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금속-절연체-전이 스위칭 현상이 일어나는 스위칭 영역; 및 금속-절연체-전이 스위칭 현상이 일어나도록 상기 스위칭 영역에 임계전류를 공급하는 구동 영역을 포함하되,상기 스위칭 영역 및 상기 구동 영역은 하나의 실리콘 기판에 존재하는 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 모놀리식 금속-절연체-전이 소자
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제1 항에 있어서, 상기 구동 영역 상의 제1 및 제2 소스/드레인 영역들;상기 제1 및 제2 소스/드레인 영역들 사이의 게이트 전극;상기 스위칭 영역에 상기 기판의 상면과 인접하게 형성되고, 제1 도전형의 불순물이 도핑된 인렛 웰 영역;상기 인렛 웰 영역과 상기 기판의 하면 사이에, 제1 도전형과 다른 제2 도전형의 불순물이 도핑된 콘트롤 웰 영역; 상기 제1 소스/드레인 영역 및 상기 콘트롤 웰 영역을 전기적으로 연결하는 제1 배선; 및상기 제2 소스/드레인 영역 및 상기 인렛 웰 영역을 전기적으로 연결하는 제2 배선을 더 포함하고,상기 실리콘 기판은 상기 제1 도전형의 불순물로 도핑되는 모놀리식 금속-절연체 전이 소자
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구동 영역 및 스위칭 영역을 포함하는 기판;상기 구동 영역 상의 제1 및 제2 소스/드레인 영역들;상기 제1 및 제2 소스/드레인 영역들 사이의 게이트 전극;상기 스위칭 영역 상에 상기 기판의 상면과 인접하게 형성된 인렛 웰 영역;상기 인렛 웰 영역과 상기 기판의 하면 사이에, 상기 인렛 웰 영역과 다른 도전형을 갖는 콘트롤 웰 영역; 상기 제1 소스/드레인 영역 및 상기 콘트롤 웰 영역을 전기적으로 연결하는 제1 배선; 및상기 제2 소스/드레인 영역 및 상기 인렛 웰 영역을 전기적으로 연결하는 제2 배선을 포함하는 모놀리식 금속-절연체 전이 소자
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제3 항에 있어서,상기 제2 소스/드레인 영역을 감싸며 상기 게이트 전극의 아래로 연장된 확장 영역을 더 포함하되,상기 확장 영역은 상기 제2 소스/드레인 영역에 비해 낮은 불순물 농도를 갖는 모놀리식 금속-절연체 전이 소자
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제3 항에 있어서,상기 제1 소스/드레인 영역은 제1 도전형의 제1 불순물 영역 및 상기 제1 도전형과 다른 제2 도전형의 제2 불순물 영역을 포함하는 모놀리식 금속-절연체 전이 소자
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제3 항에 있어서,상기 제1 배선과 제1 소스/드레인 영역을 연결하는 제1 콘택 및 상기 제2 배선과 상기 인렛 웰 영역을 연결하는 인렛 콘택을 더 포함하되,상기 인렛 콘택의 하단은 상기 제1 콘택의 하단에 비해 큰 폭을 갖는 모놀리식 금속-절연체 전이 소자
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제3 항에 있어서,상기 제2 배선과 상기 인렛 웰 영역을 연결하는 인렛 콘택을 더 포함하되, 상기 인렛 콘택의 하단은 상기 게이트 전극에 비해 큰 폭을 갖는 모놀리식 금속-절연체 전이 소자
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제3 항에 있어서,상기 구동 영역 상에 상기 제1 및 제2 소스/드레인 영역을 둘러싸는 채널 웰 영역을 더 포함하고, 상기 채널 웰 영역은 상기 기판과 다른 도전형을 갖는 모놀리식 금속-절연체 전이 소자
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제3 항에 있어서,상기 제2 소스/드레인 영역은 상기 인렛 웰 영역과 동일한 도전형을 갖는 모놀리식 금속-절연체 전이 소자
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제3 항에 있어서,상기 스위칭 영역 상의 금속-절연체 전이 트랜지스터를 포함하고, 상기 금속-절연체 전이 트랜지스터는 부성 미분 저항 (NDR: Negative Differential Resistance)모드로 작동하는 모놀리식 금속-절연체 전이 소자
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제3 항에 있어서,상기 기판의 하면 상에, 상기 기판과 전기적으로 연결되는 하부 전극을 더 포함하는 모놀리식 금속-절연체 전이 소자
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제3 항에 있어서,상기 콘트롤 웰 영역 내에 상기 콘트롤 웰 영역에 비해 높은 불순물 농도를 갖는 복수의 콘트롤 콘택 영역들을 더 포함하는 모놀리식 금속-절연체 전이 소자
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제3 항에 있어서,상기 기판은 하부층 및 상기 하부층 상에 상기 하부층에 비해 낮은 불순물 농도를 갖는 상부층을 포함하고,상기 콘트롤 웰 영역은 상기 상부층 내에 배치되어, 상기 하부층과 연결되는 모놀리식 금속-절연체 전이 소자
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하부 전극;상기 하부 전극 상에 제1 도전형을 갖는 기판, 상기 기판은 구동 영역 및 스위칭 영역을 포함하고;상기 스위칭 영역 상에 상기 제1 도전형과 다른 제2 도전형을 갖는 콘트롤 웰 영역;상기 콘트롤 웰 영역 내에 상기 제1 도전형을 갖는 인렛 웰 영역;상기 구동 영역 상에 상기 제1 도전형을 갖는 제1 불순물 영역 및 상기 제2 도전형을 갖는 제2 불순물 영역을 포함하는 제1 소스/드레인 영역;상기 구동 영역 상에 상기 제1 도전형을 갖는 제1 및 제2 소스/드레인 영역;상기 제1 소스/드레인 영역 및 상기 제2 소스/드레인 영역들 사이의 게이트 전극을 포함하되,상기 제1 소스/드레인 영역은 상기 콘트롤 웰 영역과 전기적으로 연결되고, 상기 제2 소스/드레인 영역은 인렛 웰 영역과 전기적으로 연결되는 모놀리식 금속-절연체 전이 소자
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제14 항에 있어서,상기 제2 소스/드레인 영역을 감싸며 상기 게이트 전극의 아래로 연장된 확장 영역을 포함하되,상기 확장 영역은 상기 제1 도전형을 갖고,상기 확장 영역은 상기 제2 소스/드레인 영역에 비해 낮은 불순물 농도를 갖는 모놀리식 금속-절연체 전이 소자
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제14 항에 있어서,상기 기판의 하면 상에, 상기 기판과 전기적으로 연결되는 하부 전극을 더 포함하는 모놀리식 금속-절연체 전이 소자
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제14 항에 있어서,상기 구동 영역 상에 상기 제1 및 제2 소스/드레인 영역을 둘러싸는 채널 웰 영역을 포함하고, 상기 채널 웰 영역은 상기 제2 도전형을 갖는 모놀리식 금속-절연체 전이 소자
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제14 항에 있어서,상기 제2 소스/드레인 영역은 상기 제1 도전형을 갖는 모놀리식 금속-절연체 전이 소자
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제14 항에 있어서,상기 콘트롤 웰 영역 내에 상기 콘트롤 웰 영역에 비해 높은 불순물 농도를 갖는 복수의 콘트롤 콘택 영역들을 포함하는 모놀리식 금속-절연체 전이 소자
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제14 항에 있어서,상기 기판은 하부층 및 상기 하부층 상에 상기 하부층에 비해 낮은 불순물 농도를 갖는 상부층을 포함하고,상기 콘트롤 웰 영역은 상기 상부층 내에 배치되어, 상기 하부층과 접촉하는 모놀리식 금속-절연체 전이 소자
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