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페로브스카이트 태양전지 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2022002846
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 따른 페로브스카이트 태양전지는 기판; 상기 기판 상에 제공되는 하부 투명 전극; 상기 하부 투명 전극 상에 제공되는 상부 투명 전극; 및 상기 하부 투명 전극 및 상기 상부 투명 전극 사이에 개재되는 광 흡수층을 포함하되, 상기 광 흡수층은 페로브스카이트 물질을 포함하고, 상기 하부 투명 전극 및 상기 상부 투명 전극 중 적어도 하나는 순차로 적층된 제1 컬러 구현층, 중간층 및 제2 컬러 구현층을 포함하되, 상기 제1 컬러 구현층 및 상기 제2 컬러 구현층은 도핑된 불순물을 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/04 (2014.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020200171082 (2020.12.09)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0032446 (2022.03.15) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020200113712   |   2020.09.07
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.07.30)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김가영 대전광역시 유성구
2 임정욱 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2020-1333856-83
2 [심사청구]심사청구서·우선심사신청서
2021.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2021-0882662-65
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번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 제공되는 하부 투명 전극;상기 하부 투명 전극 상에 제공되는 상부 투명 전극; 및상기 하부 투명 전극 및 상기 상부 투명 전극 사이에 개재되는 광 흡수층을 포함하되,상기 광 흡수층은 페로브스카이트 물질을 포함하고,상기 하부 투명 전극 및 상기 상부 투명 전극 중 적어도 하나는 순차로 적층된 제1 컬러 구현층, 중간층 및 제2 컬러 구현층을 포함하되,상기 제1 컬러 구현층 및 상기 제2 컬러 구현층은 도펀트를 포함하는 금속 산화물층인 페로브스카이트 태양전지
2 2
제1 항에 있어서,상기 중간층은 은(Ag), 금(Au), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 백금(Pt), 텅스텐(W) 니켈(Ni) 및/또는 티타늄 질화물(TiN)을 포함하는 페로브스카이트 태양전지
3 3
제1 항에 있어서,상기 도펀트는 붕소(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 란탄족 원소, 및/또는 티타늄(Ti)을 포함하는 페로브스카이트 태양전지
4 4
제1 항에 있어서,상기 금속 산화물은 ZnO, TiO2, SnO2, In2O3, ITO, ATO(antimony Tin Oxide), WOx, 및/또는 MoOx를 포함하는 페로브스카이트 태양전지
5 5
제1 항에 있어서,상기 중간층의 두께는 1 nm 이상 15 nm 이하인 페로브스카이트 태양전지
6 6
제1 항에 있어서,상기 하부 투명 전극 및 상기 상부 투명 전극 각각의 두께는 10 nm 이상 200 nm 이하인 페로브스카이트 태양전지
7 7
제1 항에 있어서,상기 광 흡수층은 불투명한 페로브스카이트 태양전지
8 8
제1 항에 있어서,상기 제1 컬러 구현층의 굴절률은 상기 제2 컬러 구현층의 굴절률과 동일한 페로브스카이트 태양전지
9 9
기판 상에 하부 투명 전극을 형성하는 것; 및상기 하부 투명 전극 상에 광 흡수층을 형성하는 것을 포함하되,상기 하부 투명 전극을 형성하는 것은 상기 기판 상에 제1 컬러 구현층, 중간층, 및 제2 컬러 구현층을 차례로 형성하는 것을 포함하고,상기 제1 컬러 구현층을 형성하는 것은 제1 서브사이클(subcycle)을 n회 수행하는 것 및 제2서브사이클을 m회 수행하는 것을 포함하되,상기 제1 서브사이클은:상기 기판이 준비되는 챔버 내에 제1 전구체를 공급하는 것;제1 불활성 가스를 상기 챔버 내에 공급하여, 제 1 퍼지 공정을 수행하는 것;제1 반응 가스를 상기 챔버 내에 공급하는 것; 및제2 불활성 가스를 상기 챔버 내에 공급하여, 제 2 퍼지 공정을 수행하는 것을 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
10 10
제9 항에 있어서,상기 n은 1 이상 10 이하의 자연수이고,상기 m은 1 이상 100 이하의 자연수인 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
11 11
제9 항에 있어서,상기 제2 서브사이클은:상기 챔버 내에 제2전구체를 공급하는 것;제3 불활성 가스를 상기 챔버 내에 공급하여, 제 3 퍼지 공정을 수행하는 것;제2 반응 가스를 상기 챔버 내에 공급하는 것; 및제4 불활성 가스를 상기 챔버 내에 공급하여, 제 4 퍼지 공정을 수행하는 것을 포함하되,상기 제2 전구체는 상기 제1 전구체와 다른 물질을 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
12 12
제9 항에 있어서,상기 제1 컬러 구현층 및 제2 컬러 구현층은 도펀트를 포함하는 금속 산화물층이고,상기 중간층은 은(Ag), 금(Au), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 백금(Pt), 텅스텐(W) 니켈(Ni) 및/또는 티타늄 질화물(TiN)을 포함하는 태양전지의 제조 방법
13 13
제9항에 있어서,상기 광 흡수층은 페로브스카이트 물질을 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
14 14
제9 항에 있어서,상기 제2 컬러 구현층을 형성하는 것은 상기 중간층 상에 상기 제1 서브사이클(subcycle)을 x회 및 상기 제2 서브사이클을 y회 수행하는 것을 포함하되,상기 n 은 상기 x와 다르고, 상기 m은 상기 y와는 다른 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
15 15
제14 항에 있어서,상기 광 흡수층 상에 상부 투명 전극을 형성하는 것을 더 포함하되,상기 상부 투명 전극을 형성하는 것은 상기 광 흡수층 상에 제3 컬러 구현층, 중간층, 및 제4 컬러 구현층을 차례로 형성하는 것을 포함하고,상기 제3 컬러 구현층을 형성하는 것은 상기 광 흡수층 상에 상기 제1 서브 사이클을 a회 및 상기 제2 서브 사이클을 b회 수행하는 것을 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
16 16
제15 항에 있어서,상기 제4 컬러 구현층을 형성하는 것은 상기 중간층 상에 상기 제1 서브사이클(subcycle)을 c회 및 상기 제2 서브사이클을 d회 수행하는 것을 포함하되,상기 a 은 상기 c와 다르고, 상기 b은 상기 d와는 다른 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
17 17
제9 항에 있어서,상기 제2 서브 사이클을 수행하는 횟수(m)에 대한 상기 제1 서브 사이클을 수행하는 횟수(n)의 비가 증가할수록, 상기 하부 투명 전극의 굴절률이 감소하도록 구성되는 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
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패밀리정보가 없습니다
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1 과학기술정보통신부 (주)쉐어켐 ICT R&D 바우처사업 웨어러블 및 유연 태양전지를 위한 유연 투명전극 소재 기술개발
2 산업통상자원부 한국전자통신연구원(ETRI) 에너지기술개발사업 에너지 자립형 스마트 창호 기술 개발