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그래핀 상에 PMMA(poly methyl methacrylate)의 적어도 일부가 결합되어 적층된 구조체를 형성하는 단계;상기 구조체를 반도체 기판 상에 전사하는 단계; 및상기 구조체가 전사된 반도체 기판을 대기 분위기의 상온에서 MIBK(methyl isobutyl ketone)를 포함하는 유기 용액에 침지시켜 상기 구조체의 그래핀 상에서 잔류물 없이 PMMA를 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 MIBK를 이용한 그래핀 전사용 대면적 PMMA 제거 방법
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제 1 항에 있어서,상기 유기 용액은 MIBK 및 이소프로필알코올을 포함하고, 상기 MIBK과 이소프로필알코올의 부피비는 2 ~ 4 : 1인 것을 특징으로 하는 MIBK를 이용한 그래핀 전사용 대면적 PMMA 제거 방법
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제 1 항에 있어서,상기 침지 시간은 1 내지 5분인 것을 특징으로 하는 MIBK를 이용한 그래핀 전사용 대면적 PMMA 제거 방법
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제 1 항에 있어서,상기 구조체가 전사된 반도체 기판을 상기 유기 용액에 침지시킨 후, 케톤계 용액에 20 내지 30 시간 동안 침지시키는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 MIBK를 이용한 그래핀 전사용 대면적 PMMA 제거 방법
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반도체 기판 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;그래핀 상에 PMMA의 적어도 일부가 결합되어 적층된 구조체를 형성하는 단계;상기 소스 전극 및 드레인 전극이 형성된 반도체 기판 상에, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 덮도록 상기 구조체를 전사하는 단계;상기 구조체가 전사된 반도체 기판을 대기 분위기의 상온에서 MIBK를 포함하는 유기 용액에 침지시켜 상기 구조체의 그래핀 상에서 잔류물 없이 PMMA를 제거하는 단계; 및상기 PMMA가 제거된 그래핀을 패터닝하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 구조체를 형성하는 단계는,금속 호일 상에 상기 그래핀을 형성하는 단계;상기 그래핀 상에 상기 PMMA를 형성하는 단계; 및상기 금속 호일을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 금속 호일 상에 CVD(chemical vapor deposition)를 이용하여 대면적 그래핀을 형성하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 유기 용액은 MIBK 및 이소프로필알코올을 포함하고, 상기 MIBK과 이소프로필알코올의 부피비는 2 ~ 4 : 1인 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 침지 시간은 1 내지 5분인 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 구조체가 전사된 반도체 기판을 상기 유기 용액에 침지 후, 케톤계 용액에 20 내지 30 시간 동안 침지시키는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터 제조 방법
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