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방전 공간을 형성하며 접지된 접지 전극;상기 접지 전극의 길이방향 일측 단부에 결합되며 방전 전압으로 대전된 구동 전극; 및처리가스를 분사하는 처리가스 분사홀을 갖는 처리가스 공급부;를 포함하고,상기 구동 전극은 상기 처리가스를 반사시키는 반사판을 갖는 플라즈마 토치
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제 1항에 있어 상기 접지 전극에서 상기 내측으로 돌출된 단차부를 더 포함하고, 상기 처리가스 분사홀은 상기 구동 전극과 상기 단차부 사이에 위치하는 플라즈마 토치
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제 2항에 있어 상기 구동 전극과 상기 접지 전극 사이에는 반응가스를 공급하는 반응가스 공급부가 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 토치
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제2 항에 있어서,상기 반사판은 외측의 처리가스를 내측으로 이동시키는 오목부를 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 토치
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제4 항에 있어서,상기 반사판은 내측으로 갈수록 내경이 점진적으로 감소하는 깔때기부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 토치
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제5 항에 있어서,상기 반사판은 상기 깔때기부의 내측에 형성된 평판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 토치
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제5 항에 있어서,상기 처리가스 공급부는 처리가스가 유입되는 처리가스 유입부, 상기 처리가스 유입부와 연결되어 상기 구동 전극의 둘레방향으로 이어진 처리가스 통로를 더 포함하고, 상기 처리가스 분사홀은 소용돌이를 형성하도록 상기 구동 전극의 중심에 대하여 편심된 방향으로 이어진 것을 특징으로 하는 플라즈마 토치
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제7 항에 있어서,상기 처리가스 분사홀은 상기 단차부와 인접하게 배치된 것을 특징으로 하는 플라즈마 토치
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제5 항에 있어서,상기 접지 전극은 상기 단차부의 상류측에 위치하는 제1 튜브와 상기 단차부의 하류측에 위치하는 제2 튜브를 포함하고, 상기 제2 튜브의 내경은 상기 제1 튜브의 내경보다 더 작게 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 토치
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제9항에 있어서,상기 제1 튜브의 외측에는 상기 구동 전극과 상기 접지 전극 사이로 반응가스를 공급하는 반응가스 공급부가 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 토치
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제5 항에 있어서,상기 깔때기부의 내측에는 원뿔대 형상으로 돌출된 가이드 돌기가 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 토치
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제5 항에 있어서,상기 깔때기부의 내측에는 액체 또는 기체의 공급을 위한 공급 홀이 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 토치
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구동 전극에 전압을 인가하여 아크를 생성하는 아크 형성 단계;반응가스를 상기 구동 전극과 접지 전극 사이로 주입하여 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성 단계; 및처리 가스를 회전시키면서 주입하여 처리가스를 상기 구동 전극에 형성된 반사판으로 반사시키는 처리가스 반사 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 토치의 구동 방법
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제13 항에 있어서,상기 처리가스 반사 단계는, 내측으로 돌출된 단차부와 인접하게 처리 가스를 주입하여 상기 구동 전극을 향하여 처리가스를 회전시키면서 이동시키는 역방향 볼텍스 형성 단계와 상기 구동 전극으로 처리가스를 반사시켜서 상기 제2 접지 전극을 향하여 이동시키는 정방향 볼텍스 형성 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 토치의 구동 방법
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제14 항에 있어서,상기 정방향 볼텍스 형성 단계는 상기 정방향 볼텍스를 상기 역방향 볼텍스의 내부로 이동시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 토치의 구동 방법
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