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금속 산화물을 포함하는 세라믹 트랜듀서용 소결체를 준비하는 단계;상기 세라믹 트랜듀서용 소결체의 표면에 레이저를 조사하여 패터닝을 수행하는 단계; 및상기 패터닝이 형성된 세라믹 트랜듀서용 소결체에 대하여 무전해 도금 공정을 수행하여 금속 전극을 형성하는 단계를 포함하되,상기 세라믹 트랜듀서용 소결체의 표면에 레이저를 조사하여 패터닝을 수행하는 단계는,소정의 파워 조건 및 가공 속도 조건 중 적어도 하나의 조건을 만족하는 상기 레이저를 조사하여 패터닝을 수행하는 것인,세라믹 트랜듀서 전자 부품에서의 전극 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 세라믹 트랜듀서용 소결체는 PZT-PZN 압전 세라믹 조성물에 기반한 세라믹 트랜듀서용 소결체인 것인, 세라믹 트랜듀서 전자 부품에서의 전극 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 세라믹 트랜듀서용 소결체의 표면에 레이저를 조사하여 패터닝을 수행하는 단계는,상기 소정의 가공 속도 조건으로 400nm 이하의 가공 속도 조건을 만족하는 상기 레이저를 조사하여 패터닝을 수행하는 것인,세라믹 트랜듀서 전자 부품에서의 전극 형성 방법
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제3항에 있어서,상기 세라믹 트랜듀서용 소결체의 표면에 레이저를 조사하여 패터닝을 수행하는 단계는,상기 소정의 가공 속도 조건을 만족하는 범위에서의 레이저의 가공 속도를 감소시켜 상기 패터닝된 영역의 평균 조도값이 2 마이크로미터 이상 그리고 5 마이크로미터 미만이 되도록 상기 레이저의 가공 속도를 감소시키는 것인,세라믹 트랜듀서 전자 부품에서의 전극 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 세라믹 트랜듀서용 소결체의 표면에 레이저를 조사하여 패터닝을 수행하는 단계는,상기 소정의 파워 조건으로 10watt 이상의 파워 조건을 만족하는 상기 레이저를 조사하여 패터닝을 수행하는 것인,세라믹 트랜듀서 전자 부품에서의 전극 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 세라믹 트랜듀서용 소결체의 표면에 레이저를 조사하여 패터닝을 수행하는 단계는,1064nm의 파장 조건, 20-200ns의 펄스 폭 조건 및 20-60kHz의 주파수 조건을 만족하는 레이저를 조사하여 패터닝을 수행하는 것인,세라믹 트랜듀서 전자 부품에서의 전극 형성 방법
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금속 산화물을 포함하는 세라믹 트랜듀서용 소결체와, 금속 도금 처리되지 않은 상기 세라믹 트랜듀서용 소결체의 표면에 형성된 금속 전극 영역을 포함하는 세라믹 트랜듀서 전자 부품으로서,상기 금속 전극 영역은 소정의 파워 조건 및 가공 조건 속도 중 적어도 하나의 조건을 만족하는 레이저를 조사하여 형성된 패터닝에 대하여 무전해 도금 공정을 수행하여 형성되는 것을 특징으로 하는,금속 전극 영역을 포함하는 세라믹 트랜듀서 전자 부품
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제7항에 있어서,상기 패터닝은 상기 소정의 가공 속도 조건으로 400nm 이하의 가공 속도 조건을 만족하는 상기 레이저를 조사하여 형성되는 것인,금속 전극 영역을 포함하는 세라믹 트랜듀서 전자 부품
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제8항에 있어서,상기 패터닝된 영역은 상기 소정의 가공 속도 조건을 만족하는 범위에서의 레이저의 가공 속도를 감소시킴에 따라, 2 마이크로미터 이상 그리고 5 마이크로미터 미만의 평균 조도값을 갖는 것을 특징으로 하는,금속 전극 영역을 포함하는 세라믹 트랜듀서 전자 부품
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제7항에 있어서,상기 패터닝은 상기 소정의 파워 조건으로 10watt 이상의 파워 조건을 만족하는 상기 레이저를 조사하여 형성되는 것인,금속 전극 영역을 포함하는 세라믹 트랜듀서 전자 부품
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