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하부 전극층;하부 전극층 상에 형성되고, 1V 이상의 전압에서 비가역적 전도성 경로를 형성하는 제1 금속 산화물층;제1 금속 산화물층 상에 형성되고, 1nm의 두께 당 0
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제1항 있어서,필라멘트 소멸 상태의 전류값에 대한 필라멘트 생성 상태의 전류값의 비율이 1x104이상인 필라멘트 기반 소자
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제1항에 있어서, 상기 하부 전극층은 Pt, Au, Ir, TiN, W, Ru, Al, Ta 및 Ni로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 필라멘트 기반 소자
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제1항에 있어서, 상기 상부 전극층은 Au, Ir, Ti, Cu, Al, Ta 및 Ni로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 필라멘트 기반 소자
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제1항 있어서,상기 제1 금속 산화물층은 AlOx(x는 1 내지 2)를 포함하는 필라멘트 기반 소자
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제1항 있어서,상기 제2 금속 산화물층은 TiOx(x는 1 내지 2)를 포함하는 필라멘트 기반 소자
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7
삭제
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8
삭제
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기판 상에 하부 전극층을 형성하는 단계;하부 전극층 상에 원자층 증착 장비(atomic layer deposition, ALD)를 이용하여 원자층 증착 방법으로 제1 금속 산화물층을 형성하는 단계;제1 금속 산화물층 상에 원자층 증착 장비를 이용하여 원자층 증착 방법으로 제2 금속 산화물층을 형성하는 단계; 및제2 금속 산화물층 상에 상부 전극층을 증착 및 패터닝하는 단계를 포함하는 제1항의 필라멘트 기반 소자의 제조방법
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제1항의 필라멘트 기반 소자를 포함하는 저항 변화 메모리
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음 전압을 인가하여 전도성 필라멘트를 생성시키는 제1 포밍 단계; 및양 전압을 인가하여 전도성 필라멘트를 생성시키는 제2 포밍 단계를 포함하고,양 전압에서 셋-스위칭(set-switching) 및 음 전압에서 리셋-스위칭(reset-switching)이 나타나는 제10항의 저항 변화 메모리의 구동 방법
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