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듀얼 반응기 및 그를 포함하는 파우더 ALD 장치

  • 기술번호 : KST2022004044
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 히터로부터 열을 효과적으로 전달받아 보다 짧은 시간에 목표 온도에 도달할 수 있는 듀얼 반응기 및 그를 포함하는 파우더 원자층 증착(Atomic Layer Deposition; ALD) 장치에 관한 것이다. 본 발명은 관형으로 내부 반응기 보다 열 복사율이 높은 외부 반응기와, 외부 반응기의 내주면에 결합되는 관형으로 외부 반응기 보다 열 전도율이 높은 내부 반응기를 포함하는 듀얼 반응기 및 그를 포함하는 파우더 ALD 장치를 제공한다.
Int. CL C23C 16/455 (2006.01.01) C23C 16/44 (2006.01.01)
CPC C23C 16/45544(2013.01) C23C 16/4417(2013.01)
출원번호/일자 1020200131752 (2020.10.13)
출원인 한국전자기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0049072 (2022.04.21) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.10.13)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김형근 경기도 용인시 수지구
2 이우성 경기도 성남시 분당구
3 유명재 서울특별시 광진구
4 윤성호 경기도 군포시 번영로***번길 * 무궁화아파트 *
5 이규현 경기도 수원시 팔달구
6 김혜영 경기도 부천시 성지로*
7 전준혁 경기도 수원시 장안구
8 길민종 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박종한 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 * (구로동, 에이스하이엔드타워*차) ***호(한림특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.10.13 수리 (Accepted) 1-1-2020-1078260-11
2 보정요구서
Request for Amendment
2020.10.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2020-0152001-98
3 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2020.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2020-1120918-86
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.11.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-1186585-00
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2022.03.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
관형으로 내부 반응기 보다 열 복사율이 높은 외부 반응기; 및상기 외부 반응기의 내주면에 결합되는 관형으로, 상기 외부 반응기 보다 열 전도율이 높은 상기 내부 반응기;를 포함하는 파우더 ALD 장치용 듀얼 반응기
2 2
제1항에 있어서,상기 외부 반응기의 소재는 스테인리스 스틸이고, 상기 내부 반응기의 소재는 알루미늄인 것을 특징으로 하는 파우더 ALD 장치용 듀얼 반응기
3 3
제2항에 있어서,상기 외부 반응기는 0
4 4
제3항에 있어서,상기 내부 반응기는 0
5 5
제1항에 있어서,상기 내부 반응기의 두께가 상기 외부 반응기의 두께 보다는 두꺼운 것을 특징으로 하는 파우더 ALD 장치용 듀얼 반응기
6 6
제1항에 있어서,상기 외부 반응기와 상기 내부 반응기는 끼움 결합되어 상기 외부 반응기의 내주면에 상기 내부 반응기의 외주면이 밀착되는 것을 특징으로 하는 파우더 ALD 장치용 듀얼 반응기
7 7
제6항에 있어서,상기 외부 반응기의 내주면과 상기 내부 반응기의 외주면에 서로 대응되게 형성된 키와, 상기 키에 결합되는 키홈을 이용하여 끼움 결합되는 것을 특징으로 하는 파우더 ALD 장치용 듀얼 반응기
8 8
열을 공급하는 열원; 및상기 열원으로부터 열을 공급받아 내부에 제공된 파우더의 표면에 원자층 증착(Atomic Layer Deposition; ALD)을 수행하는 듀얼 반응기;를 포함하고,상기 듀얼 반응기는,관형으로 내부 반응기 보다 열 복사율이 높은 외부 반응기; 및상기 외부 반응기의 내주면에 결합되는 관형으로, 상기 외부 반응기 보다 열 전도율이 높은 상기 내부 반응기;를 포함하는 파우더 ALD 장치
9 9
제8항에 있어서,상기 열원은 상기 듀얼 반응기의 외주면을 둘러싸는 관형의 히터인 것을 특징으로 하는 파우더 ALD 장치
10 10
제8항에 있어서,상기 외부 반응기의 소재는 스테인리스 스틸이고, 상기 내부 반응기의 소재는 알루미늄인 것을 특징으로 하는 파우더 ALD 장치
11 11
제10항에 있어서,상기 외부 반응기는 0
12 12
제8항에 있어서,상기 외부 반응기의 내주면과 상기 내부 반응기의 외주면에 서로 대응되게 형성된 키와, 상기 키에 결합되는 키홈을 이용하여 끼움 결합되는 것을 특징으로 하는 파우더 ALD 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.