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하기 화학식 1로서 표시되는 양성자화된 이온성 액체, 및 전도성 고분자를 혼합하여 개질된 전도성 고분자 박막 조성물을 수득하고,상기 개질된 전도성 고분자 박막 조성물을 박막화하는 것을 포함하는, 개질된 전도성 고분자 박막의 제조 방법:[화학식 1] ;상기 화학식 1에서,R1은 수소, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기 및 tert-부틸기에서 선택되는 것이고,A-는 할로젠 이온, 헥사플루오로포스페이트, 이미다졸레이트, 디사이안아마이드, 4,5-디사이아노이미다졸레이트, 비스(트리플루오르메탄)설폰이미드, 테트라사이노보레이트, 및 페리시아나이드에서 선택되는 것임
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제 1 항에 있어서,상기 전도성 고분자는 비극성 고분자 및 극성 고분자의 혼합인 것인,개질된 전도성 고분자 박막의 제조 방법
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제 2 항에 있어서,상기 비극성 고분자는 콘쥬게이트화된 고분자이고,상기 극성 고분자는 계면 활성제이자 도판트(dopant)인 것인, 개질된 전도성 고분자 박막의 제조 방법
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제 2 항에 있어서,상기 비극성 고분자는 폴리티오펜계, 폴리아닐린계, 폴리아세틸렌계, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)계, 폴리(para-페닐렌)계, 또는 폴리(para-페닐렌비닐렌)계에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것이고,상기 극성 고분자는 하기 화학식 2, 하기 화학식 3, 또는 하기 화학식 4로 표시되는 화합물을 포함하는 것인, 개질된 전도성 고분자 박막의 제조 방법:[화학식 2];[화학식 3];[화학식 4];상기 화학식 2, 상기 화학식 3 및 상기 화학식 4에서,R2, R3, 및 R4는 각각 독립적으로, 선형 또는 비선형의 C1-50의 알킬기, 선형 또는 비선형의 C1-50의 헤테로알킬기, 선형 또는 비선형의 C5-50의 아릴기, 선형 또는 비선형의 C2-50의 헤테로아릴기, 선형 또는 비선형의 C1-30의 알킬에스테르기, 선형 또는 비선형의 C1-30의 알킬카보네이트기, 또는 선형 또는 비선형의 C1-30의 카보닐기에서 선택되는 것이고,Z+는 H+, Li+, Rb+, Cs+, NH4+, K+ 또는 Na+에서 선택되는 것이고,n은 1 이상인 것임
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제 2 항에 있어서,상기 비극성 고분자는 폴리-(3,4-에틸렌디옥시티오펜)인 것이고,상기 극성 고분자는 폴리스티렌 술포네이트를 포함하는 것인, 개질된 전도성 고분자 박막의 제조 방법:
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제 1 항에 있어서,상기 양성자화된 이온성 액체 및 상기 전도성 고분자의 혼합 후에 수세 공정을 추가 포함하는 것인, 개질된 전도성 고분자 박막의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 수세 공정은 증류수, 아세토니트릴, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 이소프로필알코올, 다이메틸설폭사이드, 디메틸포름아마이드, 테트라하이드로퓨란 및 아세톤 중에서 선택되는 하나 이상을 이용하는 것인, 개질된 전도성 고분자 박막의 제조 방법
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양성자화된 이온성 액체 및 전도성 고분자를 포함하는 개질된 전도성 고분자 박막 조성물로서,상기 전도성 고분자는 극성 고분자 및 비극성 고분자의 혼합물(mixture)인 것인, 개질된 전도성 고분자 박막 조성물
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제 8 항에 있어서,상기 양성자화된 이온성 액체의 함량은 상기 전도성 고분자 100 중량부에 대해 1 중량부 내지 1,000 중량부인 것인, 개질된 전도성 고분자 박막 조성물
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제 8 항에 있어서,상기 비극성 고분자:상기 극성 고분자의 질량비는 1:0
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제 8 항에 있어서, 상기 양성자화된 이온성 액체는 상기 극성 고분자의 일부를 상기 비극성 고분자로부터 분리하는 것인, 전도성 고분자 박막 조성물
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제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항의 제조 방법에 따라 제조되는, 개질된 전도성 고분자 박막
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