| 1 |
1
화학식1a 또는 화학식1b로 표시되는 이오노머를 포함하는 전해질막
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 이오노머는 하기 화학식2로 표시되는 것인 전해질막
|
| 3 |
3
제1항 또는 제2항의 전해질막을 포함하는 연료전지
|
| 4 |
4
제1항 또는 제2항의 전해질막을 포함하는 수전해 장치
|
| 5 |
5
플루오렌계 단량체 및 할로겐 원소를 포함하는 탄소수 2 내지 10의 탄화수소 화합물을 산 촉매의 존재 하에서 반응시켜 제1 전구체를 제조하는 단계;상기 제1 전구체와 페놀계 화합물을 반응시켜 제2 전구체를 제조하는 단계;상기 제2 전구체를 술폰산계 화합물과 반응시켜 화학식1a로 표시되는 이오노머를 제조하는 단계;[화학식1a](화학식1a에서, R1은 수소 또는 탄소수 1 내지 3의 알킬기를 포함하고; R2는 수소 또는 탄소수 1 내지 3의 알킬기를 포함하고; R3는 수소, 비치환된 탄소수 1 내지 3의 알킬기 및 할로겐 원소로 치환된 탄소수 1 내지 3의 알킬기 중 적어도 어느 하나를 포함하고; R4는 탄소수 1 내지 7의 알킬기를 포함하고; R5는 비치환된 탄소수 3 내지 7의 알킬기, 할로겐 원소로 치환된 탄소수 3 내지 7의 알킬기 및 상기 비치환된 또는 치환된 알킬기의 탄소의 일부가 산소로 치환된 에테르기(Ether group) 중 적어도 어느 하나를 포함하고, n은 10 내지 2,000의 정수이다)상기 이오노머 및 용매를 포함하는 고분자 용액을 준비하는 단계; 및상기 고분자 용액을 기재상에 도포하여 전해질막을 제조하는 단계;를 포함하는 전해질막의 제조방법
|
| 6 |
6
제5항에 있어서,상기 제1 전구체는 하기 화학식3으로 표시되는 것인 전해질막의 제조방법
|
| 7 |
7
제5항에 있어서,상기 제2 전구체는 하기 화학식4로 표시되는 것인 전해질막의 제조방법
|
| 8 |
8
제5항에 있어서,상기 산 촉매는 Aluminium Chloride, Trifluoromethanesulfonic acid, Hydrochloric acid, hydrofluoric acid, Paratoluene acid 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 전해질막의 제조방법
|
| 9 |
9
제5항에 있어서,상기 제1 전구체는 5℃ 내지 25℃의 온도에서 1시간 내지 2시간 동안 반응시켜 제조하는 것인 전해질막의 제조방법
|
| 10 |
10
제5항에 있어서, 상기 제1 전구체의 중량 평균 분자량은 10,000g/mol 내지 1,000,000g/mol인 전해질막의 제조방법
|
| 11 |
11
제5항에 있어서,상기 제2 전구체의 중량 평균 분자량은 10,000g/mol 내지 1,500,000g/mol인 전해질막의 제조방법
|
