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기판 상에 전극을 형성하는 단계;상기 전극 상에 산화주석 나노와이어를 형성하는 단계;상기 산화주석 나노와이어 상에 산화바나듐층을 증착시키는 단계; 및상기 산화바나듐층이 증착된 산화주석 나노와이어를 열처리하여, 상기 산화바나듐층을 아일랜드 형태로 변화시켜서 상기 산화주석 나노와이어 상에 산화바나듐 아일랜드를 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 NO2 가스센서 제조방법
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제1항에 있어서,상기 산화주석 나노와이어를 형성하는 단계는 VLS(vapor-liquid-solid) 성장법, 화학기상증착법(chemical vapor deposition, CVD), 분자선 에피텍시법(molecular beamepitaxy, MBE) 또는 식각(etching)공정에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 NO2 가스센서 제조방법
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제1항에 있어서,상기 산화바나듐층을 증착시키는 단계는 원자층 증착법(atomic layer deposition, ALD)에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 NO2 가스센서 제조방법
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제3항에 있어서,상기 산화바나듐층을 증착시키는 단계는,산화바나듐 전구체 가스를 공급하여 산화바나듐 전구체를 산화주석 나노와이어 상에 화학흡착시키는 단계;화학 흡착되지 않은 산화바나듐 전구체 가스를 퍼지하는 단계;상기 화학 흡착된 산화바나듐 전구체와 반응하여 산화바나듐층을 형성하는 반응물 가스를 공급하여 산화바나듐 전구체와 반응시키는 단계; 및산화바나듐 전구체와 반응하지 않은 반응물 가스를 퍼지하는 단계; 를 포함하고, 상기 산화바나듐층을 증착시키는 각 단계를 25회 내지 100회 반복 수행하는 것을 특징으로 하는 NO2 가스센서 제조방법
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제4항에 있어서,상기 산화바나듐 전구체 가스는 VTIP(Vanadium(V) oxytriisopropoxide)인 것을 특징으로 하는 NO2 가스센서 제조방법
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제4항에 있어서,상기 반응물 가스는 물(H2O)인 것을 특징으로 하는 NO2 가스센서 제조방법
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제1항에 있어서,상기 산화바나듐 아일랜드를 형성하는 단계에서, 상기 열처리는 500℃ 이상의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 NO2 가스센서 제조방법
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제1항에 있어서,상기 산화바나듐 아일랜드는 상기 산화주석 나노와이어 표면에 서로 이격되어 불규칙적으로 분산되어 형성된 불연속적인 산화바나듐 결정 물질인 것을 특징으로 하는 NO2 가스센서 제조방법
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제1항에 있어서,상기 산화바나듐 아일랜드 및 상기 산화주석 나노와이어의 접합계면의 에너지 밴드 차이로 인해 상기 산화주석 나노와이어의 전자가 상기 산화바나듐 아일랜드로 이동하여 상기 산화주석 나노와이어와 상기 산화바나듐 아일랜드의 접촉영역에 전자 공핍층이 생성되어 가스 감지 감도가 향상하는 것을 특징으로 하는 NO2 가스센서 제조방법
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제1항에 있어서,감지 가능한 NO2의 농도는 공기 대비 20ppb 이상인 것을 특징으로 하는 NO2 가스센서 제조방법
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제1항의 NO2 가스센서 제조방법에 의해 제조된 NO2 가스센서
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