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스트레스가 인가된 테스트용 반도체에 대해 측정된 수명에 기초하여 와이블 분포식을 생성하는 단계;상기 와이블 분포식에 기초하여 초기 불량을 검출하기 위한 가속 실험 조건을 획득하는 단계; 및상기 가속 실험 조건에 따른 스트레스를 반도체 소자에 인가하는 단계를 포함하는, 반도체 초기 불량 테스트 방법
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제1항에 있어서,상기 생성하는 단계는,스트레스가 인가된 복수의 테스트용 반도체에 대해 측정된 수명 데이터를 수신하는 단계;온도 및 전압 조건이 변경된 스트레스가 인가된 테스트용 반도체에 대해 측정된 수명 데이터를 수신하는 단계;수신한 수명 데이터들 및 상기 수명 데이터들에 대응하는 스트레스 조건에 기초하여 상기 와이블 분포식을 생성하는 단계를 포함하는, 반도체 초기 불량 검출 방법
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제1항에 있어서,상기 획득하는 단계는,상기 와이블 분포식에 사용자에 의해 초기 불량으로 정의된 반도체 소자의 수명을 입력하는 단계를 포함하는, 반도체 초기 불량 검출 방법
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제1항에 있어서,상기 획득하는 단계는,상기 와이블 분포식에 사용자가 입력한 상기 반도체 소자의 동작 시나리오를 수명을 적용하는 단계를 포함하는, 반도체 초기 불량 검출 방법
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제1항에 있어서,상기 스트레스는상기 반도체 소자에 인가되는 온도 및 전압 조건인, 반도체 초기 불량 검출 방법
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제1항에 있어서,상기 스트레스가 인가된 반도체 소자가 정상 동작하는 경우 상기 반도체 소자의 출하를 결정하는 단계를 더 포함하는, 반도체 초기 불량 검출 방법
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7
하드웨어와 결합되어 제1항 내지 제6항 중 어느 하나의 항의 방법을 실행시키기 위하여 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 저장된 컴퓨터 프로그램
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8
인스트럭션들을 포함하는 메모리; 및상기 인스트럭션들을 실행하기 위한 프로세서를 포함하고,상기 프로세서에 의해 상기 인스트럭션들이 실행될 때, 상기 프로세서는,스트레스가 인가된 테스트용 반도체에 대해 측정된 수명에 기초하여 와이블 분포식을 생성하고,상기 와이블 분포식에 기초하여 사용자에 의해 정의된 초기 불량 검출하기 위한 가속 실험 조건을 획득하고,상기 가속 실험 조건에 따른 스트레스를 반도체 소자에 인가하는, 반도체 초기 불량 검출 장치
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제8항에 있어서,상기 프로세서는,스트레스가 인가된 복수의 테스트용 반도체에 대해 측정된 수명 데이터를 수신하고,온도 및 전압 조건이 변경된 스트레스가 인가된 테스트용 반도체에 대해 측정된 수명 데이터를 수신하고,수신한 수명 데이터들 및 상기 수명 데이터들에 대응하는 스트레스 조건에 기초하여 상기 와이블 분포식을 생성하는, 반도체 초기 불량 검출 장치
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제8항에 있어서,상기 프로세서는,상기 와이블 분포식에 사용자에 의해 초기 불량으로 정의된 반도체 소자의 수명을 입력하는, 반도체 초기 불량 검출 장치
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제8항에 있어서,상기 프로세서는,상기 와이블 분포식에 사용자가 입력한 상기 반도체 소자의 동작 시나리오를 수명을 적용하는, 반도체 초기 불량 검출 장치
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제8항에 있어서,상기 스트레스는,상기 반도체 소자에 인가되는 온도 및 전압 조건인, 반도체 초기 불량 검출 장치
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제8항에 있어서,상기 프로세서는,상기 스트레스가 인가된 반도체 소자가 정상 동작하는 경우 상기 반도체 소자의 출하를 결정하는, 반도체 초기 불량 검출 장치
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제8항에 있어서,반도체 소자에 스트레스를 인가하여 수명을 측정하는 검사기를 더 포함하는, 반도체 초기 불량 검출 장치
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