| 1 |
1
고무입자를 용매에 분산시켜 고무입자 분산액을 얻는 단계;고무입자 분산액에 금속합금분말을 투입하여 금속합금분말 분산액을 얻는 단계; 금속합금분말 분산액을 건조하여 고무입자 및 금속합금분말 혼합물을 얻는 단계; 및 고무입자 및 금속합금분말 혼합물에 플럭스를 투입하는 단계;를 포함하는 솔더접합부의 응력완화특성을 나타내는 무연솔더페이스트 제조방법
|
| 2 |
2
청구항 1에 있어서, 금속합금분말은 Sn-Bi-Ag, Sn-Ag-Cu, Sn-Bi, Sn-In, In-Ag 및 Sn-Bi-In 합금 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 무연솔더페이스트 제조방법
|
| 3 |
3
청구항 1에 있어서, 고무입자는 메타크릴레이트 부타디엔 스티렌(Methacrylate Butadiene Styrene)계 고무입자, 아크릴(Acryl)계 고무입자, 폴리실세스퀴옥산(Polysilsesquioxane) 고무입자, 및 폴리알킬렌 글리콜(Polyalkylene glycol) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 무연솔더페이스트 제조방법
|
| 4 |
4
청구항 1에 있어서, 플럭스는 로진계 플럭스, 레진계 플럭스 및 유기산계 플럭스 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 무연솔더페이스트 제조방법
|
| 5 |
5
청구항 1에 있어서, 고무입자는 금속합금분말입자의 표면에 위치하는 것을 특징으로 하는 무연솔더페이스트 제조방법
|
| 6 |
6
청구항 1에 있어서, 고무입자는 금속합금분말의 전체 중량을 기준으로 하여 0
|
| 7 |
7
삭제
|
| 8 |
8
청구항 1에 있어서, 용매는 메틸 에틸 케톤(Methyl Ethyl Ketone), 시클로헥사논(cyclohexanone), 니트로에탄(nitroethane), 클로로포름(chloroform), 디클로로메탄(dichloromethane), 벤젠(bezene), 클로로벤젠(chlorobenzene), 크실렌(xylene), 메톡시벤젠(methoxybenzene), 톨루엔(toluene), 아세톤(acetone) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 무연솔더페이스트 제조방법
|
| 9 |
9
청구항 1의 무연솔더페이스트 제조방법에 따라 무연솔더페이스트를 제조하는 단계;기판 상에, 제조된 금속합금분말, 고무입자 및 플럭스를 포함하는 무연솔더페이스트로 솔더층을 형성하는 단계;소자를 실장시킬 영역에 위치시키는 단계; 및소자가 위치한 기판을 솔더링시켜 솔더층을 솔더접합층으로 형성시키는 단계;를 포함하는 반도체 소자 실장방법
|
| 10 |
10
삭제
|
| 11 |
11
청구항 9에 있어서, 솔더접합층의 저장탄성률(storage modulus)은 고무입자를 포함하지 않은 무연솔더페이스트 솔더층으로부터의 형성된 솔더접합층의 저장탄성률보다 작은 것을 특징으로 하는 반도체 소자 실장방법
|
| 12 |
12
청구항 9에 있어서, 솔더접합층은 금속합금분말 사이에 고무입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 실장방법
|
