을 형성하는 단계에서 형성되는 상기 전면전극은, 두께 500nm 내지 3000nm로 증착되는 것을 특징으로 하는 보론 도핑 산화아연 단일층 전면전극을 포함하는 CIGS계 박막 태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 버퍼층 상에 전면전극을 형성하는 단계에서의 상기 저압화학기상증착의 조건은, 1 Torr 내지 10 Torr의 압력에서 수행되는 것을 특징으로 하는 보론 도핑 산화아연 단일층 전면전극을 포함하는 CIGS계 박막 태양전지의 제조방법
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기판;상기 기판상에 형성된 후면 금속전극;상기 후면 금속전극 상에 형성된 CIGS계 광흡수층;상기 CIGS계 광흡수층 상에 형성된 버퍼층; 및상기 버퍼층 상에 형성된, 보론이 도핑 된 산화아연 단일층으로 이루어진 전면전극;을 포함하는 CIGS계 박막 태양전지
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제5항에 있어서,상기 기판은, 소다 라임 유리(soda-lime glass), 보로실리케이트 유리(borosilicate glass) 및 무알칼리 유리(alkali free glass)를 포함하는 유리 플레이트, 석영 플레이트, 실리콘 플레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리비닐알코올, 폴리아크릴레이트, 폴리이미드 및 폴리노르보넨 및 폴리에테르설폰을 포함하는 합성수지 플레이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 CIGS계 박막 태양전지
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제5항에 있어서,상기 후면 금속전극은, 몰리브덴(Mo), 금(Au), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 구리(Cu) 및 티타늄(Ti)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 CIGS계 박막 태양전지
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제5항에 있어서,상기 CIGS계 광흡수층은 Cu-In-Ga-Se의 사원 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하고, 상기 사원 화합물은 화학식 Cu(In1-xGax)Se2(0003c#x≤1인 실수)인 화합물인 것을 특징으로 하는 CIGS계 박막 태양전지
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제5항에 있어서,상기 버퍼층은, CdS, ZnS, In2S3, CdZnS, ZnSnO 및 ZnSe로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 CIGS계 박막 태양전지
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제5항에 있어서,상기 전면전극은, 두께 500nm 내지 3000nm인 것을 특징으로 하는 CIGS계 박막 태양전지
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제5항에 있어서,상기 전면전극은, 평균표면거칠기값 20nm 내지 80nm를 갖는 것을 특징으로 하는 CIGS계 박막 태양전지
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