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제1 면 및 상기 제1 면에 반대되는 제2 면을 갖는 유전체층;상기 제1 면에 배치되며 제1 극성을 가지며, 축퇴된 제1 반도체층;상기 제1 면에 상기 제1 반도체층과 중첩된 영역을 갖도록 배치되며 제2 극성을 가지며, 축퇴된 제2 반도체층;상기 제1 반도체층에 접속된 제1 전극;상기 제2 반도체층에 접속된 제2 전극; 및상기 제2 면에 배치되며, 상기 제1 및 제2 반도체층 중 적어도 하나와 중첩되는 영역을 갖는 제3 전극을 갖는 부성 미분 저항 소자
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제1항에 있어서,상기 제1 반도체층은 p형 반도체층이고, 상기 제1 반도체층은 n형 반도체층이거나,상기 제1 반도체층은 n형 반도체층이고, 상기 제1 반도체층은 p형 반도체층인 부성 미분 저항 소자
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제2항에 있어서,상기 p형 반도체층은 실리콘, 저마늄(Ge), 주기율표의 III-V 족 원소에 대한 반도체, 유기물 반도체, 비유기물인 산화물 반도체, 전이금속 칼코겐 화합물(transition metal dichalcogenide) 및 흑린(phosphorene) 중 적어도 하나로 이루어지고,상기 n형 반도체층은 저마늄(Ge), 주기율표의 III-V 족 원소에 대한 반도체, 유기물 반도체, 비유기물인 산화물 반도체, 전이금속 칼코겐 화합물(transition metal dichalcogenide) 및 이황화레늄(ReS2) 중 적어도 하나로 이루어지는 부성 미분 저항 소자
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4
제3항에 있어서,상기 제1 전극 및 제2 전극은 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 에르븀(Er), 플레티늄(Pt), 금(Au) 및 팔라듐(Pd) 중 적어도 하나로 이루어지는 부성 미분 저항 소자
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5
제1항에 있어서,상기 제1 및 제2 전극 중 적어도 하나는 상기 유전체층과 접하는 영역을 갖는 부성 미분 저항 소자
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제1항에 있어서,상기 유전체층은 육각 질화 붕소(hBN)로 이루어지고,상기 제1 반도체층은 이황화레늄(ReS2)으로 이루어지고,상기 제2 반도체층은 흑린(phosphorene)으로 이루어진 부성 미분 저항 소자
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제6항에 있어서,상기 유전체층은 플라즈마 처리된 부성 미분 저항 소자
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제1항에 있어서,상기 유전체층의 상기 제2 면에는 상기 제3 전극과 중첩하지 않는 영역에 절연층이 더 배치된 부성 미분 저항 소자
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제1 면 및 상기 제1 면에 반대되는 제2 면을 갖는 유전체층;상기 제1 면에 배치되며 각각 제1 및 제2 극성을 가지며, 축퇴된 제1 및 제2 반도체층 - 상기 제2 반도체층은 상기 제1 반도체층과 중첩된 영역을 가짐 -;상기 제1 반도체층에 접속된 제1 전극;상기 제1 전극에 이격하여 배치되며, 상기 제2 반도체층에 접속된 제2 전극 - 상기 제2 전극은 일 방향을 따라 상기 제1 전극과 이격 배치됨-; 및상기 제2 면에 배치되며, 제1 및 제2 반도체층 중 적어도 하나와 각각 중첩되며 상기 일 방향으로 나란하게 배치된 복수의 제3 전극을 갖는 부성 미분 저항 소자
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10
제9항에 있어서,상기 부성 미분 저항 소자의 동작시, 복수의 피크 전류값 및 복수의 벨리 전류값을 갖는 부성 미분 저항 소자
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