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제1 방전 공간을 형성하며 방전 전압으로 대전된 구동 전극;제2 방전 공간을 형성하며 접지된 접지 전극;상기 구동 전극과 상기 접지 전극 사이에 위치하며 반응가스를 공급하는 반응가스 주입부; 및상기 제1 방전 공간 내부로 돌출된 유동 가이드부재;를 포함하고,상기 구동 전극에는 처리가스를 분사하는 처리가스 공급부가 형성된 플라즈마 토치
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제1 항에 있어서,상기 처리가스 공급부는 상기 유동 가이드부재의 외주면을 향하여 상기 처리가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 토치
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제2 항에 있어서,상기 처리가스 공급부는 처리가스가 유입되는 처리가스 유입부, 상기 처리가스 유입부와 연결되어 상기 구동 전극의 둘레방향으로 이어진 처리가스 통로, 상기 처리가스 통로와 연결되어 상기 제1 방전 공간으로 처리가스를 분사하는 처리가스 분사홀을 포함하고, 상기 처리가스 분사홀은 회전 유동을 형성하도록 상기 구동 전극의 중심에 대하여 편심된 방향으로 이어진 것을 특징으로 하는 플라즈마 토치
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제2 항에 있어서,상기 유동 가이드부재는 원통 형상의 베이스부와 상기 베이스부에서 돌출되며 선단으로 갈수록 직경이 점진적으로 감소하는 경사부를 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 토치
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제4 항에 있어서,상기 유동 가이드부재는 상기 경사부에서 돌출된 돌출된 선단 가이드부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 토치
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제5 항에 있어서,상기 구동 전극은 상기 베이스부를 감싸며 원형의 관으로 이루어진 제1 튜브와 상기 제1 튜브와 연결되되 상기 경사부와 선단 가이드부를 감싸는 제2 튜브와 상기 제2 튜브와 연결되되 상기 접지 전극을 향하여 개방된 제3 튜브를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 토치
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제1 항에 있어서,상기 처리가스 분사홀은 상기 베이스부를 향하여 처리가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 토치
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제1 항에 있어서,상기 유동 가이드부재는 방전 전압으로 대전된 것을 특징으로 하는 플라즈마 토치
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제1 항에 있어서,상기 접지 전극의 길이는 상기 구동 전극의 길이 보다 더 길게 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 토치
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제1 항에 있어서,상기 유동 가이드부재의 외주면에는 나선방향으로 이어진 가이드 홈이 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 토치
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제1 항에 있어서,상기 유동 가이드부재의 외주면에는 나선방향으로 이어진 가이드 리브가 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 토치
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제1 항에 있어서,상기 접지 전극 또는 상기 구동 전극의 외주면에는 관 형상으로 이루어진 자석부재가 설치된 것을 특징으로 하는 플라즈마 토치
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구동 전극에 전압을 인가하여 아크를 생성하는 아크 형성 단계;반응 가스를 상기 구동 전극과 접진 전극 사이로 주입하여 플라즈마를 생성하고 아크를 연장시키는 플라즈마 생성 단계; 및상기 구동 전극으로 처리 가스를 회전시키면서 주입하여 아크를 회전시키는 아크 회전 단계;를 포함하며,상기 아크 회전 단계는 상기 처리 가스를 상기 구동 전극의 내부로 돌출된 유동 가이드부재의 외주면을 향하여 분사하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 토치의 구동 방법
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제13 항에 있어서,상기 아크 회전 단계에서 상기 처리 가스는 상기 유동 가이드부재의 외주면을 따라 이동하면서 회전하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 토치의 구동 방법
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