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산화물 반도체 박막 트랜지스터의 저온 패시베이션 방법에 있어서,반도체를 열처리하여 산화시키는 단계;상기 열처리한 후 산화된 절연체 표면을 사전 세정(preclean)하는 단계;상기 사전 세정(preclean)을 한 후 절연체 표면에 InGaZnO, InGaO, InSnZnO, SnO, ZnO, InHfZnO, InZrZnO, InAlZnO 및 IZO로 이루어진 산화물반도체 군에서 선택된 어느 하나인 것으로 채널층을 형성시키는 단계;상기 채널층이 증착된 산화물 반도체를 어닐링하는 단계;상기 어닐링 단계를 거친 채널층이 증착된 산화물 반도체에 소스 전극 및 드레인 전극으로써 금속을 형성시키는 단계;상기 소스 전극 및 드레인 전극이 증착된 산화물 반도체에 SAM 물질로서 Hexamethyldisilazane(C6H19NSi2), Octyltrichlorosilane(C8H17Cl3Si), Octadecyltrichlorosilane (C18H37Cl3Si), Docosyltrichlorosilane(C22H45Cl3Si), Phenethyltrichlorosilane(C8H9Cl3Si), 3-Aminopropyltriethoxysilane(C9H23NO3Si), Trichloro(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-tridecafluorooctyl)silane(C8H4Cl3F13Si), (3-Mercaptopropyl)trimethoxysilane(C6H16O3SSi), Triethoxyoctylsilane(C14H32O3Si), (3-Chloropropyl)triethoxysilane(C9H21ClO3Si), 1-Propanethiol, 3-(triethoxysilyl)(C9H22O3SSi), 3-Aminopropyltriethoxysilane(C9H23NO3Si), Decylphosphonic acid(C10H23O3P), Hexylphosphonic acid(C6H15O3P), Tetradecylphosphonic acid(C14H31O3P), Octadecylphosphonic acid(C18H39O3P) 및 Lauric acid (C12H24O2)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것으로 패시베이션층을 증착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 저온 패시베이션 방법
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제 1항에 있어서,상기 사전 세정(preclean)과정으로, 이산화규소(SiO2)가 형성된, 도핑된 실리콘 웨이퍼를 아세톤, 아이소프로판올(isopropanol), DI(deionized) water 순으로 초음파 발생 수조(ultrasonication bath)에서 각각 5분 내지 10분간 처리한 이후, UV-오존 처리를 30분 내지 60분간 수행한 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 저온 패시베이션 방법
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