| [KST2017006189][한국전자통신연구원] |
전자 소자(ELECTRONICAL DEVICE) |
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| [KST2016017505][한국전자통신연구원] |
쇼트키 다이오드(SCHOTTKY DIODE) |
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| [KST2017013579][한국전자통신연구원] |
고전자 이동도 트랜지스터 및 그 제조방법(HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND FABRICATION METHOD THEREOF) |
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| [KST2017013858][한국전자통신연구원] |
반도체 소자 및 이의 제조 방법(SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME) |
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| [KST2018000096][한국전자통신연구원] |
반도체 소자 및 그의 제조 방법(A SEMICONDUCTOR DEVICE AND A METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME) |
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| [KST2015082742][한국전자통신연구원] |
반도체막의 선택적 영역 성장용 마스크 패턴 및 그를이용한 반도체막의 선택적 영역 성장 방법 |
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| [KST2017013468][한국전자통신연구원] |
반도체 소자 제조 방법(METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE) |
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| [KST2017013578][한국전자통신연구원] |
고전자 이동도 트랜지스터 및 그 제조방법(HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND FABRICATION METHOD THEREOF) |
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| [KST2017014561][한국전자통신연구원] |
쇼트키 다이오드 및 이의 제조 방법(SCHOTTKY DIODE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME) |
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| [KST2015093854][한국전자통신연구원] |
질화물 반도체 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조방법 |
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| [KST2015100661][한국전자통신연구원] |
전자의간섭성을이용한양자간섭트랜지스터 |
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| [KST2015076385][한국전자통신연구원] |
평면 매립형 반도체 구조 및 그 제조방법 |
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| [KST2015079410][한국전자통신연구원] |
어레이 구조의 분자 전자 소자 및 그 제조 방법 |
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| [KST2015096554][한국전자통신연구원] |
반도체 박막 선택 성장방법 |
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| [KST2015098627][한국전자통신연구원] |
핫 전자 장치 및 공진 터널링 핫 전자 장치 |
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| [KST2016017166][한국전자통신연구원] |
전계 효과 전력 전자 소자 및 그의 제조 방법(FIELD EFFECT POWER ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME) |
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| [KST2015081982][한국전자통신연구원] |
유기 유전박막을 구비한 분자 전자 소자 및 그 제조 방법 |
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절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 |
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반도체 장치 및 그 제작 방법(SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF) |
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전계 효과 트랜지스터(FIELD EFFECT TRANSISTOR) |
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유기 전도성 보호막을 가지는 분자 전자 소자 |
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전계효과 트랜지스터의 제조 방법 |
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III-V족화합물반도체의이차원박막성장방법 |
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| [KST2017005734][한국전자통신연구원] |
반도체 소자, 및 그 캐리어 농도 조절방법(Semiconductor device and method for controlling concentration of carrier the same) |
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| [KST2017000010][한국전자통신연구원] |
반도체 소자 및 그 제조 방법(SEMICONDUCTOR DEVICES AND THE METHOD OF FORMING THE SAME) |
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| [KST2018001031][한국전자통신연구원] |
이종접합 트랜지스터(Hetero-junction transistor) |
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| [KST2017014075][한국전자통신연구원] |
수직 핀 다이오드(VERTICAL PIN DIODE) |
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| [KST2018007067][한국전자통신연구원] |
화합물 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
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| [KST2015075933][한국전자통신연구원] |
InGa(A1)As계 고전자 이동도 트랜지스터 |
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| [KST2018005882][한국전자통신연구원] |
고주파 소자 제조 방법(METHOD OF FABRICATING HIGH FREQUENCY ELEMENT) |
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