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(a) 표면에 이트륨 옥사이드(Y2O3), 불화이트륨(YF3) 또는 불산화이트륨(YOF) 코팅막이 형성된 모재를 준비하는 단계; 및(b) 상기 모재를 탈이온수에 담지하여 상기 코팅막을 레이저 소결하는 단계;를 포함하는,내플라즈마 코팅막 치밀화 방법
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(a) 이트륨 화합물을 함유하는 용액 내에 담지된 모재 표면에 이트륨 옥사이드(Y2O3)를 형성하는 단계; 및(b) 상기 용액에 F- 이온 함유 물질을 첨가하고, 상기 이트륨 옥사이드(Y2O3)를 레이저 소결하는 단계;를 포함하는,내플라즈마 코팅막 치밀화 방법
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제 2 항에 있어서,상기 (b) 단계에서,이트륨 옥사이드(Y2O3) 상에 이트륨 플루오라이드(YF3) 또는 불산화이트륨(YOF)이 형성되는,내플라즈마 코팅막 치밀화 방법
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제 2 항에 있어서,상기 이트륨 화합물은,YCl3, Y(NO3)3 및 Y(OH)3 로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인,내플라즈마 코팅막 치밀화 방법
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제 2 항에 있어서,상기 (b) 단계에서,상기 F- 이온 함유 물질은 NaF, KF 및 NH4F 로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인,내플라즈마 코팅막 치밀화 방법
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제 5 항에 있어서,상기 NaF 또는 KF 화합물은 1 ppb 이하로 함유된,내플라즈마 코팅막 치밀화 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 모재는,산화 알루미늄, 질화 알루미늄, 스테인리스 스틸(stainless steel), 석영, 탄화 규소, 질화규소 또는 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 물질을 포함하는,내플라즈마 코팅막 치밀화 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 (b) 소결 과정에서 결정립 성장을 억제하여 치밀화가 진행되는,내플라즈마 코팅막 치밀화 방법
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모재 표면에 형성되고 이트륨 옥사이드(Y2O3) 소결층을 포함하는 내플라즈마 코팅막으로서,상기 코팅막의 기공률이 10 vol% 이하인,내플라즈마 코팅막
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제 9 항에 있어서,상기 이트륨 옥사이드(Y2O3) 소결층 상에 형성되는 이트륨 플루오라이드(YF3) 또는 불산화이트륨(YOF) 층을 더 포함하는,내플라즈마 코팅막
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