| 1 |
1
하기 화학식 1로 표시되는 페로브스카이트형 결정구조(perovskite type crystal structure)를 갖는 산화물을 포함하는 유전체 박막이고,상기 유전체 박막이 XRF(X-ray fluorescence spectrometry) 또는 XPS(X-ray photoelectron
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 유전체 박막이 XRF(X-ray fluorescence spectrometry) 또는 XPS(X-ray photoelectron
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 A가 Ca, Sr, Ba, 또는 이들 조합인, 유전체 박막
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 B가 V, Nb, Ta, 또는 이들 조합인, 유전체 박막
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 산화물이 Sr2Nb3O10, Sr2Nb3O9
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 유전체 박막이 입방형(cubic type), 사방형(orthorhombic type), 또는 정방형(tetragonal type) 결정구조를 갖고 격자상수가 3
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 유전체 박막이 수평(in-plane)방향으로 정렬된 층상형태인, 유전체 박막
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 유전체 박막의 두께가 1
|
| 9 |
9
제1항에 있어서,상기 유전체 박막의 표면 거칠기(Rq)가 0
|
| 10 |
10
제1항에 있어서,상기 유전체 박막이 단층 또는 다층 구조인, 유전체 박막
|
| 11 |
11
제1항에 있어서,상기 유전체 박막이 실린더형(cylinder type) 또는 트렌치형(trench type) 구조체 상에 형성된, 유전체 박막
|
| 12 |
12
제11항에 있어서,상기 실린더형(cylinder type) 또는 트렌치형(trench type) 구조체의 윗면, 측면, 또는 밑면을 따라 피복된 유전체 박막의 두께가 동일한, 유전체 박막
|
| 13 |
13
제12항에 있어서,상기 실린더형 또는 트렌치형 구조체가 반도체 또는 유전체인, 유전체 박막
|
| 14 |
14
제1항에 있어서,상기 유전체 박막이 기판의 적어도 일 면에 형성된, 유전체 박막
|
| 15 |
15
제1항에 있어서,상기 유전체 박막이 원자층 증착(Atomic Layer Deposition; ALD)에 의한 증착막인, 유전체 박막
|
| 16 |
16
제1항에 있어서,상기 유전체 박막이 350 ℃ 이상의 열처리를 통해 원자층 증착(Atomic Layer Deposition; ALD)에 의한 증착막인, 유전체 박막
|
| 17 |
17
제1항에 있어서,상기 유전체 박막이 350 ℃ 이상의 1회 열처리 및 황화물과의 반응을 통해 원자층 증착(Atomic Layer Deposition; ALD)에 의한 증착막인, 유전체 박막
|
| 18 |
18
제1 전극;제2 전극; 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치되는 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 따른 유전체 박막을 포함하는 집적 소자
|
| 19 |
19
제18항에 있어서,상기 집적 소자는 메모리 소자 또는 로직(logic) 소자인, 집적 소자
|
| 20 |
20
제18항에 있어서,상기 집적 소자는 커패시터 또는 트랜지스터를 포함하는, 집적 소자
|
| 21 |
21
챔버 내에 기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 원자층 증착법에 의해 형성된 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 제1 박막을 형성하는 단계; 및상기 제1 박막 상에 원자층 증착법에 의해 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 포함하는 제2 박막을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 제1 박막을 형성하는 단계는 하기 화학식 2의 B 원소 함유 할로겐화물 전구체를 황 함유 전구체와 반응시켜 B 원소 함유 황화물 중간상을 형성하는 제1 단계, 및상기 B 원소 함유 황화물 중간상을 산소 함유 전구체와 반응시켜 하기 화학식 2로 표시되는 제1 박막을 형성하는 제2 단계를 포함하는, 유전체 박막의 제조방법:003c#화학식 2003e#B2-x'O5-y'상기 식에서,A는 +5가 양이온이며,0 ≤ x' ≤ 0
|
| 22 |
22
제21항에 있어서,상기 B가 V, Nb, Ta, 또는 이들 조합인, 유전체 박막의 제조방법
|
| 23 |
23
제21항에 있어서,상기 A가 V, Nb, Ta, 또는 이들 조합인, 유전체 박막의 제조방법
|
| 24 |
24
제21항에 있어서,상기 제2 박막을 형성하는 단계가 상기 화학식 3의 A 원소 함유 전구체를 산소 함유 전구체와 반응시켜 제2 박막을 형성하는, 유전체 박막의 제조방법
|
| 25 |
25
제24항에 있어서,상기 전구체가 Sr(iPrCp)2 (Strontium bis(isopropylcyclopentadienyl)), Sr(1,2,4-iPr3Cp)2 (Strontium bis(1,2,4-triisopropylcyclopentadienyl)), Sr(C5iPr3H2)2 (Strontium bis(tri(isopropyl)cyclopentadienyl), Sr(1,2,4-C5Me5)2 (Strontium bis(pentamethylcyclopentadienyl)), Sr(nPrMe4Cp)2 (Strontium bis(n-propyltetramethylcyclopentadienyl)), Sr(tBu3Cp)2 (Strontium bis(tri-tert-butylcyclopentadienyl)), 또는 이들 조합인, 유전체 박막의 제조방법
|
| 26 |
26
제21항에 있어서,상기 제1 박막 및 제2 박막은 원자층 증착법에 의해 350 ℃ 이상의 1회 열처리를 통해 형성되는, 유전체 박막의 제조방법
|
| 27 |
27
제21항에 있어서,상기 제1 박막 및 제2 박막의 전체 평균두께가 2 nm 이하인, 유전체 박막의 제조방법
|
