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(A) 바나듐 전구체, 바나듐 환원제 및 용매를 상온에서 4 시간 내지 20 시간 동안 교반하여 바나듐 전구체 용액을 제조하는 단계; (B) 상기 바나듐 전구체 용액을 크기 선택적 분리 공정을 수행하여 순수한 결정 구조를 갖는 전구체 물질을 획득하는 단계; 및(C) 상기 전구체 물질을 수열합성공정을 사용하여 바나듐 다이옥사이드를 합성하는 단계를 포함하는 고순도 모노클리닉 바나듐 다이옥사이드의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 (A)에서 전이금속을 첨가하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 것인, 방법
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제2항에 있어서, 상기 전이금속은 텅스텐인 것을 특징으로 하는 것인, 방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 (A)에서 바나듐 전구체는 암모늄 메타바나데이트(Ammonium metavanadate), 바나듐펜톡사이드(Vanadium pentoxide), 바나듐 트라이옥사이드(Vanadium trioxide) 및 바나딜 아세틸아세토네이트(Vanadyl acetylacetonate)로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 것인, 방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 (A)에서 바나듐 환원제는 하이드라진, 하이드라진무수물, 염산하이드 라진, 황산하이드라진, 하이드라진 하이드레이트 및 페닐하이드라진으로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 것인, 방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 (A)에서 제조된 바나듐 전구체는 4 내지 10 마이크로미터의 정팔면체 전구체, 150 내지 300 나노미터의 구형 전구체 또는 100 내지 200 나노미터의 육각판상 전구체로 존재하는 것을 특징으로 하는 것인, 방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 (B)는 (b-1) 바나듐 전구체 용액 내 침전물로서 제1형태의 바나듐 전구체를 분리하는 단계, 또는(b-2) 바나듐 전구체 용액 내 침전물이 제거된 상층액을 원심분리하고, 원심분리에 의해 생성된 침전물로서 제2형태의 바나듐 전구체를 분리하는 단계, 또는 (b-3) 바나듐 전구체 용액 내 침전물이 제거된 상층액을 원심분리하고, 원심분리에 의해 생성된 상층액을 추가 원심분리하여 생성된 침전물로서 제3형태의 바나듐 전구체를 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 것인, 방법
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제1항에 있어서, 상기 (b-1), (b-2) 또는 (b-3)에서 분리는 용매의 존재 하에 7000 내지 12000 rpm의 속도로 1분 내지 5분 동안 원심분리에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 것인, 방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 (C)에서 수열합성공정은 150 ℃ 내지 320 ℃ 범위의 온도에서 4 내지 20 시간 수행되는 것을 특징으로 하는 것인, 방법
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제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조된 고순도 모노클리닉 바나듐 다이옥사이드로서, 상기 고순도 모노클리닉 바나듐 다이옥사이드는 스마토 윈도우에 사용되는 것을 특징으로 하는 것인, 고순도 모노클리닉 바나듐 다이옥사이드
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