| 1 |
1
DWS 방식으로 제작된 실리콘 웨이퍼의 표면에 텍스쳐를 형성하는 방법에 있어서,준안정 실리콘 상을 포함하는 상변환층이 형성된 실리콘 웨이퍼의 표면을 세정하는 제 1 단계;세정된 실리콘 웨이퍼를 결정화 처리하여 웨이퍼 표면에 상변환층 영역과 결정질층 영역을 포함하는 혼재층을 형성하는 제 2 단계;습식 세정 용액을 통해 혼재층이 형성된 실리콘 웨이퍼의 표면을 세척하는 제 3 단계; 및세척된 실리콘 웨이퍼를 산 용액에 침지시켜 웨이퍼 표면에 텍스쳐가 형성되도록 식각하는 제 4 단계를 포함하는 습식 텍스쳐링 방법
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 제 1 단계는:수산화 암모늄, 과산화 수소 및 탈 이온수를 포함한 제 1 세정용액을 이용하여 표면 불순물과 실리콘 산화막을 제거하는 SC-1 세정단계; 및염산, 과산화 수소 및 탈 이온수를 포함한 제 2 세정용액을 이용하여 중금속을 제거하는 SC-2 세정단계를 포함하는 습식 텍스쳐링 방법
|
| 3 |
3
제 2 항에 있어서,상기 제 2 단계에서,상기 결정화 처리는 600~1000℃의 범위 내 온도에서 5~20 분동안 열처리하여 수행되는 습식 텍스쳐링 방법
|
| 4 |
4
제 3 항에 있어서,상기 제 2 단계는,질소, 산소, 수소 중 선택된 하나의 기체 또는 이들 중 선택된 둘 이상의 혼합기체를 포함하는 가스분위기에서 수행되는 습식 텍스쳐링 방법
|
| 5 |
5
제 4 항에 있어서,상기 제 2 단계는,상기 준안정 실리콘 상의 결정화를 유도하여, 상기 상변환층의 일부 영역에서 결정질층이 형성되는 습식 텍스쳐링 방법
|
| 6 |
6
제 5 항에 있어서,상기 제 3 단계에서,상기 습식 세정 용액은 농도 10%의 불산과 탈 이온수가 1:10~100의 비율로 혼합된 혼합용액인 습식 텍스쳐링 방법
|
| 7 |
7
제 6 항에 있어서,상기 제 4 단계에서,상기 산 용액은 농도 47~49%의 불산, 농도 69~71%의 질산 및 탈 이온수가 1:5-8:6-9의 비율로 혼합된 혼합용액인 습식 텍스쳐링 방법
|
| 8 |
8
제 7 항에 있어서,상기 제 4 단계에서,세척된 실리콘 웨이퍼를 상기 산 용액에 7~10℃의 온도 범위내에서 3~5분간 침지하는 습식 텍스쳐링 방법
|
| 9 |
9
제 8 항에 있어서,상기 제 4 단계는,상기 혼재층에 포함된 상변환층이 에칭 마스크의 역할을 하여, 선택적으로 상기 결정질층의 일부 또는 전부를 식각하는 습식 텍스쳐링 방법
|
