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기판의 표면에 원료전구체의 흡착을 방지하는 유기분자박막을 형성하는 단계; 상기 유기분자박막이 형성된 기판 상에 패턴을 갖는 마스크를 도입하는 단계;상기 기판의 목표 영역에만 레이저를 조사하여, 상기 레이저가 조사된 목표 영역 중에 상기 마스크 패턴 사이에 노출된 유기분자박막을 영역 선택적으로 분해시키는 단계;상기 기판의 목표 영역에만 온도가 증가하도록 레이저를 조사하면서 원자층증착법(ALD)을 수행하여, 상기 유기분자박막이 분해된 기판 상에 영역 선택적으로 원자층 박막을 형성하는 단계; 및상기 패턴을 갖는 마스크를 기판으로부터 제거하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 영역 선택적 원자층 증착방법
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제1항에 있어서,상기 유기분자박막을 형성하는 단계에서,상기 유기분자박막은 실란(silane), 포스폰산(phosphonic acid), 설폰산(sulfonic acid), 티올(thiol) 또는 카복실산(Carboxylic acid)을 포함하는 것을 특징으로 하는 영역 선택적 원자층 증착방법
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제1항에 있어서,상기 유기분자박막을 형성하는 단계는 스핀 코팅(spin coating), 화학기상증착법(chemical vapor deposition, CVD), 분자층 증착법(Molecular Layer Deposition, MLD), 액상증착법 또는 플라즈마 중합(plasma polymerization)에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 영역 선택적 원자층 증착방법
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제1항에 있어서,상기 패턴을 갖는 마스크를 도입하는 단계에서,상기 패턴을 갖는 마스크는 섀도우마스크 또는 포토마스크인 것을 특징으로 하는 영역 선택적 원자층 증착방법
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제1항에 있어서,상기 패턴을 갖는 마스크를 도입하는 단계에서,상기 패턴을 갖는 마스크는 상기 유기분자박막이 형성된 기판을 부분적으로 차폐시킴으로써, 레이저 조사 영역 중에 차폐되지 않은 기판 영역에 있는 유기분자박막 만을 분해하고, 레이저 조사 영역 중에 차폐되지 않은 기판 영역만 온도를 상승시켜서 영역 선택적으로 원자층이 형성되도록 하여 원하는 패턴을 갖는 원자층 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 영역 선택적 원자층 증착방법
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제1항에 있어서,상기 레이저의 파장, 강도, 펄스 또는 가간섭성(cogerence)을 조절하여 각각 상이한 유기분자, 원료전구체 및 반응체의 분해 또는 반응을 유도하는 것을 특징으로 하는 영역 선택적 원자층 증착방법
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제1항에 있어서,상기 영역 선택적으로 원자층 박막을 형성하는 단계는,상기 기판의 목표 영역에만 온도가 증가하도록 레이저를 조사하면서 원료전구체 가스를 공급하여, 상기 마스크 패턴 사이에 노출되어 유기분자박막이 분해된 기판 상에 원료전구체를 영역 선택적으로 화학 흡착시키는 단계;상기 기판 상에 화학 흡착되지 않은 원료전구체를 제거하는 단계;상기 기판의 목표 영역에만 온도가 증가하도록 레이저를 조사하면서 반응체 가스를 공급하여, 상기 반응체를 상기 화학 흡착된 원료전구체와 반응시켜서 상기 마스크 패턴 사이에 노출되어 유기분자박막이 분해된 기판 상에 영역 선택적으로 원자층 박막을 형성하는 단계; 및상기 원료전구체와 반응하지 않은 반응체를 제거하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 영역 선택적 원자층 증착방법
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제7항에 있어서,상기 원료전구체를 영역 선택적으로 화학 흡착시키는 단계에서,상기 원료전구체 가스는 금속원소 또는 세라믹을 포함하는 것을 특징으로 하는 영역 선택적 원자층 증착방법
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제7항에 있어서,상기 영역 선택적으로 원자층 박막을 형성하는 단계에서,상기 반응체 가스는 산소, 질소 또는 황을 포함하는 것을 특징으로 하는 영역 선택적 원자층 증착방법
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제1항에 있어서,상기 기판의 목표 영역에만 온도가 증가하도록 레이저를 조사하면서 원자층증착법(ALD)을 수행하여, 상기 유기분자박막이 분해된 기판 상에 영역 선택적으로 원자층 박막을 형성하는 단계; 를 1회 이상 반복 수행하는 것을 특징으로 하는 영역 선택적 원자층 증착방법
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제1항의 영역 선택적 원자층 증착방법에 의해 제조된 박막
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