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산소를 포함하는 헤테로 고리 화합물, 상기 헤테로 고리 화합물은 에폭시기 및 옥세탄기 중에서 적어도 하나를 포함하고;아민기 및 카르복실기를 포함하는 환원성 경화제; 및광 개시제를 포함하되,상기 헤테로 고리 화합물 및 상기 환원성 경화제의 혼합비는 하기 조건식 1을 만족하는 도전 접착제용 조성물:[조건식 1] 0
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제1 항에 있어서,상기 헤테로 고리 화합물은 비스페놀-A형 에폭시 수지, 비스페놀-F형 에폭시 수지, 노볼락 에폭시 수지, 수소화 비스페놀-A형 에폭시 수지, 옥틸렌 옥사이드, p-부틸 페놀 글리시딜 에테르, 부틸 글리시딜 에테르, 크레실 글리시딜 에테르, 스티렌 옥사이드, 알릴 글리시딜 에테르, 페닐 글리시딜 에테르, 부타디엔 디옥사이드, 디비닐벤젠 디옥사이드, 디글리시딜 에테르, 부탄디올 디글리시딜 에테르, 리모넨 디옥사이드, 비닐사이클로헥센 디옥사이드, 디에틸렌 글라이콜 디글리시딜 에테르, 4-비닐시클로헥센 디옥사이드, 시클로헥센 비닐 모노옥사이드, (3,4-에폭시시클로헥실)메틸 3,4-에폭시시클로헥실카르복실레이트, 3,4-에폭시시클로헥실메틸 메타크릴레이트, 3,4-에폭시시클로헥산카르복실레이트, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)-1,3-디옥솔레인, 비스(3,4-에폭시시클로헥실메틸)아디페이트, 3-메틸옥세탄, 2-메틸옥세탄, 3-옥세탄올, 2-메틸렌옥세탄, 3-메틸-3-히드록시메틸옥세탄, 3-에틸-3-히드록시메틸옥세탄, 3,3-옥세탄디메탄싸이올, 2-에틸헥실옥세탄, 4-(3-메틸옥세탄-3-일)벤조나이트릴, N-(2,2-디메틸프로필)-3-메틸-3-옥세탄메탄아민, N-(1,2-디메틸부틸)-3-메틸-3-옥세탄메탄아민, 자일렌 비스 옥세탄, 3-에틸-3[{(3-에틸옥세탄-3-일)메톡시}메틸]옥세탄, (3-에틸옥세탄-3-일)메틸 메타크릴레이트, 4-[(3-에틸옥세탄-3-일)메톡시]부탄-1-올, 및 이들의 조합 중에서 적어도 하나를 포함하는 도전 접착제용 조성물
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제1 항에 있어서,상기 환원성 경화제는 알파(α)-아미노산, 베타(β)-아미노산, 감마(γ)-아미노산, 델타(δ)-아미노산, 글리신, 알라닌, 발린, 류신, 이소류신, 라이신, 아르기닌, 히스티딘, 아스파르트산, 아스파라긴, 글루타민, 글루탐산, 페닐알라닌, 티로신, 트립토판, 시스테인, 메티오닌, 세린, 오리니틴, 3-페닐세린, 트레오닌, L-도파, 노르류신, 페니실아민, 사르코신, 프롤린, 하이드록시프롤린, 3-하이드록시프롤린, 3,4-디하이드로프롤린, 피페콜린산, β-알라닌, 3-아미노부틴산, 이소세린, 3-아미노이소부티르산, 3-아미노-2-페닐프로피온산, 3-아미노-5-메틸헥산산, 3-아미노-4-페닐부티르산, 3-아미노-4-하이드록시부티르산, 3-아미노-4-하이드록시펜탄산, 3-아미노-4-메틸펜탄산, 3-아미노-3-페닐프로피온산, 피롤리딘-3-카르복실산, γ-아미노부티르산, 4-아미노-3-하이드록시부티르산, 3-피롤리딘-2-일-프로피온산, 3-아미노사이클로헥산카르복실산, 4-구아니디노부티르산, 4-아미노벤조산, 3-아미노벤조산, 2-아미노벤조산, 3,5-디아미노벤조산, 4-아미노살리실산, 5-아미노살리실산, 3-아미노이소니코틴산, 4-아미노니코틴산, 5-아미노니코틴산, 2-아미노니코틴산, 6-아미노니코틴산, 2-아미노이소니코틴산, 6-아미노피콜린산, 및 이들의 조합 중에서 적어도 하나를 포함하는 도전 접착제용 조성물
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4
제1 항에 있어서, 상기 광 개시제를 상기 헤테로 고리 화합물 100 중량부 대비 0
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5
제1 항에 있어서,아민기를 포함하는 아민계 경화제; 산무수물기를 포함하는 산무수물계 경화제; 및카르복실기를 포함하는 환원제 중에서 적어도 하나를 더 포함하되,상기 아민계 경화제, 상기 산무수물계 경화제, 및 상기 환원제의 혼합비는 하기 조건식 2를 만족하는 도전 접착제용 조성물:[조건식 2]0
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6
제5 항에 있어서,상기 아민계 경화제는 다이에틸렌트리아민, 트리에틸렌디아민, 트리에틸렌테트라아민, 테트라에틸렌펜타아민, 다이에틸아미노프로필렌아민, 아미노에틸피페라진, 멘탄다이아민, 이소프론다이아민, 메타페닐렌다이아민, 다이아미노다이페닐메탄, 다이아미노다이페닐설폰, 2-메틸-4-니트로아닐린, 디시안디아미드, 2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2,4-디메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸리움트리멜리테이트, 에폭시이미다졸 어덕트, 및 이들의 조합 중에서 적어도 하나를 포함하는 도전 접착제용 조성물
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7
제5 항에 있어서,상기 산무수물계 경화제는 프탈산 무수물, 트라이멜리트산 무수물, 피로멜리트산 이무수물, 벤조페논테트라카본산 이무수물, 말레산 무수물, 테트라하이드로프탈산 무수물, 메틸 테트라하이드로 무수프탈산, 무수 엔도메틸렌테트라 하이드로프탈산, 메틸엔도메틸렌테트라하이드로무수프탈산, 메틸부테닐테트라하이드로무수프탈산, 도데세닐무수숙신산, 헥사하이드로무수프탈산, 메틸헥사하이드로무수프탈산, 무수숙신산, 메틸시클로헥센디카르본산무수물, 클로렌드산무수물, 및 이들의 조합 중에서 적어도 하나를 포함하는 도전 접착제용 조성물
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8
제5 항에 있어서,상기 환원제는 폼산, 아세트산, 프로피온산, 부티르산, 발레르산, 카프로산, 카프릴산, 데칸산, 라우르산, 미리스트산, 팔미트산, 스테아르산, 올레산, 리놀레산, 알파-리놀렌산, 사이클로헥산카르복실산, 페닐아세트산, 벤조산, 클로로벤조산, 브로모벤조산, 니트로벤조산, 프탈산, 아이소프탈산, 테레프탈산, 살리실산, 하이드록시벤조산, 안트라닐산, 아미노벤조산, 메톡시벤조산, 글루타르산, 말레산, 아젤라인산, 아비에트산, 아디프산, 아스코르빈산, 아크릴산, 시트르산, 및 이들의 조합 중에서 적어도 하나를 포함하는 도전 접착제용 조성물
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제 1 항에 있어서,도전성 입자를 더 포함하되, 상기 도전성 입자는 주석(Sn), 구리(Cu), 은(Ag), 비스무트(Bi), 인듐(In), 납(Pd), 카드뮴(Cd), 안티몬(Sb), 갈륨(Ga), 비소(As), 게르마늄(Ge), 아연(Zn), 알루미늄(Al), 금(Au), 실리콘(Si), 니켈(Ni), 인(P), 및 이들의 조합으로부터 선택되는 합금 중에서 적어도 하나를 포함하는 도전 접착제용 조성물
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10
제9 항에 있어서,상기 도전성 입자를 상기 도전 접착제용 조성물의 총 부피 대비 1 부피% 내지 60 부피%로 포함하는 도전 접착제용 조성물
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11
제1 항에 있어서,비전도성 입자를 더 포함하되,상기 비전도성 입자는 폴리머 입자 또는 무기 입자를 포함하는 도전 접착제용 조성물
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기판, 상기 기판은 그 상면에 인접하는 기판 패드를 포함하고;반도체 칩, 상기 반도체 칩은 상기 기판 패드에 대응하는 칩 패드를 포함하고;상기 기판 및 상기 반도체 칩 사이에 개재되는 솔더 접합부들; 및상기 기판의 상면 및 상기 반도체 칩의 하면 중 적어도 하나의 상에 배치된 도전 접착 경화물을 포함하되, 상기 도전 접착 경화물은 도전 접착제용 조성물의 경화물이고,상기 도전 접착제용 조성물은: 산소를 포함하는 헤테로 고리 화합물, 상기 헤테로 고리 화합물은 에폭시기 및 옥세탄기 중에서 적어도 하나를 포함하고; 아민기 및 카르복실기를 포함하는 환원성 경화제; 및 광 개시제를 포함하는 반도체 패키지
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13
제12 항에 있어서,상기 도전 접착 경화물의 상면은 요철부를 포함하는 반도체 패키지
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기판을 제공하는 것, 상기 기판은 그 상면에 인접하는 기판 패드를 포함하고;반도체 칩을 상기 기판 상에 제공하는 것, 상기 반도체 칩은 상기 기판 패드에 대응하는 칩 패드를 포함하고;도전 접착막을 제공하는 것, 상기 도전 접착막은 상기 기판의 상면 및 상기 반도체 칩의 하면 중 적어도 하나의 상에 형성되고, 상기 도전 접착막은 도전 접착제용 조성물을 포함하고,상기 기판, 상기 반도체 칩, 및 상기 도전 접착막 중 적어도 하나의 상에 가열 공정을 수행하여, 상기 칩 패드 및 상기 기판 패드를 전기적으로 연결시키는 것; 및상기 기판, 상기 반도체 칩, 및 상기 도전 접착막 중 적어도 하나의 상에 광을 조사하여, 도전 접착 경화물을 형성하는 것을 포함하되,상기 도전 접착 경화물을 형성하는 것은 상기 도전 접착막을 경화하여 상기 도전 접착 경화물의 상면에 요철부를 형성하는 것을 포함하고,상기 도전 접착제용 조성물은: 산소를 포함하는 헤테로 고리 화합물, 상기 헤테로 고리 화합물은 에폭시기 및 옥세탄기 중에서 적어도 하나를 포함하고; 아민기 및 카르복실기를 포함하는 환원성 경화제; 및 광 개시제를 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법
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제14 항에 있어서,상기 가열 공정은 적외선(Infrared Radiation, IR) 레이저를 조사하는 공정을 포함하고,상기 광은 자외선(Ultraviolet, UV)을 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법
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16
제14 항에 있어서,상기 반도체 칩을 제공하는 것은 상기 반도체 칩의 일면 이상과 접촉하는 몰드를 제공하는 것을 포함하되,상기 반도체 칩에 의해 노출된 상기 몰드의 하면은 몰드 요철부를 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법
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제16 항에 있어서,상기 도전 접착 경화물의 상면에 상기 요철부를 형성하는 것은 상기 몰드의 하면의 상기 몰드 요철부의 패턴을 상기 도전 경화물의 상면에 전사시키는 것을 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법
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제14 항에 있어서,상기 도전 접착제용 조성물은 도전성 입자들을 더 포함하되, 상기 가열 공정에 의해, 상기 기판 패드 및 상기 칩 패드 사이의 도전성 입자들이 융합 및 웨팅(wetting)되어 솔더 접합부가 형성되는 반도체 패키지의 제조 방법
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19
제14 항에 있어서,상기 도전 접착막, 상기 기판 패드, 및 상기 칩 패드는 각각 복수 개로 제공되고, 상기 도전 접착막들은 서로 수평적으로 이격되고, 상기 도전 접착막들은 각각 상기 기판 패드의 상면 또는 상기 칩 패드들의 하면을 덮는 반도체 패키지의 제조 방법
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제19 항에 있어서,상기 도전 접착막들의 각각은 상기 칩 패드 및 상기 기판 패드 사이에 개재되고,상기 가열 공정에 의해, 상기 도전 접착막들의 각각이 상기 기판의 상면의 일부, 상기 반도체 칩의 하면의 일부, 및 상기 반도체 칩의 측면의 일부에 개재되도록 흘러나오는 반도체 패키지의 제조 방법
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