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고전도성과 다공성을 동시에 갖는 그래핀 산화물 종이 제조 방법

  • 기술번호 : KST2022003802
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 고전도성과 다공성을 동시에 갖는 그래핀 산화물 종이 제조 방법이 개시된다. 일 실시예에 따른 그래핀 산화물 종이 제조 방법은 그래핀 산화물 입자가 포함된 그래핀 산화물 분산액을 이용하여 그래핀 산화물 종이를 제조하는 단계와, 상기 그래핀 산화물 종이를 환원하고, 환원된 그래핀 산화물 종이에 금속염을 코팅하는 단계와, 상기 금속염이 코팅된 그래핀 산화물 종이에 다공성이 형성되도록 상기 금속염이 코팅된 그래핀 산화물 종이를 열처리하는 단계를 포함한다.
Int. CL C01B 32/198 (2017.01.01) C01B 32/194 (2017.01.01)
CPC C01B 32/198(2013.01) C01B 32/194(2013.01) C01B 2204/22(2013.01) C01P 2006/40(2013.01)
출원번호/일자 1020200003262 (2020.01.09)
출원인 건국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-2298215-0000 (2021.08.31)
공개번호/일자 10-2021-0089995 (2021.07.19) 문서열기
공고번호/일자 (20210903) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.01.09)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 건국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤용주 서울특별시 광진구
2 양희연 서울특별시 광진구
3 이현주 서울특별시 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 건국대학교 산학협력단 서울특별시 광진구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.01.09 수리 (Accepted) 1-1-2020-0026088-88
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2020.11.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2020.12.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2021-0044400-13
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2021.03.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0209435-02
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2021.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2021-0541514-63
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2021.05.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2021-0541513-17
7 등록결정서
Decision to grant
2021.08.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0680475-98
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번호 청구항
1 1
그래핀 산화물 입자가 포함된 그래핀 산화물 분산액을 이용하여 그래핀 산화물 종이를 제조하는 단계;상기 그래핀 산화물 종이를 환원하고, 상기 그래핀 산화물 종이의 전기 전도성을 위해 환원된 그래핀 산화물 종이에 금속염을 코팅하는 단계; 및상기 금속염이 코팅된 그래핀 산화물 종이에 다공성이 형성되도록 상기 금속염이 코팅된 그래핀 산화물 종이를 열처리하는 단계를 포함하고,상기 코팅하는 단계는,상기 그래핀 산화물 종이를 요오드화 수소산에 담그어 화학적으로 환원하고, 상기 환원된 그래핀 산화물 종이를 일정한 온도 및 압력으로 열압착하여 균일화된 그래핀 산화물 종이를 생성하는 단계; 및상기 균일화된 그래핀 산화물 종이에 상기 금속염인 금속 나노 입자를 코팅하는 단계를 포함하는, 그래핀 산화물 종이 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 제조하는 단계는,상기 그래핀 산화물 입자를 고순도 증류수에 첨가하는 단계;상기 그래핀 산화물 입자가 첨가된 고순도 증류수를 초음파로 분산하여 상기 그래핀 산화물 분산액을 생성하는 단계; 및상기 그래핀 산화물 분산액을 진공 건조하여 상기 그래핀 산화물 종이를 제조하는 단계를 포함하는 그래핀 산화물 종이 제조 방법
3 3
제2항에 있어서,상기 그래핀 산화물 분산액에 포함된 그래핀 산화물 입자의 농도는 2mg/ml 내지 10mg/ml 중에서 적어도 하나인 그래핀 산화물 종이 제조 방법
4 4
제2항에 있어서,상기 그래핀 산화물 분산액을 진공 건조하여 상기 그래핀 산화물 종이를 제조하는 단계는,상기 그래핀 산화물 분산액을 유리 또는 폴리스틸렌 용기에 옮긴 후, 진공 오븐에서 건조하는 단계를 포함하는 그래핀 산화물 종이 제조 방법
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서,상기 금속염인 금속 나노 입자를 코팅하는 단계는,상기 균일화된 그래핀 산화물 종이를 금속염 수용액에 담근 후, 비활성 가스 조건에서 건조하여 상기 균일화된 그래핀 산화물 종이의 표면에 상기 금속 나노 입자를 코팅하는 단계를 포함하는 그래핀 산화물 종이 제조 방법
7 7
제6항에 있어서,상기 균일화된 그래핀 산화물 종이의 표면에 상기 금속 나노 입자를 코팅하는 단계는,상기 균일화된 그래핀 산화물 종이를 상기 금속염 수용액인 AgNO3 용액에 담근 후, hydroquinone 환원제를 추가하여 반응함으로써, 상기 균일화된 그래핀 산화물 종이의 표면에 상기 금속 나노 입자를 코팅하는 단계를 포함하는 그래핀 산화물 종이 제조 방법
8 8
제6항에 있어서,상기 온도는 70°C 내지 100°C 중에서 어느 하나이고,상기 압력은 1M Pa 내지 10M Pa 중에서 어느 하나인 그래핀 산화물 종이 제조 방법
9 9
제6항에 있어서,상기 금속 나노 입자는 알루미늄(Al), 구리(Cu), 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt) 및 팔라듐(Pd) 중에서 어느 하나인 그래핀 산화물 종이 제조 방법
10 10
제6항에 있어서,상기 균일화된 그래핀 산화물 종이의 표면에 코팅된 금속 나노 입자의 크기는 1nm 내지 50nm 중에서 어느 하나인 그래핀 산화물 종이 제조 방법
11 11
제6항에 있어서,상기 금속 나노 입자가 코팅된 그래핀 산화물 종이의 면저항은 0
12 12
제1항에 있어서,상기 열처리하는 단계는,비활성 가스 조건에서 상기 금속염 코팅된 그래핀 산화물 종이를 마이크로파 소결하여 상기 금속염인 금속 나노 입자가 코팅된 그래핀 산화물 종이를 열처리하는 단계를 포함하는 그래핀 산화물 종이 제조 방법
13 13
제12항에 있어서,상기 금속염인 금속 나노 입자가 코팅된 그래핀 산화물 종이를 열처리하는 단계는,비활성 가스가 충만한 유리 용기에 상기 금속 나노 입자가 코팅된 그래핀 산화물 종이를 넣은 후, 마이크로파를 이용하여 소결함으로써, 상기 금속 나노 입자가 코팅된 그래핀 산화물 종이 전체에 상기 금속 나노 입자가 형성됨과 동시에 다공성이 형성되게 하는 단계를 포함하는 그래핀 산화물 종이 제조 방법
14 14
제13항에 있어서,상기 마이크로파의 소결 에너지는 0
15 15
제13항에 있어서,상기 비활성 가스는 아르곤(Ar) 및 질소(N2) 중에서 어느 하나인 그래핀 산화물 종이 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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1 산업통상자원부 (주)루트제이드 국제공동기술개발사업 그래핀 기술 기반 에너지 저장용 고효율 시스템 개발