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기판 전면 상에 하부 보호층을 형성하는 단계;상기 하부 보호층 상에 비정질 탄소(C), 비정질 실리콘(Si) 또는 비정질 질화붕소(BN)를 포함하여 이루어진 비정질 박막을 형성하는 단계;상기 비정질 박막 상에 금속 박막을 형성하는 단계;급속 열처리(Rapid Thermal Process, RTP)하여 상기 비정질 박막을 결정질 박막으로 결정화시키는 단계;상기 결정화시키는 단계 이후에 상기 금속 박막을 제거하는 단계;상기 결정질 박막 상에 상부 보호층을 형성하는 단계; 및상기 기판의 후면 일부를 식각하여 상기 하부 보호층 일부를 노출시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 펠리클 구조체 제조 방법
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기판 전면 상에 금속 박막을 형성하는 단계;상기 금속 박막 상에 비정질 탄소(C), 비정질 실리콘(Si) 또는 비정질 질화붕소(BN)를 포함하여 이루어진 비정질 박막을 형성하는 단계;급속 열처리(Rapid Thermal Process, RTP)하여 상기 비정질 박막을 결정질 박막으로 결정화시키는 단계;상기 결정질 박막 상에 상부 보호층을 형성하는 단계;상기 기판의 후면 일부를 식각하여 상기 금속 박막 일부를 노출시키는 단계;상기 노출된 금속 박막을 식각하여 상기 결정질 박막 일부를 노출시키는 단계; 및상기 노출된 결정질 박막 하부에 하부 보호층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 펠리클 구조체 제조 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 상부 보호층을 형성하는 단계 이전에,상기 결정질 박막 상에 열 방출층을 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 상부 보호층은 상기 열 방출층 상에 형성하는 것을 특징으로 하는 펠리클 구조체 제조 방법
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제3항에 있어서,상기 열 방출층은,루쎄늄(Ru), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 펠리클 구조체 제조 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 상부 보호층 및 상기 하부 보호층은 질화실리콘(SiN)을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 펠리클 구조체 제조 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 결정화시키는 단계는,상기 결정질 박막의 라만 분광법(Raman Spectroscopy)의 sp2 결합에 해당하는 피크의 강도(intensity)(G 피크의 강도, IG)에 대한 라만 분광법의 sp3 결합에 해당하는 피크의 강도(D 피크의 강도, ID)의 비(ID/IG)가 0
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 결정화시키는 단계는,상기 금속 박막과 상기 비정질 박막의 계면에서 상기 비정질 박막의 결정화가 진행되도록 하는 조건에서 급속 열처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 펠리클 구조체 제조 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 결정화시키는 단계는,800 ℃ 이상의 열처리 온도에서 5 ~ 60초 동안 급속 열처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 펠리클 구조체 제조 방법
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9
제8항에 있어서,상기 열처리 온도는 초당 100 ℃ 이상으로 승온시켜 도달하는 것을 특징으로 하는 펠리클 구조체 제조 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 비정질 박막은 비정질 탄소 박막이고,상기 결정질 박막은 다층 그래핀(multilayer graphene) 박막인 것을 특징으로 하는 펠리클 구조체 제조 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 금속 박막은,코발트(Co), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 루쎄늄(Ru), 이리듐(Ir), 플래티넘(Pt) 중 적어도 하나 이상을 포함하여 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 펠리클 구조체 제조 방법
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