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제1전극;상기 제1전극 상에 위치하고, 양자점을 포함하는 양자점 발광층;상기 양자점 발광층 상에 위치하는 제2전극;상기 제2전극 상에 위치하는 절연층; 및상기 절연층 상에 위치하는 자기구조층; 을 포함하고,상기 자기구조층은 패턴 구조를 갖고,상기 패턴 구조는 원형, 타원형, 직선형, 곡선형, 다각형, 격자형, 스트라이프(stripe)형, 메쉬(mesh)형, 그리드(grid)형 및 이들의 혼합형 중에서 선택되는 하나 이상의 형태인 것을 특징으로 하는 양자점 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 양자점 발광층의 양자점은 코어-쉘 구조인 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 양자점 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 절연층은 금속산화물, 금속질화물, 금속불화물 및 금속황화물 중에 선택되는 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 자기구조층은 비자성물질을 포함하는 비자성층과 자성물질을 포함하는 자성층이 교대로 형성된 다중층 또는 비자성물질과 자성물질의 혼합층인 것을 특징으로 하는 양자점 발광 다이오드
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제4항에 있어서,상기 비자성물질은 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 로듐(Rh), 탄탈륨(Ta), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti) 또는 이들의 합금물질인 것을 특징으로 하는 양자점 발광 다이오드
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제4항에 있어서,상기 자성물질은 코발트(Co), 철(Fe), 니켈(Ni), 가돌리뮴(Gd), 디스프로슘(Dy), 네오디뮴(Nd) 또는 이들의 합금물질인 것을 특징으로 하는 양자점 발광 다이오드
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제1전극을 형성하는 단계;상기 제1전극 상에 양자점 발광층을 형성하는 단계;상기 양자점 발광층 상에 제2전극을 형성하는 단계;상기 제2전극 상에 절연층을 형성하는 단계; 및상기 절연층 상에 자기구조층를 형성하는 단계; 를 포함하고,상기 자기구조층을 형성하는 단계는,전자빔(e-beam) 증착법, 스퍼터링(sputtering) 증착법, 액적 주조(droplet casting)법, 스핀코팅(spin coating)법 또는 패터닝공정 중 어느 하나로 수행되고,상기 패터닝 공정은 섀도우 마스크(shadow mask) 공정 또는 리소그래피(lithography) 공정에 의해 패턴을 갖는 자기구조층을 형성하고,상기 패턴은 타원형, 직선형, 곡선형, 다각형, 격자형, 스트라이프(stripe)형, 메쉬(mesh)형, 그리드(grid)형 및 이들의 혼합형 중에서 선택되는 하나 이상의 형태인 것을 특징으로 하는 양자점 발광 다이오드 제조방법
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