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그래핀(graphene)-전이금속화합물 복합체를 포함하는 광열접착용 조성물
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제1항에 있어서, 그래핀은 친수성 고분자와 반응 후 환원된 산화그래핀(graphene oxide; GO)인 것인, 광열접착용 조성물
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제2항에 있어서, 친수성 고분자는 폴리에틸렌글리콜(polyethyleneglycol; PEG), 폴리비닐알코올(polyvinylalcohol; PVA), 폴리아크릴산(polyacrylicacid; PAA), 폴리비닐피롤리돈(polyvinylpyrrolidone; PVP), 폴리우레탄(polyurethane; PU) 및 폴리테트라플루오로에틸렌(polytetrafluoroethylene; PTFE)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것인, 광열접착용 조성물
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제1항에 있어서, 조성물은 그래핀:전이금속화합물의 중량비가 1:1 내지 1:4인 것인, 광열접착용 조성물
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제1항에 있어서, 전이금속화합물은 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 타이타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 레늄(Re), 바나듐(V), 납(Pd), 나이오븀(Nb), 백금(Pt), 탄탈륨(Ta) 및 철(Fe)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 전이금속을 포함하는 것인, 광열접착용 조성물
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제1항에 있어서, 전이금속화합물은 황(S), 셀레늄(Se) 및 텔루륨(Te)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 칼코겐 원소를 포함하는 것인, 광열접착용 조성물
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다음 단계를 포함하는 그래핀(graphene)-전이금속화합물 복합체를 포함하는 광열접착용 조성물의 제조방법:그래핀을 친수성 고분자와 반응 후 환원시키는 환원 단계; 및그래핀과 전이금속화합물 나노입자를 혼합하는 복합체 형성 단계
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제7항에 있어서, 그래핀은 산화그래핀(graphene oxide; GO)인 것인, 광열접착용 조성물의 제조방법
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제7항에 있어서, 친수성 고분자는 폴리에틸렌글리콜(polyethyleneglycol; PEG), 폴리비닐알코올(polyvinylalcohol; PVA), 폴리아크릴산(polyacrylicacid; PAA), 폴리비닐피롤리돈(polyvinylpyrrolidone; PVP), 폴리우레탄(polyurethane; PU) 및 폴리테트라플루오로에틸렌(polytetrafluoroethylene; PTFE)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것인, 광열접착용 조성물의 제조방법
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제7항에 있어서, 그래핀:전이금속화합물의 중량비는 1:1 내지 1:4인 것인, 광열접착용 조성물의 제조방법
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제7항에 있어서, 전이금속화합물은 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 타이타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 레늄(Re), 바나듐(V), 납(Pd), 나이오븀(Nb), 백금(Pt), 탄탈륨(Ta) 및 철(Fe)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 전이금속을 포함하는 것인, 광열접착용 조성물의 제조방법
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제7항에 있어서, 전이금속화합물은 황(S), 셀레늄(Se) 및 텔루륨(Te)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 칼코겐 원소를 포함하는 것인, 광열접착용 조성물의 제조방법
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다음 단계를 포함하는 그래핀(graphene)-전이금속화합물 복합체를 포함하는 광열접착용 조성물을 이용한 미세유체칩의 제조방법:광열접착용 조성물을 미세유체칩 하판의 목표 부위에 적하하는 적하 단계;목표 부위에 레이저를 조사하는 제1 레이저 조사 단계; 및상기 하판의 목표 부위에 미세유체칩 상판을 접촉시킨 후 레이저를 조사하는 제2 레이저 조사 단계
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제13항에 있어서, 적하 단계는 부피 1 내지 20 uL의 광열접착용 조성물 방울을 적하하는 것인, 광열접착용 조성물을 이용한 미세유체칩의 제조방법
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제13항에 있어서, 적하 단계는 접착하고자 하는 길이 1 cm 기준 광열접착용 조성물 3방울 이상을 적하하는 것인, 광열접착용 조성물을 이용한 미세유체칩의 제조방법
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제13항에 있어서, 미세유체칩은 폴리메틸 메타크릴레이트(Poly(methyl methacrylate); PMMA), 폴리카보네이트(polycarbonate; PC) 소재인 것인, 광열접착용 조성물을 이용한 미세유체칩의 제조방법
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