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내부에 층물질(M)이 위치되며, 자성입자(P)가 주입되는 자성입자 주입구(130)를 포함하는 반응기(100);상기 반응기(100)와 연통되어 층물질(M)을 포집하는 사이클론(200);상기 사이클론(200)과 상기 반응기(100) 사이에 위치되며, 일측이 상기 사이클론(200)과 연통되고, 타측이 상기 반응기(100)과 연통되는 루프실(Loop seal)(300);상기 반응기(100)와 상기 사이클론(200) 사이에 위치되는 제1 유로(410); 및상기 제1 유로(410) 상에 위치되며, 층물질(M) 및 자성입자(P)의 상기 제1 유로(410) 내 유동 방향과 각도를 이루도록 전자기장을 인가하는 제1 전자기장 발생기(510); 를 포함하는,시스템
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제1항에 있어서,상기 루프실(300)과 연통되며, 상기 자성입자 주입구(130)로 자성입자(P)를 주입하는 자성입자 챔버(600);상기 루프실(300)과 상기 자성입자 챔버(600) 사이에 위치되는 제2 유로(420); 및상기 제2 유로(420) 상에 위치되는 제2 전자기장 발생기(520); 를 더 포함하는,시스템
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 사이클론(200)의 개수는 층물질(M)의 입도 개수에 따라 하나 이상인,시스템
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제3항에 있어서,상기 사이클론(200)은 제1 사이클론(210)과 제2 사이클론(220)을 포함하며,상기 루프실(300)은 상기 제1 사이클론(210)과 상기 제2 사이클론(220)과 각각 연통되고, 상기 자성입자 주입구(130)는,상기 제1 사이클론(210)의 상기 반응기(100) 상의 높이와 대응되도록 형성되는 제1 자성입자 주입구(131); 및 상기 제2 사이클론(220)의 상기 반응기(100) 상의 높이와 대응되도록 형성되는 제2 자성입자 주입구(132);를 포함하는,시스템
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제4항에 있어서,상기 제1 사이클론(210)의 높이가 상기 제2 사이클론(220)의 높이보다 높고, 상기 제1 사이클론(210)에 포집되는 층물질(M)의 입도가 상기 제2 사이클론(220)에 포집되는 층물질(M)의 입도보다 작은,시스템
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제1항에 있어서,상기 제1 전자기장 발생기(510)는 전자기장을 인가하고, 층물질(M)은 자성입자(P)의 유동에 의해 유도 유동되는, 시스템
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제2항에 있어서,상기 제2 전자기장 발생기(520)는 전자기장을 인가하여 자성입자(P)를 상기 자성입자 챔버(600)로 유동시켜, 자성입자(P)와 층물질(M)을 분리하는,시스템
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제2항에 있어서,상기 자성입자 챔버(600)와 상기 자성입자 주입구(130)와 연결되어 자성입자(P)를 상기 반응기(110) 내측에 공급하는 제3 유로(430);를 더 포함하는,시스템
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제1항에 있어서,층물질(M)의 입도에 비례하여, 자성입자(P)의 투입 유량이 제어되는,시스템
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제1항에 있어서,상기 사이클론(200)과 연통되는 열 교환실(700); 를 더 포함하고,상기 반응기(100)는, 연료 주입구(110)와 산화제 주입구(120)를 포함하고,상기 제1 사이클론(210)과 상기 열 교환실(700)에 사이에 위치되는 제4 유로(440)를 더 포함하는,시스템
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