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하부 기판, 상기 하부 기판 상의 하부 전극, 상기 하부 전극 상의 하부 범프 층, 및 상기 하부 범프 층 상의 환원제 층을 포함하는 하부 소자를 준비하는 단계;상부 기판, 상기 상부 기판 상의 상부 전극, 및 상기 상부 전극 상의 상부 범프 층을 포함하는 상부 소자를 제공하는 단계;상기 상부 기판 상에 가압 부재를 제공하여 상기 상부 기판을 상기 하부 기판에 압착하는 단계; 및상기 가압 부재를 투과하는 레이저 빔을 상기 상부 기판에 제공하여 상기 상부 기판 및 상기 상부 전극의 전도 열을 이용하여 상기 하부 범프 층, 상기 환원제 층, 및 상기 상부 범프 층을 금속간 화합물 층으로 형성시키는 단계를 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 하부 소자는:상기 하부 범프 층과 상기 환원제 층 사이의 경화제 층; 및 상기 경화제 층과 상기 환원제 층 사이의 베이스 물질 층을 더 포함하는 반도체 패키지의 제조방법
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제 2 항에 있어서,상기 경화제 및 상기 베이스 물질 층은 상기 금속간 화합물 층 둘레의 보호 층으로 형성되는 반도체 패키지의 제조 방법
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제 3 항에 있어서,상기 레이저 빔을 투과하는 DI 워터 내에 상기 하부 소자와 상기 상부 소자를 침지하는 단계를 더 포함하되,상기 DI 워터는 상기 보호 층을 상기 하부 전극 및 상기 상부 전극의 둘레에 상기 보호 층을 형성시키는 반도체 패키지의 제조방법
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제 4 항에 있어서,상기 DI 워터를 버블링시키는 단계를 더 포함하는 반도체 패키지의 제조방법
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제 4 항에 있어서,상기 DI 워터를 제거하여 상기 하부 소자 및 상기 상부 소자를 건조하는 단계를 더 포함하는 반도체 패키지의 제조방법
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제 2 항에 있어서,상기 경화제는 알리파틱 아민을 포함하되,상기 베이스 물질 층은 에폭시를 포함하는 반도체 패키지의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 하부 소자는 상기 하부 범프 층과 상기 환원제 층 사이의 흡수 층을 더 포함하는 반도체 패키지의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 흡수 층은:판상 흡수체; 및상기 판상 흡수체에 결합되는 금속 파우더를 포함하는 반도체 패키지의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 판상 흡수체는 그래핀을 포함하는 반도체 패키지의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 금속 파우더는 니켈 또는 구리를 포함하는 반도체 패키지의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 하부 기판은 상기 상부 소자 외곽의 격벽들을 더 포함하는 반도체 패키지의 제조방법
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제 12 항에 있어서,상기 가압 부재와 상기 격벽들 사이 및 상기 가압 부재와 상기 상부 기판 사이의 폴리머 필름을 제공하는 단계 더 포함하는 반도체 패키지의 제조방법
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제 13 항에 있어서,상기 폴리머 필름은 투명하고 아래로 볼록한 모양을 갖는 반도체 패키지의 제조방법
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제 13 항에 있어서,상기 폴리머 필름은 PMMA, 폴리아크릴레이트, 또는 폴리이미드를 포함하는 반도체 패키지의 제조방법
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제 12 항에 있어서,상기 가압 부재와 상기 격벽들 사이 및 상기 가압 부재와 상기 상부 기판 사이의 탄성 부재를 제공하는 단계를 더 포함하되,상기 탄성 부재는 PDMA, 실리콘 또는 실리카를 포함하는 반도체 패키지의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 하부 범프 층은 니켈, 구리, 및 니켈 구리 합금을 포함하는 반도체 패키지의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 환원제 층은 카르복실 하이드레이트, 하이드록실 하이드레이트, 및 패놀릭 하이드레이트의 수화물을 포함하는 반도체 패키지의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 상부 범프 층은 주석, 인듐, 주석 비스무스, 주석 은 구리, 주석 은, 금 주석, 인듐 주석, 및 비스무스 인듐 주석의 솔더를 포함하는 반도체 패키지의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 하부 기판은 발광 소자를 포함하되,상기 상부 기판은 리드를 포함하는 반도체 패키지의 제조방법
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