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기판 및 상기 기판 상에 형성된 한 쌍의 인터디지테이티드 전극(IDE, interdigitated electrode)을 포함하는 가스 감지 장치;상기 인터디지테이티드 전극 상에 제공된 센서 물질; 및상기 가스 감지 장치의 인터디지테이티드 전극에 연결된 측정 장치; 를 포함하고,상기 센서 물질은 산화 그래핀 복합체 및 유기 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 센서
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제1항에 있어서,상기 산화 그래핀 복합체는 산화 그래핀 및 금속산화물을 포함하는 것인 가스 센서
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제2항에 있어서,상기 금속산화물은 산화 인듐(In2O3), 산화 주석(SnO2), 산화 티타늄(TiO2), 산화 몰리브데늄(MoO3), 산화 크롬(Cr2O3), 산화 망간(Mn2O3), 산화 코발트(Co3O4), 산화 니켈(NiO), 산화 구리(CuO), 산화 스트론튬(SrO), 산화 텅스텐(WO3), 산화 바나듐(V2O3), 산화 철(Fe2O3), 산화게르마늄(GeO2), 산화 나이오븀(Nb2O5), 산화 탄탈럼(Ta2O5), 산화 란타넘(La2O3), 산화 세륨(CeO2), 산화 네오디뮴(Nd2O3) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 것인 가스 센서
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제1항에 있어서,상기 유기 물질은 1차 아민, 2차 아민 및 3차 아민 중 적어도 어느 하나의 아민을 포함하는 것인 가스 센서
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제1항에 있어서,상기 유기 물질은 1,4-페닐렌디아민(1,4-phenylenediamine)을 포함하는 것인 가스 센서
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제1항에 있어서,상기 센서 물질은 산화 그래핀 20 내지 30중량%, 금속산화물 10 내지15중량% 및 유기 물질 60 내지 65중량% 포함하는 것인 가스 센서
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제1항에 있어서,상기 유기 물질 및 산화 그래핀 복합체의 무게비는 6:1 내지 8:1 인 것인 가스 센서
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제1항에 있어서,상기 인터디지테이티드 전극은 양 끝단부에 각각 커패시터부; 및 접속부; 를 포함하고,상기 커패시터부는 상기 인터디지테이티드 전극에 연결되고, 일정간격 서로 이격되어 나란히 형성된 다수의 서브 전극들을 포함하는 것인 가스 센서
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제8항에 있어서,상기 상기 센서 물질은 상기 인터디지테이티드 전극의 커패시터부에 코팅되어 제공되는 것인 가스 센서
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제8항에 있어서,상기 한 쌍의 인터디지테이티드 전극은 서로 이격되어 형성된 제1 인터디지테이티드 전극 및 제2 인터디지테이티드 전극을 포함하고,상기 제1 인터디지테이티드 전극에 포함된 다수의 서브 전극 및 제2 인터디지테이티드 전극에 포함된 다수의 서브 전극들은 서로 일정 간격 이격되고, 교대로 맞물려서 위치하는 것인 가스 센서
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제8항에 있어서,상기 측정 장치는 상기 가스 감지 장치의 인터디지테이티드 전극에 포함된 접속부에 연결 부재를 통해 연결되는 것인 가스 센서
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제1항에 있어서상기 센서 물질은 백금, 팔라듐, 금 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 귀금속을 더 포함하는 것인 가스 센서
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금속산화물, 유기 물질 및 산화 그래핀을 포함하는 센서 물질을 준비하는 단계; 및상기 센서 물질을 상기 제1항 내지 제12항 중 어느 하나의 가스 감지 장치의 인터디지테이티드 전극 상에 도포하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 센서 제조방법
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제13항에 있어서,상기 센서 물질 준비 단계는 산화 그래핀에 금속산화물을 도핑하여 산화 그래핀 복합체를 제조하는 단계; 및상기 산화 그래핀 복합체와 유기 물질을 합성하는 단계; 를 포함하거나, 또는산화 그래핀에 유기 물질을 합성하여 산화 그래핀 합성물을 제조하는 단계; 및상기 산화 그래핀 합성물에 금속산화물을 도핑하는 단계; 를 포함하는 것인 가스 센서 제조방법
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제13항에 있어서,상기 센서 물질 준비 단계에서 상기 센서 물질을 5℃/min 으로 200 내지 400℃ 온도에서 1 내지 3시간 열처리하는 것인 가스 센서 제조방법
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제13항에 있어서,상기 상기 센서 물질은 용매와 혼합되어 인터디지테이티드 전극 상에 도포되는 것인 가스 센서 제조방법
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