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용매, 유기 리간드 및 금속 전구체를 포함하는 금속-유기 골격체(MOF) 전구체를 포함하는 3차원 적층용 조성물로서, 상기 금속-유기 골격체는 상기 금속 전구체의 금속의 이온에 유기 리간드가 배위결합된 것을 특징으로 하는, 3차원 적층용 조성물
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제1항에 있어서,상기 유기 리간드는 하기 화학식 1 내지 화학식 4 중 어느 하나로 표시되는 것을 특징으로 하는, 3차원 적층용 조성물
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제1항에 있어서,상기 금속 전구체는 Ni, Cu, Fe, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Co, Zn, Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Rh, Pd, Ag, Cd, Lu, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Lr, Rf, Db, Sg, Bh, Hs, Mt, Ds, Rg, Uub 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는, 3차원 적층용 조성물
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제1항에 있어서, 상기 3차원 적층용 조성물은 리튬-금속 산화물 및 활성탄(Activated Carbon, AC)으로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종 이상인 제1 첨가제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 3차원 적층용 조성물
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제4항에 있어서, 상기 3차원 적층용 조성물은 결합제, 도전재, 및 반응개시제로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종 이상인 제2 첨가제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 3차원 적층용 조성물
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제4항에 있어서, 상기 리튬-금속 산화물은 리튬 티타네이트(lithium titanate, LTO), 리튬 바나듐 산화물(lithium vanadium oxide, LVO), 리튬 바나듐 포스페이트(lithium-vanadium phosphate, LVP) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 1종인 것을 특징으로 하는, 3차원 적층용 조성물
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제5항에 있어서, 상기 3차원 적층용 조성물 100 중량부에 대하여,용매 1 내지 50 중량부;유기 리간드 20 내지 65 중량부; 금속 전구체 15 내지 60 중량부;제1 첨가제 0 내지 30 중량부; 및제2 첨가제 0 내지 20 중량부;를 포함하는 것을 특징으로 하는, 3차원 적층용 조성물
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3D 프린터를 사용하여 제1항에 따른 3차원 적층용 조성물을 토출하는 단계; 및상기 토출된 3차원 적층용 조성물을 열처리하여 금속-유기 골격체(metal-organic framework, MOF)를 형성하는 단계;를 포함하고,상기 열처리는 3차원 적층용 조성물을 토출하는 단계 이후 또는 상기 단계와 동시에 진행되는 것을 특징으로 하는, 전극의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 열처리가 100℃ 내지 120℃의 온도에서 이루어지는 것을 특징으로 하는, 전극의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 열처리가 2
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제8항에 있어서,상기 전극은 깍지형(interdigitated) 구조로 패턴화되도록 형성되는 것을 특징으로 하는, 전극의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 3차원 적층용 조성물을 토출하는 3D 프린터의 노즐 내경이 300 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는, 전극의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 3차원 적층용 조성물을 토출하여 10층 이상으로 적층하는 것을 특징으로 하는, 전극의 제조방법
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제8항 내지 제13항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조된 전극
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제14항에 따른 전극을 포함하는 전자 소자
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