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3성분계의 코어층을 포함하는 극자외선 노광용 펠리클

  • 기술번호 : KST2022002944
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 3성분계의 코어층을 포함하는 극자외선 노광용 펠리클에 관한 것으로, 90% 이상의 높은 극자외선 투과율과 0.04% 이하의 극자외선 반사율을 제공하기 위한 것이다. 본 발명에 따른 극자외선 노광용 펠리클은 중심 부분에 개방부가 형성된 지지층과, 개방부를 덮도록 지지층 위에 형성되는 펠리클층을 포함한다. 여기서 펠리클층은 개방부를 덮도록 지지층 위에 형성되는 M-B-Si(M은 Zr, Mo, Ru, Y, W, Ti 및 Ir로 이루어진 그룹에서 선택된 하나)의 3성분계 소재로 형성된 코어층을 포함한다.
Int. CL G03F 1/62 (2012.01.01) G03F 1/22 (2012.01.01)
CPC G03F 1/62(2013.01) G03F 1/22(2013.01)
출원번호/일자 1020200166711 (2020.12.02)
출원인 한국전자기술연구원
등록번호/일자 10-2375433-0000 (2022.03.14)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20220318) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 보정승인
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.12.02)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김형근 경기도 용인시 수지구
2 김현미 서울특별시 서초구
3 이우성 경기도 성남시 분당구
4 유찬세 경기도 용인시 수지구
5 조진우 경기도 성남시 분당구
6 성기훈 경기도 안양시 만안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박종한 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 * (구로동, 에이스하이엔드타워*차) ***호(한림특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 경기도 성남시 분당구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.12.02 수리 (Accepted) 1-1-2020-1305056-73
2 [우선심사신청]심사청구서·우선심사신청서
2021.03.02 수리 (Accepted) 1-1-2021-0242757-60
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2021.03.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2021.04.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2021-0062051-93
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2021.04.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0322817-13
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2021.06.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2021-0705043-62
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2021.06.18 수리 (Accepted) 1-1-2021-0705042-16
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2021.08.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0662405-91
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2021.09.23 수리 (Accepted) 1-1-2021-1089012-08
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2021.09.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2021-1089013-43
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2021.10.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0834129-28
12 [지정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
2021.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2021-1501039-84
13 [지정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
2022.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2022-0093541-99
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2022.02.25 수리 (Accepted) 1-1-2022-0213656-12
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2022.02.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2022-0213657-68
16 등록결정서
Decision to Grant Registration
2022.03.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2022-0189937-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
90% 이상의 극자외선 투과율을 갖는 극자외선 노광용 펠리클로서,중심 부분에 개방부가 형성된 지지층; 및상기 개방부를 덮도록 상기 지지층 위에 형성되는 펠리클층;을 포함하고,상기 펠리클층은,상기 개방부를 덮도록 상기 지지층 위에 형성되는 M-B-Si(M은 Zr, Mo, Ru, Y, W, Ti 및 Ir로 이루어진 그룹에서 선택된 하나)의 3성분계 소재로 형성된 코어층;을 포함하고,상기 펠리클층은 40nm 이하의 두께를 가지되 상기 코어층이 24nm 내지 35nm의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
2 2
제1항에 있어서,상기 지지층은 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
3 3
제1항에 있어서,상기 코어층의 소재는 MBxSiy(x+y=≥1)인 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
4 4
제3항에 있어서,상기 코어층의 소재에서 x+y=1 또는 x+y=2 인 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
5 5
제3항에 있어서,상기 코어층의 소재는 M(BSi)z(z=1~6) 인 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
6 6
제1항에 있어서,상기 코어층의 소재는 Zr-B-Si의 3성분계 소재인 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
7 7
제1항에 있어서, 상기 펠리클층은,상기 코어층의 적어도 일면에 형성되는 캡핑층;을 더 포함하고,상기 캡핑층의 소재는 M-B-Si(M은 Zr, Mo, Ru, Y, W, Ti 및 Ir로 이루어진 그룹에서 선택된 하나)의 3성분계 소재, ZrCBx(x≥1), ZrBx(x≥2), ZrC, ZrSix(x≤2), SiN, B4C, B 또는 금속산화물 중에 적어도 하나를 포함하고, 상기 코어층의 소재와 상이한 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
8 8
제7항에 있어서, 상기 펠리클층은,상기 코어층과 상기 캡핑층 사이에 개재되는 버퍼층;을 더 포함하고,상기 버퍼층의 소재는 M-B-Si(M은 Zr, Mo, Ru, Y, W, Ti 및 Ir로 이루어진 그룹에서 선택된 하나)의 3성분계 소재, ZrCBx(x≥1), ZrBx(x≥2), ZrC, ZrSix(x≤2), SiN, B4C, B 또는 금속산화물 중에 적어도 하나를 포함하고, 상기 코어층 및 상기 캡핑층의 소재와 상이한 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
9 9
제7항에 있어서,상기 캡핑층의 두께는 8
10 10
제1항에 있어서,상기 펠리클층은 350W 이상의 극자외선 출력 환경에서 0
11 11
90% 이상의 극자외선 투과율을 갖는 극자외선 노광용 펠리클로서,중심 부분에 개방부가 형성된 지지층; 및상기 개방부를 덮도록 상기 지지층 위에 형성되는 펠리클층;을 포함하고,상기 펠리클층은,상기 개방부를 덮도록 상기 지지층 위에 형성되는 제1 캡핑층;상기 제1 캡핑층 위에 형성되는 M-B-Si(M은 Zr, Mo, Ru, Y, W, Ti 및 Ir로 이루어진 그룹에서 선택된 하나)의 3성분계 소재로 형성된 코어층; 및상기 코어층 위에 형성되는 제2 캡핑층;을 포함하고,상기 펠리클층은 40nm 이하의 두께를 가지되 상기 코어층이 24nm 내지 35nm의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
12 12
제11항에 있어서,상기 제1 및 제2 캡핑층의 소재는 M-B-Si(M은 Zr, Mo, Ru, Y, W, Ti 및 Ir로 이루어진 그룹에서 선택된 하나)의 3성분계 소재, ZrCBx(x≥1), ZrBx(x≥2), ZrC, ZrSix(x≤2), SiN, B4C, B 또는 금속산화물 중에 적어도 하나를 포함하고, 상기 코어층의 소재와 상이한 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
13 13
제11항에 있어서, 상기 펠리클층은,상기 제1 캡핑층과 상기 코어층 사이에 개재되는 제1 버퍼층; 및상기 코어층과 제2 캡핑층 사이에 개재되는 제2 버퍼층;을 더 포함하고,상기 제1 및 제2 버퍼층의 소재는 M-B-Si(M은 Zr, Mo, Ru, Y, W, Ti 및 Ir로 이루어진 그룹에서 선택된 하나)의 3성분계 소재, ZrCBx(x≥1), ZrBx(x≥2), ZrC, ZrSix(x≤2), SiN, B4C, B 또는 금속산화물 중에 적어도 하나를 포함하고,상기 제1 버퍼층의 소재는 상기 제1 캡핑층 및 상기 코어층의 소재와 상이하고, 상기 제2 버퍼층의 소재는 상기 코어층 및 제2 캡핑층의 소재와 상이한 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국전자기술연구원 원천기술개발사업 (C) 5nm급 이하 반도체 노광 공정용 EUV 투과 소재 기술 개발