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하기 구조식 1 을 포함하는 일차원 나노 사슬 구조체가 배열되어 형성된 이차원 나노 구조체에 있어서, 상기 일차원 나노 사슬 구조체들은 유사 공유 결합에 의해 이차원 형상으로 배열된 것인, 이차원 나노 구조체:[구조식 1]M4P2X21(구조식 1 중, M 은 Nb 또는 Ta 이고, X 는 S 또는 Se 임)
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제 1 항에 있어서, 상기 이차원 나노 구조체의 온도가 증가하면 전기 저항이 감소하는 것인, 이차원 나노 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 이차원 나노 구조체는 NO2, N2O, NO, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 가스와 반응하여 전기 저항이 감소하는 것인, 이차원 나노 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 이차원 나노 구조체는 0
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제 1 항에 있어서,상기 일차원 나노 사슬 구조체는 단결정 구조를 가지는 것인, 이차원 나노 구조체
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제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 따른 이차원 나노 구조체가 적층되어 형성된, 이차원 나노 구조 적층체
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소스 전극, 드레인 전극 및 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 연결하는 채널층을 포함하는 전자 소자에 있어서, 상기 채널층은 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 따른 이차원 나노 구조체를 포함하는 것인,전자 소자
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금속 전구체, 인(P) 전구체, 및 칼코겐 전구체를 혼합하고 열처리하여 이차원 나노 구조 적층체를 제조하는 단계; 및상기 이차원 나노 구조 적층체로부터 단층의 이차원 나노 구조체를 박리하는 단계;를 포함하고,상기 이차원 나노 구조체는 하기 구조식 1 을 포함하는 일차원 나노 사슬 구조체가 배열되어 형성된 것인,이차원 나노 구조체의 제조 방법:[구조식 1]M4P2X21(구조식 1 중, M 은 Nb 또는 Ta 이고, X 는 S 또는 Se 임)
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제 8 항에 있어서,상기 이차원 나노 구조 적층체를 제조하는 단계는 600℃ 내지 800℃ 에서 이루어지는 것인, 이차원 나노 구조체의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 금속 전구체, 상기 인 전구체, 및 상기 칼코겐 전구체는, 4 : 2 : 21 내지 4 : 2 : 25 의 몰 비율로 혼합된 것인, 이차원 나노 구조체의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 이차원 나노 구조체를 제조하는 단계는 기계적 박리, 층간 물질 삽입, 초음파 공정, 전기 화학적 박리, 습식 화학 박리, 환원 박리, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 공정에 의한 것인, 이차원 나노 구조체의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 기계적 박리는 접착성 폴리머 상에 상기 이차원 나노 구조 적층체를 접착시키는 단계; 상기 접착성 폴리머의 상기 이차원 나노 구조 적층체가 접착된 면을 기판 상에 접착시키는 단계; 및 상기 접착성 폴리머를 제거하는 단계에 의해 수행되는 것인, 이차원 나노 구조체의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 기판은 실리콘, 실리콘 카바이드, 게르마늄, 실리콘 게르마늄, 실리콘 탄화물, InAs, AlAs, GaAs, InP, GaN, InGaAs, InAlAs, GaSb, AlSb, AlP, GaP, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함하는 것인, 이차원 나노 구조체의 제조 방법
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