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고온 환경에서 이용 가능한 전파 흡수체 제조 방법에 있어서,상기 전파 흡수체에 대한 설계 전자기 파라미터를 입력받는 입력 단계;상기 설계 전자기 파라미터에 기초하여, 섬유를 전처리하고 기지를 투입하여 중간 생성물을 제조하는 중간 생성물 제조 단계;상기 제조된 중간 생성물의 실제 두께에 대응하여, 상기 설계 전자기 파라미터를 재설계하는 단계; 및상기 재설계된 설계 전자기 파라미터에 기초하여, 상기 중간 생성물을 열산화시키는 후처리 공정 단계를 포함하는 전파 흡수체 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 설계 전자기 파라미터는,설계 두께 및 설계 유전율을 포함하는 전파 흡수체 제조 방법
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제 2 항에 있어서,상기 후처리 공정 단계 이후에, 실제 전자기 파라미터가 허용 범위 내에 있는지 확인하는 단계를 더 포함하고,실제 유전율이 상기 허용 범위 내가 될 때까지, 상기 후처리 공정 단계 및 상기 확인하는 단계를 반복하여 수행하는 것을 특징으로 하는 전파 흡수체 제조 방법
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제 3 항에 있어서,상기 후처리 공정 단계가 반복하여 수행될 경우, 이전 차수에 진행한 후처리 공정에 비하여, 다음 차수에 진행한 후처리 공정의 시간을 짧게 하거나, 및/또는 온도를 낮게 설정함으로써, 상기 후처리 공정 단계가 반복될수록 상기 전파 흡수체의 유전율의 감소율이 줄어들게 하는 것을 특징으로 하는 전파 흡수체 제조 방법
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제 2 항에 있어서,상기 중간 생성물 제조 단계는,섬유에 전자기파 손실 특성을 갖도록 전처리하여 제 1 중간 생성물을 제조하는 전처리 공정 단계; 및상기 제 1 중간 생성물에 기지를 투입하여 제 2 중간 생성물을 제조하는 패브리케이션 공정 단계를 포함하는 전파 흡수체 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 전처리 공정 단계는,상기 섬유에 손실 재료를 투입하는 탄소화 공정 단계; 및상기 섬유를 적층하는 단계를 포함하는 전파 흡수체 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 패브리케이션 공정 단계는,상기 기지에 전자기 손실 특성을 부여하는 것을 특징으로 하는 전파 흡수체 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 후처리 공정 단계는, 상기 패브리케이션 공정 단계의 수행 온도보다 낮은 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 전파 흡수체 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 패브리케이션 공정 단계는, 제 1 온도 범위에서 수행되고,상기 후처리 공정 단계는,상기 제 1 온도 범위에서 최저 온도의 85% 이상 95% 이하인 제 2 온도 범위의 조건에서 수행되는 것을 특징으로 하는 전파 흡수체 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 제 1 온도 범위는,800°C 이상 1500°C 이하이고, 상기 제 2 온도 범위는,700°C 이상 1400°C 이하인 것을 특징으로 하는 전파 흡수체 제조 방법
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제 2 항에 있어서,상기 재설계하는 단계는,상기 중간 생성물의 실제 전자기 파라미터를 측정하고, 상기 실제 전자기 파라미터를 기준으로 상기 설계 전자기 파라미터를 재설계하고,상기 재설계된 재설계 유전율 및 실제 유전율을 비교하여, 상기 실제 유전율이 더 작을 때, 수행을 중단하는 것을 특징으로 하는 전파 흡수체 제조 방법
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섬유에 전자기파 손실 특성을 부여하는 탄화 공정 과정 및 기지를 투입하는 과정을 거친 결과물에 대하여, 두께 및 전자기 물성을 측정하고, 설계 수치와 부합하는 물리적 특성을 갖도록 반복하여 열산화 공정을 거치는, 고온 환경에서 이용 가능한 전파 흡수체 제조 방법
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제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 기재된 제조 방법으로 제조되는 전파 흡수체; 및상기 전파 흡수체의 배면에 접지층을 포함하는 전파 흡수 복합체
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제 13 항에 있어서,상기 전파 흡수체 및 상기 접지층 사이에 열을 차단하는 단열층을 더 포함하는 전파 흡수 복합체
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