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기판;상기 기판 상에 배치된 단층 또는 복층의 찰코파이라이트 화합물 층; 및상기 찰코파이라이트 화합물 층의 적어도 일부에 혼입된 은 원소;을 포함하는 찰코파이라이트 화합물계 박막
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제1항에 있어서, 상기 은 원소의 함량은, 상기 은 원소가 혼입된 찰코파이라이트 화합물 층의 총 중량을 기준으로 0
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3
제1항에 있어서, 상기 은 원소는 상기 찰코파이라이트 화합물 층 내부에 균일하게 혼입되거나, 또는 상기 찰코파이라이트 화합물 층의 일부 영역 또는 가운데 일부층에 선택적으로 혼입된 상태인 찰코파이라이트 화합물계 박막
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4 |
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제1항에 있어서, 상기 은 원소가 혼입된 찰코파이라이트 화합물 층은, 제1 금속 산화물 층; 및 상기 제1 금속 산화물 층 상에 형성된 은 원소가 포함된 제2 금속 산화물 층;을 포함하는 찰코파이라이트 화합물계 박막
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제4항에 있어서, 상기 제1 금속 산화물 층은 1층 내지 20층의 단층 또는 다층 구조를 갖는 찰코파이라이트 화합물계 박막
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제4항에 있어서, 상기 은 원소가 포함된 제2 금속 산화물 층은 1층 내지 20층의 단층 또는 다층 구조를 갖는 찰코파이라이트 화합물계 박막
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7
제4항에 있어서, 상기 은 원소가 포함된 제2 금속 산화물 층 상에 은 원소가 함유되지 않는 제3 금속 산화물 층을 더 포함하는 찰코파이라이트 화합물계 박막
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8
제4항에 있어서, 상기 은 원소가 포함된 제2 금속 산화물 층의 내부에 은 원소가 함유되지 않는 제4 금속 산화물 층을 더 포함하는 찰코파이라이트 화합물계 박막
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9
제1항에 있어서, 상기 찰코파이라이트 화합물 층은 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ 족 원소로 구성된 찰코파이라이트 결정 구조를 갖는 무기 화합물을 포함하는 찰코파이라이트 화합물계 박막
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10
제9항에 있어서, 상기 무기 화합물은 구리인듐셀렌(CISe)계, 구리인듐갈륨셀렌(CIGSe)계, 구리인듐황(CIS)계, 구리인듐갈륨황(CIGS)계 및 구리인듐갈륨황셀렌계 (CIGSSe) 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 찰코파이라이트 화합물계 박막
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11
제1항에 있어서, 상기 기판은 인듐주석산화물, 불소-도핑된 인듐주석산화물, 유리, 몰르브덴(Mo) 코팅된 유리, 금속 포일, 금속 판, 및 전도성 고분자 물질 중 1종 혹은 2종 이상을 포함하는 것인 찰코파이라이트 화합물계 박막
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12
제1항에 있어서, 상기 은 원소가 혼입된 찰코파이라이트 화합물 층의 결정립 크기가 0
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13
제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 따른 찰코파이라이트 화합물계 박막을 포함하는 태양전지
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기판 상에 은 전구체를 포함하는 찰코파이라이트계 금속 전구체 페이스트를 도포하고 열처리하여 은 원소가 혼입된 찰코파이라이트 화합물 층을 형성하는 단계;를 포함하는 찰코파이라이트 화합물계 박막의 제조방법
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제14항에 있어서, 상기 은 원소가 혼입된 찰코파이라이트 화합물 층을 형성하는 단계는,상기 기판 상에 제1 금속 전구체 페이스트를 도포하고 열처리하여 제1 금속 산화물 층을 형성하는 단계;상기 금속 산화물 층 상에 은 전구체를 포함하는 제2 금속 전구체 페이스트를 도포하고 열처리하여 은 원소가 포함된 제2 금속 산화물 층을 형성하는 단계; 및상기 제1 금속 산화물 층 및 상기 은 원소가 포함된 제2 금속 산화물 층의 적층체를 기상의 황 전구체, 셀레늄 전구체 또는 이들의 혼합 분위기 하에서 열처리하는 단계;를 포함하는 찰코파이라이트 화합물계 박막의 제조방법
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제15항에 있어서, 상기 제1 금속 전구체 페이스트 및 상기 제2 금속 전구체 페이스트는 각각 독립적으로 금속 전구체, 유기물 바인더 및 용매를 포함하는 찰코파이라이트 화합물계 박막의 제조방법
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제15항에 있어서, 상기 제1 금속 전구체 페이스트의 도포 및 열처리가 1회 내지 20회 수행되고, 상기 제2 금속 전구체 페이스트의 도포 및 열처리가 1회 내지 20회 수행되는 찰코파이라이트 화합물계 박막의 제조방법
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제14항에 있어서,상기 은 전구체는, 은 원소의 플루오라이드, 클로라이드, 브로마이드, 아이오다이드, 나이트레이트, 퍼클로레이트, 카보네이트 및 설페이트 화합물 중 1종 이상을 포함하는 찰코파이라이트 화합물계 박막의 제조방법
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제14항에 있어서, 상기 도포는 프린팅, 스핀코팅, 롤투롤 코팅, 슬랏 다이 코팅, 바코팅 및 스프레이 코팅 중 1종 또는 2종 이상의 방법으로 수행되는 찰코파이라이트 화합물계 박막의 제조방법
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제14항에 있어서, 상기 열처리는 250∼350 ℃ 범위의 온도에서 수행되는 찰코파이라이트 화합물계 박막의 제조방법
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