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캔틸레버, 상기 캔틸레버의 끝 부분에 부착된 팁, 및 상기 팁의 외부를 감싸도록 적층 형성된 고유전율 박막으로 구현된 탐침;상기 컨틸레버의 끝에 레이저 빔을 조사한 후, 반사되는 레이저 빔의 각도 변화를 측정 및 분석하여 탐침 높이 제어값을 산출하는 피드백 시스템;상기 팁과 시료 사이에 직류 전압을 인가 및 가변시키면서, 상기 시료의 표면에 형성되는 정전용량의 절대값을 측정하는 LCR 미터기; 및 상기 탐침을 좌후, 전후로 이동시키면서 각 지점에서의 탐침 높이 제어값을 수집 및 분석하여 시료 지형 영상을 획득함과 동시에 상기 LCR 미터기를 통해 획득되는 인가 전압에 따른 정전용량 변화치(C-V)를 수집 및 분석하여, 시료내 영역별 반도체의 타입과 도핑 농도를 추가 계산하는 프로세서를 포함하는 정전용량 절대값 측정을 지원하는 주사 정전용량 현미경
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제1항에 있어서, 상기 프로세서는 인가 전압에 비례하여 정전용량 측정치가 증가하는 경우에는, 측정 대상 지점의 반도체가 n 타입이라고 판단하고, 인가 전압에 비례하여 정전용량 측정치가 감소하는 경우에는, 측정 대상 지점의 반도체가 p 타입이라고 판단하는 것을 특징으로 하는 정전용량 절대값 측정을 지원하는 주사 정전용량 현미경
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제1항에 있어서, 상기 프로세서는 반도체가 축적 영역으로 구동될 때의 시료 표면의 정전용량을 산화막 정전용량(Cox)으로 획득하고, 반전 영역으로 구동될 때의 시료 표면의 정전용량(C)을 시료 정전용량으로 획득한 후, ""의 식에 따라 반도체 정전용량(Cs)을 계산하는 것을 특징으로 하는 정전용량 절대값 측정을 지원하는 주사 정전용량 현미경
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제3항에 있어서, 상기 프로세서는 상기 반도체 정전용량(Cs)에 대응되는 공핍 영역의 폭(WT)을 ""의 식에 따라 산출하는 것을 특징으로 하는 정전용량 절대값 측정을 지원하는 주사 정전용량 현미경
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제4항에 있어서, 상기 프로세서는 상기 공핍 영역의 폭(WT)에 대응되는 반도체의 도핑 농도(NA)를 ""의 식에 따라 산출하는 것을 특징으로 하는 정전용량 절대값 측정을 지원하는 주사 정전용량 현미경
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