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고체 전해질을 포함하는 전고체 슈퍼커패시터에 사용되는 전극으로서,20 nm 내지 150 nm 크기의 메조 기공 및 1 nm 내지 10 nm 크기의 마이크로 기공을 포함하는 3차원 구조를 갖는 다공성 탄소 구조체를 포함하는, 전고체 슈퍼커패시터용 전극
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제1항에 있어서,상기 메조 기공의 크기는 40 nm 내지 60 nm인, 전고체 슈퍼커패시터용 전극
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제1항에 있어서,상기 마이크로 기공의 크기는 1 nm 내지 2nm인, 전고체 슈퍼커패시터용 전극
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제1항에 있어서,상기 다공성 탄소 구조체의 비표면적(Specific Surface Area, SSA)은 800 m2/g 내지 1400 m2/g인, 전고체 슈퍼커패시터용 전극
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제1항에 있어서,상기 전극은 전도성 나노 소재, 및 제1 이온젤을 더 포함하는, 전고체 슈퍼커패시터용 전극
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제5항에 있어서,상기 전도성 나노 소재는 탄소나노튜브, 그래핀, 금속 나노선 및 전도성 고분자 중 적어도 하나인, 전고체 슈퍼커패시터용 전극
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제5항에 있어서,상기 제1 이온젤은 제1 고분자 재료 및 제1 이온성 액체를 포함하는, 전고체 슈퍼커패시터용 전극
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제7항에 있어서,상기 제1 고분자 재료는 호모폴리머, 공중합체, 다중 공중합체 및 이들의 혼합물 중 적어도 하나인, 전고체 슈퍼커패시터용 전극
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제7항에 있어서,상기 제1 이온성 액체는 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 비스(트리플루오로메틸설포닐)이미드([EMI][TFSI]), 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 비스(트리플루오로메틸설포닐)이미드 ([BMI][TFSI]), 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 헥사플루오로포스페이트 ([BMI][PF6]), 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 테트라플루오로보레이트 ([EMI][BF4]), 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 테트라플루오로보레이트(BMI][BF4]), 1-부틸-1-메틸피롤리디늄 비스(트리플루오로메틸설포닐)이미드 [BMPYR][TFSI], 1-부틸-1-메틸피롤리디늄 트리스(펜타플루오로에틸)트리플루오로포스페이트([BMPYR][FAP]), 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 트리스(펜타플루오로에틸)트리플루오로포스페이트 [EMI][FAP], 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 비스(플루오로설포닐)이미드([EMI][FSI]) 및 에틸-디메틸-프로필암모튬 비스(트리플루오로메틸설포닐)이미드([EDMPA][TFSI])로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인, 전고체 슈퍼커패시터용 전극
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제5항에 있어서,상기 전극은 유연성을 갖는, 전고체 슈퍼커패시터용 전극
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제1항의 전극; 및제2 이온젤 전해질;을 포함하는, 전고체 슈퍼커패시터
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제11항에 있어서,상기 제2 이온젤은 제2 고분자 재료 및 제2 이온성 액체를 포함하는, 전고체 슈퍼커패시터
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13
제12항에 있어서,상기 제2 고분자 재료는 호모폴리머, 공중합체, 다중 공중합체 및 이들의 혼합물 중 적어도 하나인, 전고체 슈퍼커패시터
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제12항에 있어서,상기 제2 이온성 액체는 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 비스(트리플루오로메틸설포닐)이미드([EMI][TFSI]), 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 비스(트리플루오로메틸설포닐)이미드 ([BMI][TFSI]), 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 헥사플루오로포스페이트 ([BMI][PF6]), 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 테트라플루오로보레이트 ([EMI][BF4]), 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 테트라플루오로보레이트(BMI][BF4]), 1-부틸-1-메틸피롤리디늄 비스(트리플루오로메틸설포닐)이미드 [BMPYR][TFSI], 1-부틸-1-메틸피롤리디늄 트리스(펜타플루오로에틸)트리플루오로포스페이트([BMPYR][FAP]), 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 트리스(펜타플루오로에틸)트리플루오로포스페이트 [EMI][FAP], 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 비스(플루오로설포닐)이미드([EMI][FSI]) 및 에틸-디메틸-프로필암모튬 비스(트리플루오로메틸설포닐)이미드([EDMPA][TFSI])로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인, 전고체 슈퍼커패시터
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제11항에 있어서,상기 전극은 전도성 나노 소재 및 제1 이온젤을 더 포함하는, 전고체 슈퍼커패시터
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제15항에 있어서,상기 전고체 슈퍼커패시터는 유연 슈퍼커패시터인, 전고체 슈퍼커패시터
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