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지지기판; 상기 지지기판 상에 형성된 절연층; 및 상기 절연층 상에 형성된 하나 이상의 서모커플을 포함하고,상기 서모커플은 상기 지지기판 상의 핫존에서 콜드존까지 연장 형성된 도전형이 다른 두 그룹의 실리콘 나노와이어; 및 상기 도전형이 다른 두 그룹의 실리콘 나노와이어를 연결하는 접점전극을 포함하는, 실리콘 나노와이어를 이용한 적외선 센서
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청구항 1에 있어서, 상기 서모커플은 상기 실리콘 나노와이어와 상기 접점전극을 연결하는 실리콘 블록을 더 포함하는, 실리콘 나노와이어를 이용한 적외선 센서
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청구항 2에 있어서, 상기 서모커플은 복수개가 직렬로 연결되어 서모파일을 형성하는, 실리콘 나노와이어를 이용한 적외선 센서
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청구항 3에 있어서, 상기 지지기판은 핫존에 해당하는 영역의 두께가 콜드존에 해당하는 영역의 두께보다 얇게 형성되며, 상기 실리콘 블럭은 핫존에 형성된 실리콘 블럭의 크기가 콜드존에 형성된 실리콘 블럭의 크기보다 작게 형성되는, 실리콘 나노와이어를 이용한 적외선 센서
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청구항 2에 있어서, 상기 실리콘 블록은 상기 실리콘 나노와이어와 일체로 형성되며,상기 실리콘 블록에서 상기 접점전극과 접하는 영역은 상기 실리콘 나노와이어보다 높은 농도로 도핑되는, 실리콘 나노와이어를 이용한 적외선 센서
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청구항 1에 있어서, 상기 서모커플은 상기 기판 상의 핫존에서 콜드존까지 연장 형성된 단일 도전형을 갖는 실리콘 나노와이어; 및 상기 지지기판 상의 핫존에서 콜드존까지 연장 형성되며, 상기 핫존에서 상기 실리콘 나노와이어에 연결되는 접점전극을 포함하며,상기 서모커플은 상기 접점전극의 일단이 상기 핫존에서 실리콘 나노와이어에 연결되고 타단이 상기 콜드존에서 다른 실리콘 나노와이어에 연결되는 방식으로 복수개가 직렬로 연결되어 서모파일을 형성하는, 실리콘 나노와이어를 이용한 적외선 센서
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청구항 3에 있어서, 상기 접점전극이 노출되도록 상기 실리콘 블록에 형성되는 컨택홀; 및 상기 컨택홀을 통해 상기 접점전극과 연결되는 컨택전극을 더 포함하는, 실리콘 나노와이어를 이용한 적외선 센서
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실리콘 기판의 일면에 핫존에서 콜드존까지 연장되는 실리콘 나노와이어를 형성하는 나노와이어 형성단계;상기 실리콘 나노와이어에 P형 또는 N형 도전형의 불순물을 도핑하고, 접점전극이 형성될 영역에 상기 실리콘 나노와이어보다 높은 농도로 불순물을 도핑하는 도핑단계;상기 실리콘 나노와이어를 연결하도록 접점전극을 형성하는 접점전극 형성단계;상기 실리콘 나노와이어와 상기 접점전극을 커버하도록 상기 실리콘 기판 상에 절연층을 형성하는 절연층 형성단계;상기 절연층 상에 지지기판의 일면을 접합하고, 상기 실리콘 기판의 타면을 박형화하는 기판 가공단계;상기 접점전극이 노출되도록 상기 실리콘 기판의 타면에 컨택홀을 형성하고, 상기 컨택홀을 통해 상기 접점전극에 연결되는 컨택전극을 상기 실리콘 기판의 타면 상에 형성하는 컨택전극 형성단계;상기 실리콘 기판의 일부를 제거하여, 상기 실리콘 나노와이어와 접점전극을 연결하는 실리콘 블록을 형성하는 실리콘 블록 형성단계; 및상기 핫존에 해당하는 상기 지지기판의 타면의 일부를 제거하여, 상기 지지기판의 멤브레인 영역을 형성하는 멤브레인 형성단계를 포함하는, 실리콘 나노와이어를 이용한 적외선 센서 제조방법
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청구항 8에 있어서, 상기 실리콘 블록 형성단계는 상기 핫존에 위치하는 실리콘 블록은 상기 콜드존에 위치하는 실리콘 블록보다 작은 크기로 형성하며, 복수의 실리콘 블록은 서로 이격되고 실리콘 나노와이어를 통해서만 연결되도록 형성하는, 실리콘 나노와이어를 이용한 적외선 센서 제조방법
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청구항 8에 있어서, 상기 도핑단계는 상기 실리콘 나노와이어와 상기 접점전극이 형성될 영역에 P형 불순물 또는 N형 불순물 중의 하나만을 도핑하며,상기 접점전극 형성단계는 일단이 상기 실리콘 나노와이어와 상기 핫존에서 연결되고, 타단이 다른 실리콘 나노와이어와 상기 콜드존에서 연결되어, 하나의 도전형의 실리콘 나노와이어와 접점전극이 서모커플을 형성하는, 실리콘 나노와이어를 이용한 적외선 센서 제조방법
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