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은 원소가 혼입된 찰코파이라이트 화합물계 박막 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2022002681
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 은 원소가 혼입된 찰코파이라이트 화합물계 박막 및 그 제조 방법이 제공된다. 상기 은 원소가 혼입된 찰코파이라이트 화합물계 박막은 은 원소의 도입으로 우수한 찰코파이라이트 결정립의 크기가 증대될 수 있다. 이에 의해 태양전지의 성능을 개선시킬 수 있다. 상기 찰코파이라이트 화합물계 박막은 용액 공정을 통해 용이하게 제조될 수 있다.
Int. CL H01L 31/0749 (2012.01.01) H01L 31/0392 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 31/0216 (2014.01.01) H01L 31/042 (2014.01.01) H01L 31/032 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01)
CPC H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/18(2013.01) H01L 31/02167(2013.01) H01L 31/042(2013.01) H01L 31/0322(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/022466(2013.01)
출원번호/일자 1020200112551 (2020.09.03)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0030784 (2022.03.11) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.09.03)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 민병권 서울특별시 성북구
2 김병우 서울특별시 성북구
3 황윤정 서울특별시 성북구
4 오형석 서울특별시 성북구
5 이웅 서울특별시 성북구
6 이동기 서울특별시 성북구
7 원다혜 서울특별시 성북구
8 고재현 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.09.03 수리 (Accepted) 1-1-2020-0934999-54
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2021.10.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
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번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 배치된 단층 또는 복층의 찰코파이라이트 화합물 층; 및상기 찰코파이라이트 화합물 층의 적어도 일부에 혼입된 은 원소;을 포함하는 찰코파이라이트 화합물계 박막
2 2
제1항에 있어서, 상기 은 원소의 함량은, 상기 은 원소가 혼입된 찰코파이라이트 화합물 층의 총 중량을 기준으로 0
3 3
제1항에 있어서, 상기 은 원소는 상기 찰코파이라이트 화합물 층 내부에 균일하게 혼입되거나, 또는 상기 찰코파이라이트 화합물 층의 일부 영역 또는 가운데 일부층에 선택적으로 혼입된 상태인 찰코파이라이트 화합물계 박막
4 4
제1항에 있어서, 상기 은 원소가 혼입된 찰코파이라이트 화합물 층은, 제1 금속 산화물 층; 및 상기 제1 금속 산화물 층 상에 형성된 은 원소가 포함된 제2 금속 산화물 층;을 포함하는 찰코파이라이트 화합물계 박막
5 5
제4항에 있어서, 상기 제1 금속 산화물 층은 1층 내지 20층의 단층 또는 다층 구조를 갖는 찰코파이라이트 화합물계 박막
6 6
제4항에 있어서, 상기 은 원소가 포함된 제2 금속 산화물 층은 1층 내지 20층의 단층 또는 다층 구조를 갖는 찰코파이라이트 화합물계 박막
7 7
제4항에 있어서, 상기 은 원소가 포함된 제2 금속 산화물 층 상에 은 원소가 함유되지 않는 제3 금속 산화물 층을 더 포함하는 찰코파이라이트 화합물계 박막
8 8
제4항에 있어서, 상기 은 원소가 포함된 제2 금속 산화물 층의 내부에 은 원소가 함유되지 않는 제4 금속 산화물 층을 더 포함하는 찰코파이라이트 화합물계 박막
9 9
제1항에 있어서, 상기 찰코파이라이트 화합물 층은 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ 족 원소로 구성된 찰코파이라이트 결정 구조를 갖는 무기 화합물을 포함하는 찰코파이라이트 화합물계 박막
10 10
제9항에 있어서, 상기 무기 화합물은 구리인듐셀렌(CISe)계, 구리인듐갈륨셀렌(CIGSe)계, 구리인듐황(CIS)계, 구리인듐갈륨황(CIGS)계 및 구리인듐갈륨황셀렌계 (CIGSSe) 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 찰코파이라이트 화합물계 박막
11 11
제1항에 있어서, 상기 기판은 인듐주석산화물, 불소-도핑된 인듐주석산화물, 유리, 몰르브덴(Mo) 코팅된 유리, 금속 포일, 금속 판, 및 전도성 고분자 물질 중 1종 혹은 2종 이상을 포함하는 것인 찰코파이라이트 화합물계 박막
12 12
제1항에 있어서, 상기 은 원소가 혼입된 찰코파이라이트 화합물 층의 결정립 크기가 0
13 13
제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 따른 찰코파이라이트 화합물계 박막을 포함하는 태양전지
14 14
기판 상에 은 전구체를 포함하는 찰코파이라이트계 금속 전구체 페이스트를 도포하고 열처리하여 은 원소가 혼입된 찰코파이라이트 화합물 층을 형성하는 단계;를 포함하는 찰코파이라이트 화합물계 박막의 제조방법
15 15
제14항에 있어서, 상기 은 원소가 혼입된 찰코파이라이트 화합물 층을 형성하는 단계는,상기 기판 상에 제1 금속 전구체 페이스트를 도포하고 열처리하여 제1 금속 산화물 층을 형성하는 단계;상기 금속 산화물 층 상에 은 전구체를 포함하는 제2 금속 전구체 페이스트를 도포하고 열처리하여 은 원소가 포함된 제2 금속 산화물 층을 형성하는 단계; 및상기 제1 금속 산화물 층 및 상기 은 원소가 포함된 제2 금속 산화물 층의 적층체를 기상의 황 전구체, 셀레늄 전구체 또는 이들의 혼합 분위기 하에서 열처리하는 단계;를 포함하는 찰코파이라이트 화합물계 박막의 제조방법
16 16
제15항에 있어서, 상기 제1 금속 전구체 페이스트 및 상기 제2 금속 전구체 페이스트는 각각 독립적으로 금속 전구체, 유기물 바인더 및 용매를 포함하는 찰코파이라이트 화합물계 박막의 제조방법
17 17
제15항에 있어서, 상기 제1 금속 전구체 페이스트의 도포 및 열처리가 1회 내지 20회 수행되고, 상기 제2 금속 전구체 페이스트의 도포 및 열처리가 1회 내지 20회 수행되는 찰코파이라이트 화합물계 박막의 제조방법
18 18
제14항에 있어서,상기 은 전구체는, 은 원소의 플루오라이드, 클로라이드, 브로마이드, 아이오다이드, 나이트레이트, 퍼클로레이트, 카보네이트 및 설페이트 화합물 중 1종 이상을 포함하는 찰코파이라이트 화합물계 박막의 제조방법
19 19
제14항에 있어서, 상기 도포는 프린팅, 스핀코팅, 롤투롤 코팅, 슬랏 다이 코팅, 바코팅 및 스프레이 코팅 중 1종 또는 2종 이상의 방법으로 수행되는 찰코파이라이트 화합물계 박막의 제조방법
20 20
제14항에 있어서, 상기 열처리는 250∼350 ℃ 범위의 온도에서 수행되는 찰코파이라이트 화합물계 박막의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국과학기술연구원 에너지기술개발사업(신재생에너지융합원천기술개발) 나노패턴 후면전극 및 용액공정 기반 1 마이크로미터 이하 초박막 CIGS를 이용한 효율 20%급 박막 태양전지 개발